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嘉興晶圓切割廠

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-06

UV膜殘膠導(dǎo)致芯片貼裝失效。中清航科研發(fā)酶解清洗液,在50℃下選擇性分解膠層分子鏈,30秒清理99.9%殘膠且不損傷鋁焊盤,替代高污染溶劑清洗。針對(duì)3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu),中清航科采用紅外視覺穿透定位+自適應(yīng)焦距激光,實(shí)現(xiàn)128層晶圓的同步切割。垂直對(duì)齊精度±1.2μm,層間偏移誤差<0.3μm。中清航科綠色方案整合電絮凝+反滲透技術(shù),將切割廢水中的硅粉、金屬離子分離回收,凈化水重復(fù)利用率達(dá)98%,符合半導(dǎo)體廠零液體排放(ZLD)標(biāo)準(zhǔn)。


8小時(shí)連續(xù)切割驗(yàn)證:中清航科設(shè)備溫度波動(dòng)≤±0.5℃。嘉興晶圓切割廠

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大規(guī)模量產(chǎn)場(chǎng)景中,晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動(dòng)切割生產(chǎn)線,集成自動(dòng)上下料、在線檢測(cè)與 NG 品分揀功能,單臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理 30 片 12 英寸晶圓,且通過工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控,設(shè)備綜合效率(OEE)提升至 90% 以上,明顯降低人工干預(yù)帶來的質(zhì)量波動(dòng)。隨著芯片集成度不斷提高,晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展,目前主流晶圓厚度已降至 50-100μm,切割過程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù),通過局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性,配合特制真空吸附平臺(tái),確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于 20μm,為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障?;窗采榛壘A切割劃片廠切割粉塵在線監(jiān)測(cè)中清航科傳感器精度達(dá)0.01μm顆粒物檢測(cè)。

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中清航科在切割頭集成聲波傳感器,通過頻譜分析實(shí)時(shí)識(shí)別崩邊、裂紋等缺陷(靈敏度1μm)。異常事件觸發(fā)自動(dòng)停機(jī),避免批量損失,每年減少廢片成本$2.5M。為提升CIS有效感光面積,中清航科將切割道壓縮至8μm:激光隱形切割(SD)配合智能擴(kuò)膜系統(tǒng),崩邊<3μm,使1/1.28英寸傳感器邊框縮減40%,暗電流降低至0.12nA/cm2。中清航科金剛石刀片再生技術(shù):通過等離子體刻蝕去除表層磨損層,重新鍍覆納米金剛石顆粒。再生刀片壽命達(dá)新品90%,成本降低65%,已服務(wù)全球1200家客戶。


在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化替代的浪潮中,中清航科始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新,中心技術(shù) 100% 自主可控。其晶圓切割設(shè)備的關(guān)鍵部件如激光發(fā)生器、精密導(dǎo)軌、控制系統(tǒng)等均實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化量產(chǎn),不僅擺脫對(duì)進(jìn)口部件的依賴,還將設(shè)備交付周期縮短至 8 周以內(nèi),較進(jìn)口設(shè)備縮短 50%,為客戶搶占市場(chǎng)先機(jī)提供有力支持。展望未來,隨著 3nm 及更先進(jìn)制程的突破,晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動(dòng)下一代原子級(jí)精度切割技術(shù)的研發(fā),計(jì)劃通過量子點(diǎn)標(biāo)記與納米操控技術(shù),實(shí)現(xiàn) 10nm 以下的切割精度,同時(shí)布局晶圓 - 封裝一體化工藝,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術(shù)解決方案,與全球客戶共同邁向更微觀的制造領(lǐng)域。12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產(chǎn)能瓶頸,良率99.3%。

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面對(duì)全球半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)鏈的不確定性,中清航科構(gòu)建了多元化的供應(yīng)鏈體系。與國內(nèi) 200 余家質(zhì)優(yōu)供應(yīng)商建立長(zhǎng)期合作關(guān)系,關(guān)鍵部件實(shí)現(xiàn)多源供應(yīng),同時(shí)在各地建立備件中心,儲(chǔ)備充足的易損件與中心部件,確保設(shè)備維修與升級(jí)時(shí)的備件及時(shí)供應(yīng),縮短設(shè)備停機(jī)時(shí)間。晶圓切割設(shè)備的能耗成本在長(zhǎng)期運(yùn)行中占比較大,中清航科通過能效優(yōu)化設(shè)計(jì),使設(shè)備的單位能耗降低至 0.5kWh / 片(12 英寸晶圓),較行業(yè)平均水平降低 35%。采用智能休眠技術(shù),設(shè)備閑置時(shí)自動(dòng)進(jìn)入低功耗模式,進(jìn)一步節(jié)約能源消耗,為客戶降低長(zhǎng)期運(yùn)營成本。中清航科等離子切割技術(shù)處理氮化鎵晶圓,熱影響區(qū)減少60%。浙江碳化硅晶圓切割劃片

切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā),復(fù)雜芯片布局切割時(shí)間縮短35%。嘉興晶圓切割廠

在晶圓切割的批量一致性控制方面,中清航科采用統(tǒng)計(jì)過程控制(SPC)技術(shù)。設(shè)備實(shí)時(shí)采集每片晶圓的切割尺寸數(shù)據(jù),通過 SPC 軟件進(jìn)行分析,繪制控制圖,及時(shí)發(fā)現(xiàn)過程中的異常波動(dòng),并自動(dòng)調(diào)整相關(guān)參數(shù),使切割尺寸的標(biāo)準(zhǔn)差控制在 1μm 以內(nèi),確保批量產(chǎn)品的一致性。針對(duì)薄晶圓切割后的搬運(yùn)難題,中清航科開發(fā)了無損搬運(yùn)系統(tǒng)。采用特制的真空吸盤與輕柔的取放機(jī)構(gòu),配合視覺引導(dǎo),實(shí)現(xiàn)薄晶圓的平穩(wěn)搬運(yùn),避免搬運(yùn)過程中的彎曲與破損。該系統(tǒng)可集成到切割設(shè)備中,也可作為單獨(dú)模塊與其他設(shè)備對(duì)接,提高薄晶圓的處理能力。嘉興晶圓切割廠

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