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701、油墨放置箱;702、油墨加壓器;703、高壓噴頭;704、防濺射擋板;705、印刷輥;8、膠面剝離結(jié)構(gòu);801、收卷調(diào)速器;802、收卷驅(qū)動電機;803、輥固定架;804、膠水盛放箱;805、點膠頭;806、卷邊輥;807、膠面收卷輥;9、電加熱箱;10、熱風(fēng)噴頭;11、干燥度感應(yīng)器;12、電氣控制箱;13、液晶操作面板。具體實施方式下面結(jié)合附圖對本**技術(shù)作進一步說明:如圖1-圖4所示,一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置,包括主支撐架1、橫向支架2、伺服變頻電機3、電機減速箱4、印刷品放置箱6、表面印刷結(jié)構(gòu)7、膠面剝離結(jié)構(gòu)8,所述主支撐架1上方設(shè)置有所述橫向支架2,所述橫向支架2上方設(shè)置有所述伺服變頻電機3,所述伺服變頻電機3上方設(shè)置有所述電機減速箱4,所述電機減速箱4上方安裝有印刷品傳送帶5,所述印刷品傳送帶5一側(cè)安裝有所述印刷品放置箱6,所述印刷品放置箱6一側(cè)安裝有所述表面印刷結(jié)構(gòu)7,所述表面印刷結(jié)構(gòu)7上方設(shè)置有油墨放置箱701,所述油墨放置箱701下方安裝有油墨加壓器702,所述油墨加壓器702下方安裝有高壓噴頭703,所述高壓噴頭703一側(cè)安裝有防濺射擋板704,所述防濺射擋板704下方安裝有印刷輥705,所述表面印刷結(jié)構(gòu)7一側(cè)安裝有所述膠面剝離結(jié)構(gòu)8。上海哪家剝離液配方技術(shù)哪家剝離液的的性價比好。
常在印刷電路板,液晶顯示面板,半導(dǎo)體集成電路等工藝制造過程中,需要通過多次圖形掩膜照射曝光及蝕刻等工序在硅晶圓或玻璃基片上形成多層精密的微電路,形成微電路之后,進一步用剝離液將涂覆在微電路保護區(qū)域上作為掩膜的光刻膠除去。比如光電TFT-LCD生產(chǎn)工藝主要包含光阻涂布、顯影、去光阻、相關(guān)清洗作業(yè)四大階段,其中在去光阻階段會產(chǎn)生部分剝離液。印制電路板生產(chǎn)工藝相當(dāng)復(fù)雜。不僅設(shè)備和制造工藝的科技含量高,工藝流程長,用水量大,而且所用的化學(xué)藥品(包括各種添加劑)種類多、用量大。因此,在用減成法生產(chǎn)印刷線路板的過程中,產(chǎn)污環(huán)節(jié)多,種類繁雜,物料損耗大。可分為干法加工(設(shè)計和布線、模版制作、鉆孔、貼膜、曝光和外形加工等)和濕法加工(內(nèi)層板黑膜氧化、去孔壁樹脂膩污、沉銅、電鍍、顯影、蝕刻、脫膜、絲印、熱風(fēng)整平等)過程。其中在脫模(剝膜)工序為了脫除廢舊電路板表面殘留焊錫,需用硝酸為氧化劑,氨基磺酸為穩(wěn)定劑,苯并三氮唑為銅的緩蝕劑進行操作,整個工序中會產(chǎn)生大量的剝離液,有機溶劑成分較大。
所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接,所述收卷驅(qū)動電機與所述膠面收卷輥通過導(dǎo)線連接。進一步的,所述電加熱箱與所述干燥度感應(yīng)器通過導(dǎo)線連接,所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導(dǎo)線連接。進一步的,所述主支撐架由合金鋼壓制而成,厚度為5mm。進一步的,所述干燥度感應(yīng)器與所述電氣控制箱通過導(dǎo)線連接。進一步的,所述防濺射擋板共有兩塊,傾斜角度為45°。進一步的,所述電氣控制箱與所述表面印刷結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線連接,所述電氣控制箱與所述膠面剝離結(jié)構(gòu)通過導(dǎo)線連接。本**技術(shù)的有益效果在于:采用黏合方式對印刷品膠面印刷進行剝離,同時能夠?qū)τ∷⑵纺z面進行回收,節(jié)約了大量材料,降低了生產(chǎn)成本。附圖說明圖1是本**技術(shù)所述一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置的主視結(jié)構(gòu)簡圖;圖2是本**技術(shù)所述一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置的電氣控制箱外觀結(jié)構(gòu)簡圖;圖3是本**技術(shù)所述一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置的表面印刷結(jié)構(gòu)主視結(jié)構(gòu)簡圖;圖4是本**技術(shù)所述一種印刷品膠面印刷剝離復(fù)合裝置的膠面剝離結(jié)構(gòu)主視結(jié)構(gòu)簡圖。附圖標(biāo)記說明如下:1、主支撐架;2、橫向支架;3、伺服變頻電機;4、電機減速箱;5、印刷品傳送帶;6、印刷品放置箱;7、表面印刷結(jié)構(gòu)。鋁剝離液的配方是什么?
所述抽真空氣體修飾法包括如下步驟:將將襯底和光刻膠抗粘劑置于密閉空間中,對密閉空間抽真空至光刻膠抗粘層氣化,保持1分鐘以上,直接取出襯底。進一步的改進,所述襯底為硅、氧化硅、石英、玻璃、氮化硅、碳化硅、鈮酸鋰、金剛石、藍(lán)寶石或ito制成。進一步的改進,所述步驟(2)對襯底修飾的試劑包括hmds和十三氟正辛基硅烷;對襯底修飾的試劑鍍在襯底表面。進一步的改進,所述所述光刻膠包括pmma,zep,瑞紅膠,az膠,納米壓印膠和光固化膠。進一步的改進,所述光刻膠厚度為1nm-100mm進一步的改進,所述光刻膠上加工出所需結(jié)構(gòu)的輪廓的方法為電子束曝光,離子束曝光,聚焦離子束曝光,重離子曝光,x射線曝光,等離子體刻蝕,紫外光刻,極紫外光刻,激光直寫或納米壓印。進一步的改進,所述黏貼層為pdms,紫外固化膠,熱釋放膠,高溫膠帶,普通膠帶,pva,纖維素或ab膠。上述選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法制備的微納結(jié)構(gòu)用于微納制造,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué),生物領(lǐng)域,mems領(lǐng)域,nems領(lǐng)域。本發(fā)明的有益效果在于,解決了現(xiàn)有負(fù)性光刻膠加工效率低,難于去膠,去膠過程中損傷襯底,對于跨尺度結(jié)構(gòu)的加工過程中加工精度和效率的矛盾等問題。哪家的剝離液的價格優(yōu)惠?上海哪家剝離液配方技術(shù)
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用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3:有少量殘渣4:基本能剝離,但一部分殘渣多5:一半以上能剝離,但一部分殘渣多6:基本不能剝離,但一部分剝離7:不能剝離【表2】由該結(jié)果可知,在含有溶纖劑的抗蝕劑的剝離液中使用氫氧化鉀代替氫氧化鈉的本發(fā)明組成,與使用氫氧化鈉的比較組成相比,即使l/s狹窄,也能除去抗蝕劑。(3)剝離性能的評價方法將液溫設(shè)為50℃的各剝離液使用噴涂裝置向上述試驗片實施剝離處理,將試驗片的粘性部分的dfr以目視全部面積的90%以上被剝離的時刻作為剝離時間。另外,剝離片尺寸(長邊)是采集噴涂停止后附著于設(shè)置于試驗基板固定用的臺上的排渣用網(wǎng)眼的剝離片以目視實施的。此時的噴涂裝置的條件設(shè)為全錐噴嘴且流量5l/min、壓力。將其結(jié)果示于表3。(4)金屬的浸蝕性的評價方法利用上述評價方法實施將噴涂運行時間固定在10分鐘的處理。其后,將基板的鍍銅部位通過電子顯微鏡(日立高新技術(shù)制:s-3400n)按照以下的評價基準(zhǔn)評價表面形狀。其結(jié)果也示于表3。<金屬浸蝕性的評價基準(zhǔn)>(分?jǐn)?shù))(內(nèi)容)1:沒有變化2:極略微有變化(用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3:略有變化4:發(fā)生***變色【表3】剝離時間(sec)剝離片尺寸。上海哪家剝離液配方技術(shù)
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