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陜西臨時鍵合鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2020-07-03

      晶圓級封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程??s短的制造周期時間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。

      晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣 泛的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。

      岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),可以實(shí)現(xiàn)晶圓級封裝的功能。 除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級和先進(jìn)封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機(jī)還可用于研發(fā),中試和批量生產(chǎn)。陜西臨時鍵合鍵合機(jī)

鍵合機(jī)特征 高真空,對準(zhǔn),共價鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對面對準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達(dá)六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術(shù)數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個,蕞/大6個 加載:手動,卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準(zhǔn)模塊(VAM) 晶圓直徑 高達(dá)200毫米圖像傳感器鍵合機(jī)供應(yīng)商家EVG的 GEMINI系列,在醉小占地面積上,一樣利用EVG 醉高精度的Smart View NT對準(zhǔn)技術(shù)。

封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這大 大加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸)

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體:2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體(N2和O2)

通用質(zhì)量流量控制器:自校準(zhǔn)(高達(dá)20.000sccm)

真空系統(tǒng):9x10-2mbar

腔室的打開/關(guān)閉:自動化

腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)



可選功能:

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力



符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)

Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/

Si(熱氧化)

TEOS/TEOS(熱氧化)

絕緣體鍺(GeOI)的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃

化合物半導(dǎo)體:GaAs,GaP,InP

聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根據(jù)要求提供完整列表)



EVG的各種鍵合對準(zhǔn)(對位)系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢。

EVG?501是晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) 應(yīng)用:適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng) EVG501技術(shù)數(shù)據(jù): EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理從單個芯片(碎片)到150mm(200mm鍵合室為200mm)的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性是大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)的理想選擇。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計相同,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。美元價格鍵合機(jī)保修期多久

對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。陜西臨時鍵合鍵合機(jī)

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,工藝日漸成熟,但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,環(huán)境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時,金層發(fā)生流動、互 融,從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 陜西臨時鍵合鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司主要經(jīng)營范圍是儀器儀表,擁有一支專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊和良好的市場口碑。公司業(yè)務(wù)分為磁記錄,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),測試儀器的批發(fā)等,目前不斷進(jìn)行創(chuàng)新和服務(wù)改進(jìn),為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。公司從事儀器儀表多年,有著創(chuàng)新的設(shè)計、強(qiáng)大的技術(shù),還有一批獨(dú)立的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實(shí)”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點(diǎn)競爭力。

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