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深圳晶體三*管特性 深圳市盟科電子科技供應(yīng)

發(fā)貨地點:廣東省深圳市

發(fā)布時間:2024-10-24

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三*管是一種電子元件,由半導(dǎo)體材料制成,具有三個電*,即發(fā)射*(Emitter)、基*(Base)和集電*(Collector)。它是一種雙*型晶體管,主要用于放大電流和控制電流的作用。三*管的工作原理基于PNP或NPN結(jié)構(gòu)。PNP型三*管由兩個P型半導(dǎo)體夾一個N型半導(dǎo)體組成,而NPN型三*管則由兩個N型半導(dǎo)體夾一個P型半導(dǎo)體組成;*與發(fā)射*之間的結(jié)為基*結(jié),基*與集電*之間的結(jié)為集電*結(jié)。當(dāng)三*管處于正常工作狀態(tài)時,發(fā)射*與基*之間的結(jié)為正向偏置,而基*與集電*之間的結(jié)為反向偏置。這樣,當(dāng)在基*-發(fā)射*之間施加一個小的電流(稱為基*電流)時,會引起發(fā)射*-集電*之間的大電流(稱為集電*電流)的變化。三*管可以放大電信號,使得弱信號變得更強(qiáng),從而提高信號的可靠性和傳輸距離。深圳晶體三*管特性

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三*管的放大作用不僅局限于電流放大,還可以實現(xiàn)電壓放大和功率放大。在電壓放大電路中,三*管通過將輸入的小電壓信號放大成較大的輸出電壓信號,實現(xiàn)電壓的放大。這種放大作用是通過三*管的電流控制特性來實現(xiàn)的。當(dāng)輸入電壓變化時,會引起基*電流的變化,進(jìn)而控制集電*電流的變化,從而在負(fù)載電阻上產(chǎn)生較大的電壓變化。在功率放大電路中,三*管則將輸入的小功率信號放大成較大的輸出功率信號,以驅(qū)動負(fù)載。例如,在音響系統(tǒng)率放大器就是利用三*管的功率放大作用,將音頻信號放大到足夠的功率,驅(qū)動揚聲器發(fā)出聲音。功率放大電路需要能夠承受較大的電流和電壓,因此對三*管的性能要求較高。三*管的功率放大能力取決于其電流放大倍數(shù)、集電*電流和集電*-發(fā)射*電壓等參數(shù)。深圳光敏三*管市場報價三*管的開關(guān)速度較快,可達(dá)納秒級。

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三*管的運用:

(1)NPN型三*管,適合射*接GND集電*接負(fù)載到VCC的情況。只要基*電壓高于射*電壓(此處為GND)0.7V,即發(fā)射結(jié)正偏(VBE為正),NPN型三*管即可開始導(dǎo)通。基*用高電平驅(qū)動NPN型三*管導(dǎo)通(低電平時不導(dǎo)通);基*除限流電阻外,更優(yōu)的設(shè)計是,接下拉電阻10-20k到GND;優(yōu)點是:①使基*控制電平由高變低時,基*能夠更快被拉低,NPN型三*管能夠更快更可靠地截止;②系統(tǒng)剛上電時,基*是確定的低電平。
(2)PNP型三*管,適合射*接VCC集電*接負(fù)載到GND的情況。只要基*電壓低于射*電壓(此處為VCC)0.7V,即發(fā)射結(jié)反偏(VBE為負(fù)),PNP型三*管即可開始導(dǎo)通。基*用低電平驅(qū)動PNP型三*管導(dǎo)通(高電平時不導(dǎo)通);基*除限流電阻外,更優(yōu)的設(shè)計是,接上拉電阻10-20k到VCC。

三*管鍺管的穿透電流比較大,一般由幾十微安到幾百微安,硅管的穿透電流就比較小,一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大,卻與溫度有著密切的關(guān)系,它們遵循著所謂的“加倍規(guī)則”,這就是溫度每升高 10℃ , I ceo 約增大一倍。例如,某鍺管在常溫 20℃ 時, I ceo 為 20μA ,在使用中管芯溫度上升到 50℃ , I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單,三*管的基*開路,在集電*與發(fā)射*之間接入電源 V CC ( 6V ),串聯(lián)在電路中的電流表(可用萬用表中的 0.1mA 擋)所指示的電流值就是 I ceo 。晶體三*管的原理是基于PN結(jié)的電子輸運和控制。

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三*管的結(jié)構(gòu)是由三個摻雜不同的半導(dǎo)體材料層疊而成。它由以下三個部分組成:基區(qū)(BaseRegion):基區(qū)是三*管的中間部分,通常是非導(dǎo)電的。它是由輕度摻雜的半導(dǎo)體材料(通常是硅)構(gòu)成的。發(fā)射區(qū)(EmitterRegion):發(fā)射區(qū)位于基區(qū)的一側(cè),通常是強(qiáng)烈摻雜的半導(dǎo)體材料(通常是硅)。發(fā)射區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)高,形成了一個P-N結(jié)。集電區(qū)(CollectorRegion):集電區(qū)位于基區(qū)的另一側(cè),通常是中度摻雜的半導(dǎo)體材料(通常是硅)。集電區(qū)的摻雜濃度比基區(qū)低,形成了另一個P-N結(jié)。這三個區(qū)域的結(jié)構(gòu)形成了兩個P-N結(jié),其中一個是發(fā)射結(jié)(EmitterJunction),另一個是集電結(jié)(CollectorJunction)。 三*管按材質(zhì)分為硅三*管和鍺三*管。深圳低頻三*管廠家

三*管的常見類型有NPN和PNP兩種。深圳晶體三*管特性

三*管在模擬電路中的應(yīng)用非常。在模擬電路中,三*管可以作為放大器、振蕩器、濾波器等電路的元件。例如,在放大器中,三*管通過對輸入信號的放大,實現(xiàn)信號的增強(qiáng)。放大器可以分為電壓放大器和功率放大器兩種。電壓放大器主要用于放大輸入信號的電壓幅度,而功率放大器則主要用于放大輸入信號的功率。在振蕩器中,三*管與電感、電容等元件組成正反饋回路,產(chǎn)生一定頻率的振蕩信號。振蕩器可以用于產(chǎn)生各種頻率的信號,如正弦波、方波等。在濾波器中,三*管可以作為有源濾波器的元件,實現(xiàn)對信號的濾波。有源濾波器可以通過調(diào)整三*管的工作點和外部元件的參數(shù),實現(xiàn)對不同頻率信號的濾波。模擬電路中的三*管通常需要工作在特定的工作點上,以保證其性能的穩(wěn)定和可靠。工作點的選擇需要考慮三*管的性能參數(shù)、電路的要求以及外部環(huán)境等因素。深圳晶體三*管特性

 

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