FSM360拉曼光譜系統(tǒng)FSM紫外光和可見光拉曼系統(tǒng),型號360FSM拉曼的應用l局部應力；l局部化學成分l局部損傷紫外光可測試的深度優(yōu)袖的薄膜（SOI或Si-SiGe）或者厚樣的近表面局部應力可見光可測試的深度良好的厚樣以及多層樣品的局部應力系統(tǒng)測試應力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自動的200mm和300mm硅片檢查自動檢驗和聚焦的能力。以上的信息比較有限，如果您有更加詳細的技術(shù)問題，請聯(lián)系我們的技術(shù)人員為您解答?；蛘咴L問我們的官網(wǎng)了解更多信息。測量方式: 紅外干涉(非接觸式)。透明導電氧化物膜厚儀免稅價格

接觸探頭測量彎曲和難測的表面CP-1-1.3測量平面或球形樣品，結(jié)實耐用的不銹鋼單線圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，對1.5mm厚的基板可抑制96%。鋼制單線圈外加PVC涂層，蕞大可測厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直徑17.5mm。CP-C6-1.3探測直徑小至6mm的圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C12-1.3用于直徑小至12mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-C26-1.3用于直徑小至26mm圓柱形和球形樣品外側(cè)。CP-BendingRod-L350-2彎曲長度300mm，總長度350mm的接觸探頭。用于難以到達的區(qū)域，但不會自動對準表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和飲料罐頭內(nèi)壁的接觸探頭。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直徑蕞小的接觸探頭，配備微型直角反射鏡，用來測量小至直徑3mm管子的內(nèi)壁，不能自動對準表面。CP-RA-10mmHigh-2配備微型直角反射鏡，可以在相隔10mm的兩個平坦表面之間去進行測量。測厚儀膜厚儀醫(yī)療設備測量厚度: 15 — 780 μm (單探頭) ； 3 mm (雙探頭總厚度測量)。

生物醫(yī)療設備涂層應用生物醫(yī)療器械應用中的涂層生物醫(yī)療器械的制造和準備方面會用到許多類型的涂層。有些涂層是為了保護設備免受腐蝕，而其他的則是為了預防組織損傷、敢染或者是排異反應。藥物傳輸涂層也變得日益普通。其它生物醫(yī)學器械，如血管成型球囊，具有讀立的隔膜，必須具有均勻和固定的厚度才能正常工作。這些涂層厚度的測量方法各不相同，但有一件事是確定的。使用普通方法(例如，在涂層前后稱某一部分的重量)，無法檢測到會導致器械故障的涂層不完全覆蓋或涂層存在的不均勻性。

厚度測量產(chǎn)品：我們的膜厚測量產(chǎn)品可適用于各種應用。我們大部分的產(chǎn)品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網(wǎng)頁產(chǎn)品資訊或聯(lián)系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協(xié)助。單點厚度測量：一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統(tǒng)。測量1nm到13mm的單層薄膜或多層薄膜堆。大多數(shù)產(chǎn)品都有庫存而且可立即出貨。F20全世界銷量蕞hao的薄膜測量系統(tǒng)。有各種不同附件和波長覆蓋范圍。微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用您自己的顯微鏡或者用岱美儀器提供的整個系統(tǒng)。只需按下一個按鈕，您在不到一秒鐘的同時測量厚度和折射率。

電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學，半導體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – ZUI簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!重復性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭* ；0.8 μm (1 sigma)雙探頭*。透明導電氧化物膜厚儀免稅價格

產(chǎn)品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C。透明導電氧化物膜厚儀免稅價格

集成電路故障分析故障分析(FA)技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝)和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關(guān)鍵的。FilmetricsF3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統(tǒng)。厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸蕞小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。測量范例現(xiàn)在我們使用我們的F3-s1550系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度透明導電氧化物膜厚儀免稅價格