F50 系列

包含的內容：集成光譜儀/光源裝置光纖電纜4", 6" and 200mm 參考晶圓TS-SiO2-4-7200 厚度標準BK7 參考材料整平濾波器 (用于高反射基板)真空泵備用燈

型號 厚度范圍*波長范圍

F50：20nm-70μm 380-1050nm

F50-UV：5nm-40μm 190-1100nm

F50-NIR：100nm-250μm 950-1700nm

F50-EXR：20nm-250μm 380-1700nm

F50-UVX：5nm-250μm 190-1700nm

F50-XT：0.2μm-450μm 1440-1690nm

F50-s980：4μm-1mm 960-1000nm

F50-s1310：7μm-2mm 1280-1340nm

F50-s1550：10μm-3mm 1520-1580nm

額外的好處：每臺系統(tǒng)內建超過130種材料庫, 隨著不同應用更超過數(shù)百種應用工程師可立刻提供幫助（周一 - 周五）網上的 “手把手” 支持 (需要連接互聯(lián)網)硬件升級計劃 可測量的層數(shù): 通常能夠測量薄膜堆內的三層獨立薄膜。 在某些情況下，能夠測量到十幾層。膜厚測量儀膜厚儀應用

    光纖紫外線、可見光譜和近紅外備用光纖。接觸探頭是相當堅固的，但是光纖不能經常被抽屜碰撞或者被椅子壓過。該套件包括指令，以及簡單的維修工具，新的和舊風格的探頭。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米長，直徑200um的光纖，兩端配備SMA接頭。米長，分叉反射探頭。

通用附件攜帶箱等。手提電腦手提電腦預裝FILMeasure軟件、XP和Microsoft辦公軟件。

電腦提箱用于攜帶F10、F20、F30和F40系統(tǒng)的提箱。ConflatFeedthrough真空穿通，"conflat、雙出入孔SMA，并通過泄漏測試。LensPaper-CenterHole中央開孔鏡頭紙，用于保護面朝下的樣品，5本各100張。 聯(lián)電膜厚儀報價F30測厚范圍：15nm-70μm；波長：380-1050nm。

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。

故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統(tǒng)。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸最小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。

測量范例現(xiàn)在我們使用我們的 F3-s1550 系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度

參考材料

備用 BK7 和二氧化硅參考材料。

BG-Microscope顯微鏡系統(tǒng)內取背景反射的小型抗反光鏡

BG-F10-RT平臺系統(tǒng)內獲取背景反射的抗反光鏡

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率鋁基準

REF-BK71?" x 1?" BK7 反射基準。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未經處理的石英，用于雙界面基準。

REF-Si-22" 單晶硅晶圓

REF-Si-44" 單晶硅晶圓

REF-Si-66" 單晶硅晶圓

REF-Si-88" 單晶硅晶圓

REF-SS3-Al專為SS-3樣品平臺設計之鋁反射率基準片

REF-SS3-BK7專為SS-3樣品平臺設計之BK7玻璃反射率基準片

REF-SS3-Si專為SS-3樣品平臺設計之硅反射率基準片 Filmetrics F60-t 系列就像我們的 F50產品一樣測繪薄膜厚度和折射率，但它增加了許多用于生產環(huán)境的功能。

F50 系列自動化薄膜測繪Filmetrics F50 系列的產品能以每秒測繪兩個點的速度快速的測繪薄膜厚度。一個電動R-Theta 平臺可接受標準和客制化夾盤，樣品直徑可達450毫米。(耐用的平臺在我們的量產系統(tǒng)能夠執(zhí)行數(shù)百萬次的量測!)

測繪圖案可以是極座標、矩形或線性的，您也可以創(chuàng)造自己的測繪方法，并且不受測量點數(shù)量的限制。內建數(shù)十種預定義的測繪圖案。

不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區(qū)分的。 標準的 F50是很受歡迎的產品。 一般較短的波長 (例如， F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜，而較長的波長則可以用來測量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 F20-XT膜厚范圍：0.2μm - 450μm；波長：1440-1690nm。硬涂層膜厚儀實際價格

F10-AR在用戶定義的任何波長范圍內都能進行最 低、最 高和平均反射測試。膜厚測量儀膜厚儀應用

    光刻膠）polyerlayers（高分子聚合物層）polymide（聚酰亞胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底實例：對于厚度測量，大多數(shù)情況下所要求的只是一塊光滑、反射的基底。對于光學常數(shù)測量，需要一塊平整的鏡面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要進行處理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（鋁）gaas（砷化鎵）steel（鋼）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）應用半導體制造液晶顯示器光學鍍膜photoresist光刻膠oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶間隙polyimide聚酰亞胺ito納米銦錫金屬氧化物hardnesscoatings硬鍍膜anti-reflectioncoatings增透鍍膜filters濾光f20使用**仿真活動來分析光譜反射率數(shù)據。標準配置和規(guī)格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只測試厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm測試厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波長范圍200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm準確度大于％或2nm精度1A2A1A穩(wěn)定性光斑大小20μm至可選樣品大小1mm至300mm及更大探測器類型1250-元素硅陣列512-元素砷化銦鎵1000-元素硅&512-砷化銦鎵陣列光源鎢鹵素燈。膜厚測量儀膜厚儀應用

岱美儀器技術服務（上海）有限公司總部位于中國(上海)自由貿易試驗區(qū)加太路39號第五層六十五部位，是一家磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】磁記錄、半導體、光通訊生產及測試儀器的批發(fā)、進出口、傭金代理（拍賣除外）及其相關配套服務，國際貿易、轉口貿易，商務信息咨詢服務。 【依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動】的公司。岱美儀器技術服務擁有一支經驗豐富、技術創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團隊，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發(fā)。岱美儀器技術服務致力于把技術上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。岱美儀器技術服務始終關注儀器儀表市場，以敏銳的市場洞察力，實現(xiàn)與客戶的成長共贏。