半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據(jù)選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，中山瞬變抑制二極管使用注意事項，還有很多其他的功能，如：用來調節(jié)電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變容二極管），產生射頻振蕩（隧道二極管、耿氏二極管、IMPATT二極管）以及產生光（發(fā)光二極管）。半導體二極管中，中山瞬變抑制二極管使用注意事項，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應，也有利用金屬與半導體接合產生的肖特基效應達到整流作用的類型。若是PN結型的二極管，在P型側就是陽極，N型側則是陰極，中山瞬變抑制二極管使用注意事項。 它只能從一個方向導電，而從另一個方向不導電。中山瞬變抑制二極管使用注意事項
二極管的起源早在20世紀40年代，人們就開始利用金屬-半導體接觸的單向導電性，當時將金屬絲與氧化亞銅晶體接觸做成點接觸型二極管，將這種較簡單的半導體器件用于檢波。利用薄膜淀積技術可在半導體表面形成大面積的金屬-半導體整流接觸，做成面接觸型的金屬-半導體二極管，習慣上稱之為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。目前，功率肖特基勢壘二極管主要用鉻、鉑、鎢、鋁等金屬與N型低阻硅制成 這里需要對陰極金屬與重摻雜的N+層之間的接觸進行說明。首先肯定是該接觸為歐姆接觸，與陽極的金屬-半導體的整流接觸不同。歐姆接觸不光光看金屬和半導體的功函數(shù)之差。更廣義的所謂歐姆接觸，是指接觸電阻很小且不隨外加電壓的變化而改變其阻值的線性接觸。 中山常用二極管多少錢二極管的導通與截止要有電壓控制，電路中VD1正極通過電阻R1、開關S1與直流電壓+V端相連。
二極管PN結形成原理：P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結構完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質，如硼等。因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。 N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。
二極管的發(fā)現(xiàn)和發(fā)展:1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的代二極管一一“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。20世紀初，由于無線電*的需要，熱離子二極管（真空管）和固態(tài)二極管（半導體二極管）大約在相同的時間分別研發(fā)。直到20世紀50年代之前，真空管二極管在收音機中都更為常用。這是因為早期的點接觸式半導體二極管（貓須探測器）并不穩(wěn)定，并且那時大多數(shù)的收音機放大器都是由真空管制成，二極管可以直接放入其中。而且那時真空管整流器和充氣整流器處理一些高電壓、高電流整流任務的能力更是遠在半導體二極管（如硒整流器）之上�，F(xiàn)如今的二極管大多是使用硅來生產，鍺等其它半導體材料有時也會用到。目前常見的結構是，一個半導體性能的結晶片通過PN結連接到兩個電終端。 面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓。
二極管在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導電陽極與一池作為陰極的液態(tài)汞之間會形成電弧，電壓單位可達數(shù)百千瓦，這對高壓直流輸電的發(fā)展起到了促進作用。一些小型的熱離子整流器有時候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強真空器件的電流額定值。整個真空管時代，這種二極管應用于模擬信號，并在消費電子產品（如收音機、電視機、音響系統(tǒng)）的直流供電設備中當做整流器。20世紀40年代，在那些供電設備內的真空管開始被硒整流器所替代，然后在1960年代又被半導體二極管替代。如今，真空管仍然在一些高功率應用場合中使用，由于能夠承受瞬變和較好的魯棒性，使得他們比半導體器件的優(yōu)勢能夠顯現(xiàn)出來。尤其是音頻處理上，真空管基本不存在瞬態(tài)互調失真、開關失真及交越失真等影響音質的問題。因此近年來，在音響發(fā)燒友和錄音棚所用的音頻設備中，應用真空二極管的老式音頻設備有回潮的跡象，如家用音響系統(tǒng)甚至是吉他效果器。二極管的截止電壓稱為反向擊穿電壓。廣東雙向觸發(fā)二極管
二極管的類型有很多，如硅二極管、鍺二極管、肖特基二極管等。中山瞬變抑制二極管使用注意事項
二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于PN結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 中山瞬變抑制二極管使用注意事項
