普通三極管參與導電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱為雙極型三極管；而在場效應管中只是多子參與導電，故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場效應管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件（溫度等）變化很大的情況下應選用場效應管。三極管是電流控制器件，通過控制基極電流到達控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低；場效應管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，中山開關場效應管MOSFET，因此，它的輸入電阻很高，可達109～1014Ω。高輸入電阻是場效應管的突出優(yōu)點。場效應管的漏極和源極可以互換（某些），耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負，中山開關場效應管MOSFET，靈活性比三極管強。但要注意，分立的場效應管，中山開關場效應管MOSFET，有時已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接，源極和漏極就不能互換使用了。 有沒有哪家功率mos做的比較好？中山開關場效應管MOSFET

絕緣柵場效應管中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管，英文簡稱是MOSFET，一般也簡稱為MOS管。MOSFET的輸入電阻很高，高達10^9Ω以上，從導電溝道來分，可以分為N溝道和P溝道兩種，無論是N溝道還是P溝道，又可以分為增強型和耗盡型。N溝道的MOS管通常也簡稱為NMOS，P溝道的MOS管簡稱為PMOS。場效應管屬于電壓控制型元件，又利用多子導電故稱單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點。惠州中低壓場效應管現(xiàn)貨MK2301是一款20V的P型場效應管。

場效應管的工作原理，我們先了解一下只含有一個P一N結的二極管的工作過程。如圖6所示，我們知道在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內(nèi)的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內(nèi)的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓（P端接負極，N端接正極）時，這時在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動，其PN結沒有電流通過，二極管截止。

場管效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用非常為多方面的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及非常近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。盟科電子在深圳做場效應管質量很好，交期快。

場效應管測試儀儀器主要用以功率場效應管和IGBT的質量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導型測試儀和P溝導型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內(nèi)、國際的安全基準而設計，是交流安全通用測試儀器，合適家電及低壓電器的安全測試。測試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示，測試時間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調和細調旋鈕調節(jié)。漏電流超差時自動切斷測試電壓，并發(fā)出聲光報警信號。有外控端子。臣式機箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術參數(shù)：測試電壓：AC0～5KV。測試電壓誤差：低于3％。測試電壓波形：50Hz市電正弦波。輸出容量：500VA(DF2670)，500VA/750VA(DF2670A)。漏電流范圍：2mA～20mA共六檔(DF2670)～2mA/～20mA(DF2670A)。漏電流測試誤差：低于3％。測試時間：1～99秒。時間誤差：低于1％。一：場效應管的主要參數(shù)(1)直流參數(shù)飽和漏極電流IDSS它可概念為：當柵、源極之間的電壓相等零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。夾斷電壓UP它可概念為：當UDS一定時，使ID減少到一個細微的電流時所需的UGS打開電壓UT它可概念為：當UDS一定時，使ID到達某一個數(shù)值時所需的UGS。中低壓mos管深圳哪家廠做的好？汕尾SOT-23場效應管

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耗盡型與增強型MOS管的區(qū)別詳解耗盡型與增強型MOS管的區(qū)別主要在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時有導電溝道存在，而增強型MOS管只有在開啟后，才會出現(xiàn)導電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。耗盡型與增強型MOS管簡述場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。中山開關場效應管MOSFET

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