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針對固態(tài)硬盤新技術(shù)助力新產(chǎn)品：D V-NAND技術(shù)的應(yīng)用是三星850 PRO系列產(chǎn)品十年質(zhì)保的根源所在。此前閃存芯片所采用的2D平面型NAND技術(shù)是眾多SSD廠商所采用的，該技術(shù)的瓶頸就在于，臨近存儲(chǔ)單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲(chǔ)單元成為了SSD升級(jí)面臨的問題。不過由三星自主開發(fā)的3D V-NAND技術(shù)的出現(xiàn)，完美的解決了這個(gè)問題；該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進(jìn)型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個(gè)3D的空間內(nèi)垂直互連各個(gè)層面的存儲(chǔ)單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲(chǔ)空間。這樣的設(shè)計(jì)，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結(jié)構(gòu)，那么就會(huì)降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會(huì)大大提升單位面積的利用率。

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