計算機的存儲器可分成內(nèi)存儲器和外存儲器。內(nèi)存儲器在程序執(zhí)行期間被計算機頻繁地使用，并且在一個指令周期期間是可直接訪問的。外存儲器要求計算機從一個外貯藏裝置例如磁帶或磁盤中讀取信息。這與學生在課堂上做筆記相類似。如果學生沒有看筆記就知道內(nèi)容，信息就被存儲在“內(nèi)存儲器”中。如果學生必須查閱筆記，浙江24AA02E64-I/SN存儲器，浙江24AA02E64-I/SN存儲器，那么信息就在“外存儲器”中。內(nèi)存儲器有很多類型。隨機存取存儲器( RAM)在計算期間被用作高速暫存記憶區(qū)。數(shù)據(jù)可以在RAM中存儲，浙江24AA02E64-I/SN存儲器、讀取和用新的數(shù)據(jù)代替。當計算機在運行時RAM是可得到的。存儲器能夠為計算機提供極大的幫助。浙江24AA02E64-I/SN存儲器
存儲器結(jié)構(gòu)在MCS - 51系列單片機中，程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器互相，物理結(jié)構(gòu)也不相同。程序存儲器為只讀存儲器，數(shù)據(jù)存儲器為隨機存取存儲器。從物理地址空間看，共有4個存儲地址空間，即片內(nèi)程序存儲器、片外程序存儲器、片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲器和片外數(shù)據(jù)存儲器，I/O接口與外部數(shù)據(jù)存儲器統(tǒng)一編址。為提高存儲器的性能，通常把各種不同存儲容量、存取速度和價格的存儲器按層次結(jié)構(gòu)組成多層存儲器，并通過管理軟件和輔助硬件有機組合成統(tǒng)一的整體，使所存放的程序和數(shù)據(jù)按層次分布在各存儲器中。浙江24AA02E64-I/SN存儲器存儲器的優(yōu)勢是體積小，易攜帶。
衡量存儲器有三個指標：容量、速度和價格／位。所以速度高的存儲器每位價格都比較高，因此容量不能太大，所以就要分為內(nèi)存和外存，將正使用的信息放在速度高的內(nèi)存中，暫時不用的放在外存中。但是它們都是計算機的存儲系統(tǒng)，它們之間形成了一個存儲層次，整體上看使得計算機有近似于內(nèi)存的速度和近似于外存的容量。存儲器是計算機的記憶裝置，它的主要功能是存放程序和數(shù)據(jù)。程序是計算機操作的依據(jù)，數(shù)據(jù)是計算機操作的對象。不管是程序還是數(shù)據(jù)，在存儲器中都是用二進制的形式來表示的，并統(tǒng)稱信息。
25系列和24系列芯片雖然都是存儲芯片，但它們在應用領域和技術特點等方面存在一些不同。24系列主要是EEPROM，且容量一般不超過1Mb，可編程空間小，工作頻率較低，一般常見的不超過100KHZ，只能運用在一些運算較簡單的場景。25系列的FLASH，現(xiàn)在使用很廣，且容量目前已經(jīng)打到256Mb，編程空間大，工作頻率可以打到2MHZ以上，運算速度快。綜上所述，25系列和24系列芯片都是常見的存儲芯片，它們各自具有獨特的應用領域和技術特點。在選擇存儲芯片時，應根據(jù)具體應用場景和需求，選擇合適的芯片類型。傳統(tǒng)的存儲器就有U盤。
把存儲器分為幾個層次主要基于下述原因：1、合理解決速度與成本的矛盾，以得到較高的性能價格比。半導體存儲器速度快，但價格高，容量不宜做得很大，因此只用作與CPU頻繁交流信息的內(nèi)存儲器。磁盤存儲器價格較便宜，可以把容量做得很大，但存取速度較慢，因此用作存取次數(shù)較少，且需存放大量程序、原始數(shù)據(jù)（許多程序和數(shù)據(jù)是暫時不參加運算的）和運行結(jié)果的外存儲器。計算機在執(zhí)行某項任務時，只將與此有關的程序和原始數(shù)據(jù)從磁盤上調(diào)入容量較小的內(nèi)存，通過CPU與內(nèi)存進行高速的數(shù)據(jù)處理，然后將更終結(jié)果通過內(nèi)存再寫入磁盤。這樣的配置價格適中，綜合存取速度則較快。存儲器實現(xiàn)的相關技術手段有哪些?河北24AA02E48-E/SN存儲器熱賣
存儲器究竟怎么工作的？浙江24AA02E64-I/SN存儲器
存儲器中的三管組成是三管讀出時，先對T4置一預充電信號，使讀數(shù)據(jù)線達高電壓VDD，然后由讀選擇先打開T2，若T1的極間電容Cg存在足夠多的電荷"1",是T1導通，則因T2，T1導通接地，使讀數(shù)據(jù)線降為零電平，即“0”，若沒有足夠多的電荷“0”，T1截止，使讀數(shù)據(jù)線的高電平不變，讀出“1”信息。寫入時，由寫選擇線打開T3，這樣，Cg變能隨輸入信息充電（寫“1”）或放電（寫“0”）將寫入信號加到寫數(shù)據(jù)線上。單管（為了提高集成度）讀出時，字段上的高電平使T導通，若Cs有電荷，經(jīng)T管在數(shù)據(jù)線產(chǎn)生電流，可視為讀出“1”。若Cs無電荷，則數(shù)據(jù)線上無電流，可視為讀出“0”。讀操作結(jié)束時，Cs的電荷已將破壞性對出，必須再生。寫入時，字段上的高電平使T導通，若數(shù)據(jù)線上為高電平，經(jīng)T管對Cs充電，使其存“1”；若數(shù)據(jù)線為低電平，則Cs經(jīng)T放電，使其無電荷而存“0”可以說動態(tài)RAM的讀過程就是檢測電容有無電，而寫過程就是對電容充電放電的過程注：T是mos管，不是電源，它能被導通，短的一端有電才能被導通浙江24AA02E64-I/SN存儲器
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