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EVG540鍵合機可以試用嗎

來源: 發(fā)布時間:2024-02-21

EVG®540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機,設計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,3D互連和MEMS應用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設計,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機,蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew®和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計,并結合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能,可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合。機器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室。 EMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。EVG540鍵合機可以試用嗎

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EVG®620BA自動鍵合對準系統(tǒng):用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統(tǒng),用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對準系統(tǒng)以其高度的自動化和可靠性而聞名,專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)具有ZUI高的精度,靈活性和易用性,以及模塊化升級功能,并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征:ZUI適合EVG®501,EVG®510和EVG®520是鍵合系統(tǒng)。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡?;赪indows的用戶界面。在不同晶圓尺寸和不同鍵合應用之間快速更換工具。重慶SOI鍵合機EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。

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封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術[1]。實現(xiàn)封裝的技術手段很多,其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術[2]。由于表面有微結構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,要進行復雜的拋光處理,這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率[3]。

真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標準),NH4OH和H2O2(ZUI大)。2%濃度(可選) 旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉:ZUI高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術支持同時,EVG研發(fā)生產(chǎn)的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應用的行業(yè)標準。

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EVG®810LT技術數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)通用質(zhì)量流量控制器:自校準(高達20.000sccm)真空系統(tǒng):9x10-2mbar腔室的打開/關閉:自動化腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)可選功能:卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統(tǒng)Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/Si(熱氧化)TEOS/TEOS(熱氧化)絕緣體鍺(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半導體:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。浙江鍵合機原理

EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/熔融、玻璃料、焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散、熱壓縮工藝。EVG540鍵合機可以試用嗎

EVG®301技術數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,旋轉器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉:蕞高3000rpm(5秒內(nèi))超音速噴嘴頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:30-60W去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域:?4.0mm材質(zhì):聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率:1MHz(3MHz選件)輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì):不銹鋼和藍寶石刷子材質(zhì):PVA可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)EVG540鍵合機可以試用嗎

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