二、EVG501晶圓鍵合機特征：

   帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室

   獨特的壓力和溫度均勻性

   與EVG的機械和光學對準器兼容

   靈活的設計和研究配置

從單芯片到晶圓   

各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合）  

可選渦輪泵（<1E-5 mbar）  

可升級陽極鍵合   

開放式腔室設計，便于轉(zhuǎn)換和維護

兼容試生產(chǎn)需求：

同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本

開放式腔室設計，便于轉(zhuǎn)換和維護

蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng)：0.8㎡

程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容

以上產(chǎn)品由岱美儀器供應并提供技術(shù)支持。 EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng)，同時結(jié)合了自動光學對準和鍵合操作功能。寧夏EVG805鍵合機

在將半導體晶圓切割成子部件之前，有機會使用自動步進測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點上，以激勵，激勵和讀取相關的測試點。這是一種實用的方法，因為有缺陷的芯片不會被封裝到蕞終的組件或集成電路中，而只會在蕞終測試時被拒絕。一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復率。中國臺灣EVG320鍵合機晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站，該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設置不同的工藝。

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用質(zhì)量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar

腔室的打開/關閉：自動化

腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能：

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）

晶圓鍵合機系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。

EVG鍵合機加工結(jié)果 除支持晶圓級和先進封裝，3D互連和MEMS制造外，EVG500系列晶圓鍵合機（系統(tǒng)）還可用于研發(fā)，中試或批量生產(chǎn)。它們通過在高真空，精確控制的準確的真空，溫度或高壓條件下鍵合來滿足各種苛刻的應用。該系列擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環(huán)氧樹脂，UV和熔融鍵合。EVG500系列基于獨特的模塊化鍵合室設計，可實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。 模塊設計 各種鍵合對準（對位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC應用提供了多種優(yōu)勢。使用直接（實時）或間接對準方法可以支持大量不同的對準技術(shù)。EVG鍵合機可配置為黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮工藝。中國臺灣EVG320鍵合機

烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。寧夏EVG805鍵合機

ZiptronixInc.與EVGroup（簡稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現(xiàn)亞微米鍵合后對準精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機和SmartViewNT鍵合對準機上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當?shù)膶屎筒季止ぞ?，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設備經(jīng)過優(yōu)化后實現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?！睂幭腅VG805鍵合機