我們一般在對螺旋硅碳棒進行檢測，主要是要它的使用效果，因為不合格的不不能達到很好的效果，甚至會影響正常的生產作業(yè)，在檢測過程中需要做到的是： 　　1、細記錄電流表數(shù)據和溫控表的輸出百分比。 　　2、爐溫穩(wěn)定在某一溫度時，若螺旋硅碳棒斷棒，則儀表的輸出百分比較前一時間段會加大，電流表顯示電流會減小。 　　3、比同溫區(qū)的內外兩組硅碳棒電流值和儀表輸出百分比，在同樣輸出百分比的情況下，內阻電流應接近于外組電流的一半。 　　4、同溫區(qū)甚至不同爐子做比較，溫度相同時對比其溫控表的輸出百分比和電流值，內組和內組做比較，外組和外組做比較，溫控表相同百分比輸出的情況下，黑龍江槍型硅碳棒，電流應基本一致。 　　5、以觀測爐膛，看有沒有黑環(huán)，若有明顯黑環(huán)，斷棒可能性比較大。 　　正常的情況是，黑龍江槍型硅碳棒，隨著螺旋硅碳棒的老化，其阻值會增大，黑龍江槍型硅碳棒，在同一輸出百分比的情況下電流值會減小，所以要注意檢測過程中電流的變化。

一般在制作硅碳棒時的次燒結，都是將碳化硅生料和瀝青、焦油等粘合劑攪拌均勻，并用擠壓機擠壓成型，然后在隧道窯中直接進行燒結，這種做法會有一定的缺點�，F(xiàn)在給大家介紹一下新的制作工藝。 　　新的工藝在次燒結時是將擠壓成型的胚件，放在真空容器里，抽真空到20~50毫米汞柱，然后以每分鐘5~10攝氏度的升溫速度，從常溫升到350攝氏度，在350攝氏度保溫30分鐘，使胚件各部位均勻的達到此溫度，再以每分鐘10攝氏度的速度升溫至920攝氏度，在920攝氏度時保溫30分鐘，可以將殘留的摻合物雜質排清，得到較為理想的硅化碳燒結物。這種燒結方法在粗真空中進行，各種雜質成分易揮發(fā)，一次殘留的雜質少。 　　第二次燒結式的原理是在碳化硅胚料的周圍用碳化硅粉末包圍起來，圍用其他埋料，這樣在高溫時不形成還原性氣氛，而且使碳化硅胚料表面與新生成的碳化硅分子隔離開來，隔離物是碳化硅埋料，新生成的碳化硅分子與碳化硅埋料起作用，而保護了里面的碳化硅。 　　新的工藝簡單操作而且將硅碳棒的雜質盡可能的減少，提高了產品的性能。同時在質量上又是一個新的提升。提高了整體的品質與使用年限。

硅碳棒在使用過程中硅碳棒抗氧化的強度，能不能在各溫度段中長時間的使用，取決于主要決定于硅碳棒是否在高溫中鍍膜，一般在出廠前該設備調試時會加熱到1600度并保溫，所做的目的是讓硅碳棒表面進行氧化，形成一層玻硅膜，阻礙硅碳棒進一步氧化，所以高溫使用后的硅碳棒，在任何溫度再保溫也不必再擔心氧化損壞問題。如果未經高溫沒有形成該氧化層，低溫則有可能氧化損傷。 　　硅碳棒的力學性能在常溫下具有玻璃的性質。在室溫時，有較高的抗彎和抗張強度，但它的抗沖擊強度卻很低。因此，當硅碳棒電熱元件1100攝氏度溫度以下時，不應使它承受任何較大的抗彎和抗擊應力。在1350攝氏度以上時，硅碳棒有很好的延展性。在更高一些溫度下，它能彎折或卷繞成所需要的形狀，但已經用過的硅碳棒不能再這樣處理了。 　　硅碳棒電熱元件一經高溫后，表面有二氧化硅析出，形成一層完整的保護膜，它有良好的抗氧化性能，所以無老化現(xiàn)象。硅碳棒電熱元件不宜在800攝氏度以下長期使用，不能形成較好的氧化膜保護層，所以適于髙溫電爐中使用。為了冷端的接續(xù)部分與爐子升溫后的路之間有足夠的距離，通孔耐火磚部和接續(xù)部分的下部應相距50mm以上。