應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)控制系統(tǒng)：在大功率直流/交流（DC/AC）逆變后驅(qū)動(dòng)汽車(chē)電機(jī)，以及車(chē)載空調(diào)控制系統(tǒng)的小功率直流/交流（DC/AC）逆變中，使用電流較小的IGBT和FRD；在智能充電樁中，IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用。
伺服電機(jī)與變頻器：IGBT模塊廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效控制和調(diào)速。
變頻家電：在變頻空調(diào)、變頻冰箱等家電產(chǎn)品中，IGBT模塊用于實(shí)現(xiàn)電機(jī)的變頻控制，提高家電的能效和性能。
工業(yè)電力控制：在電壓調(diào)節(jié)器、直流電源、電弧爐控制器等工業(yè)電力控制系統(tǒng)中，IGBT模塊發(fā)揮著重要作用。
新能源領(lǐng)域：在太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中，IGBT逆變器用于將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能；在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中，IGBT模塊也用于電力轉(zhuǎn)換和控制。
電力傳輸和分配：在高電壓直流輸電（HVDC）系統(tǒng)的換流器和逆變器中，IGBT模塊提供高效、可靠的電力轉(zhuǎn)換。
軌道交通：在高速鐵路供電系統(tǒng)中，IGBT模塊提供高效、可靠的能量轉(zhuǎn)換和傳輸。 模塊的低電磁輻射特性，減少對(duì)周邊電子設(shè)備的干擾影響。衢州igbt模塊
電能傳輸與分配：在高壓直流輸電（HVDC）系統(tǒng)中，IGBT 模塊組成的換流器可實(shí)現(xiàn)將交流電轉(zhuǎn)換為直流電進(jìn)行遠(yuǎn)距離傳輸，然后在受電端再將直流電轉(zhuǎn)換為交流電接入當(dāng)?shù)仉娋W(wǎng)。這樣可以減少電能在傳輸過(guò)程中的損耗，提高輸電效率和可靠性。此外，在智能電網(wǎng)的分布式發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及微電網(wǎng)中，IGBT 模塊也起著關(guān)鍵的電能分配和管理作用，確保電能能夠在不同的電源和負(fù)載之間靈活、高效地傳輸。
功率放大：在一些需要高功率輸出的設(shè)備中，如音頻放大器、射頻放大器等，IGBT 模塊可以將輸入的小功率信號(hào)放大為具有足夠功率的輸出信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載工作。例如在專(zhuān)業(yè)音響系統(tǒng)中，IGBT 模塊組成的功率放大器能夠?qū)⒁纛l信號(hào)放大到足夠的功率，推動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出響亮、清晰的聲音。 湖州標(biāo)準(zhǔn)兩單元igbt模塊封裝材料具備高導(dǎo)熱性，有效分散芯片工作產(chǎn)生的熱量。
結(jié)合MOSFET和BJT優(yōu)點(diǎn)：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR（雙極功率晶體管）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。
電壓型控制：輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大。
按封裝形式：
IGBT 單管：將單個(gè) IGBT 芯片與 FRD（快速恢復(fù)二極管）芯片以分立式晶體管的形式封裝在銅框架上，封裝規(guī)模小，電流較小，適用于消費(fèi)和工業(yè)家電等對(duì)功率要求不高的場(chǎng)景。
IGBT 模塊：將多個(gè) IGBT 芯片與 FRD 芯片通過(guò)特定電路橋接而成的模塊化產(chǎn)品，具有更高的集成度和散熱穩(wěn)定性，常用于對(duì)功率要求較高的場(chǎng)合，如工業(yè)變頻器、新能源汽車(chē)等。
按內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
穿通 IGBT（PT - IGBT）：發(fā)射極接觸處具有 N + 區(qū)，包括 N + 緩沖層，也叫非對(duì)稱(chēng) IGBT，具有不對(duì)稱(chēng)的電壓阻斷能力，其特點(diǎn)是導(dǎo)通壓降較低，但關(guān)斷速度相對(duì)較慢，適用于對(duì)導(dǎo)通損耗要求較高的應(yīng)用，如低頻、大功率的變流器。
非穿通 IGBT（NPT - IGBT）：沒(méi)有額外的 N + 區(qū)域，結(jié)構(gòu)對(duì)稱(chēng)性提供了對(duì)稱(chēng)的擊穿電壓特性，關(guān)斷速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，但導(dǎo)通壓降相對(duì)較高，常用于高頻、開(kāi)關(guān)速度要求高的場(chǎng)合，如開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變器等。 模塊采用無(wú)鉛封裝工藝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，推動(dòng)綠色制造。
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊是一種由 BJT（雙極型晶體管）和 MOSFET（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。
新能源發(fā)電領(lǐng)域：
風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用場(chǎng)景：風(fēng)電變流器中，用于將發(fā)電機(jī)發(fā)出的交流電轉(zhuǎn)換為符合電網(wǎng)要求的電能。作用：實(shí)現(xiàn)能量的雙向流動(dòng)（并網(wǎng)發(fā)電和電網(wǎng)向機(jī)組供電），支持變槳控制、變頻調(diào)速等，提升風(fēng)電系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
太陽(yáng)能光伏發(fā)電應(yīng)用場(chǎng)景：光伏逆變器中，將太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電并入電網(wǎng)。作用：通過(guò) IGBT 的高頻開(kāi)關(guān)特性，實(shí)現(xiàn) MPPT（最大功率點(diǎn)跟蹤）控制，提高太陽(yáng)能利用率，并支持離網(wǎng) / 并網(wǎng)模式切換。 IGBT模塊在高壓大電流場(chǎng)景中表現(xiàn)出出色的可靠性與穩(wěn)定性。上海6-pack六單元igbt模塊
通過(guò)優(yōu)化封裝工藝，模塊散熱性能提升，延長(zhǎng)器件使用壽命。衢州igbt模塊
IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管模塊）憑借其獨(dú)特的性能，成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的重要器件。
高效能量轉(zhuǎn)換：降低損耗，提升效率
低導(dǎo)通損耗原理：IGBT模塊在導(dǎo)通狀態(tài)下，內(nèi)部電阻極低（毫歐級(jí)），電流通過(guò)時(shí)發(fā)熱少。
價(jià)值：在光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)電機(jī)控制器中，效率可達(dá)98%以上，減少能源浪費(fèi)。
低開(kāi)關(guān)損耗原理：通過(guò)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，IGBT模塊的開(kāi)關(guān)速度極快（納秒級(jí)），減少開(kāi)關(guān)瞬間的能量損耗。
價(jià)值：在高頻應(yīng)用（如電磁爐、感應(yīng)加熱）中，效率提升明顯，設(shè)備發(fā)熱更低。 衢州igbt模塊
