整流橋就是將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。 整流橋的原理： 整流橋堆 整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。 全橋的正向電流有0.5A、1A、1，北京整流橋模塊生產(chǎn)廠家.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A，北京整流橋模塊生產(chǎn)廠家，北京整流橋模塊生產(chǎn)廠家、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值（比較高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規(guī)格。 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓，的廠家有“文斯特電子”的G系列整流橋堆,進(jìn)口品牌有ST、IR等。整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。

整流橋作為一種功率元器件，非常廣 泛。應(yīng)用于各種電源設(shè)備。 其內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。 在整流橋的每個(gè)工作周期內(nèi)，同一時(shí)間只有兩個(gè)二極管進(jìn)行工作，通過二極管的單向?qū)�通功能，把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動(dòng)電壓。對(duì)一般常用的小功率整流橋（如：RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M）進(jìn)行解剖會(huì)發(fā)現(xiàn)，其內(nèi)部的結(jié)構(gòu)如圖2所示，該全波整流橋采用塑料封裝結(jié)構(gòu)（大多數(shù)的小功率整流橋都是采用該封裝形式）。橋內(nèi)的四個(gè)主要發(fā)熱元器件一一二極管被分成兩組分別放置在直流輸出的引腳銅板上。在直流輸出引腳銅板間有兩塊連接銅板，他們分別與輸入引腳（交流輸入導(dǎo)線）相連，形成我們?cè)谕庥^上看見的有四個(gè)對(duì)外連接引腳的全波整流橋。由于該系列整流橋都是采用塑料封裝結(jié)構(gòu)，在上述的二極管、引腳銅板、連接銅板以及連接導(dǎo)線的周圍充滿了作為絕緣、導(dǎo)熱的骨架填充物質(zhì)一一環(huán)氧樹脂。然而，環(huán)氧樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)是比較低的（一般為0.35℃W/m，比較高為2.5℃W/m），因此整流橋的結(jié)--殼熱阻一般都比較大（通常為1.0~10℃/W）。

整流橋的殼溫確定： 從前面對(duì)整流橋帶散熱器來實(shí)現(xiàn)其散熱過程的分析中可以看出，整流橋主要的損耗是通過其背面的散熱器來散發(fā)的，因此在此討論整流橋殼溫如何確定時(shí)，就忽約其通過引腳的傳熱量。現(xiàn)結(jié)合RS2501M整流橋在110VAC電源模塊上應(yīng)用的損耗（比較大為22.0W）來分析。 假設(shè)整流橋殼體外表面上的溫度為結(jié)溫（即150.0C），表面換熱系數(shù)為50.0W/m2C（在一般情況下，強(qiáng)迫風(fēng)冷的對(duì)流換熱系數(shù)為20~40W/m2C）。那么在環(huán)境溫度為55.0C時(shí)，整流橋的結(jié)溫與殼體正面的溫差遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于結(jié)溫與殼體背面的溫差，也就是說，實(shí)際上整流橋的殼體正表面的溫度是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于其背面的溫度的。 如果我們?cè)跍y(cè)量時(shí)，把整流橋殼體正面溫度（通常情況下比較好測(cè)量）來作為我們計(jì)算的殼溫，那么我們就會(huì)過高地估計(jì)整流橋的結(jié)溫了！那么既然如此，我們應(yīng)該怎樣來確定計(jì)算的殼溫呢？由于整流橋的背面是和散熱器相互連接的，并且熱量主要是通過散熱器散發(fā)，散熱器的基板溫度和整流橋的背面殼體溫度間只有接觸熱阻。一般而言，接觸熱阻的數(shù)值很小，因此我們可以用散熱器的基板溫度的數(shù)值來代替整流橋的殼溫，這樣不在測(cè)量上易于實(shí)現(xiàn)，還不會(huì)給終的計(jì)算帶來不可容忍的誤差。