在光電效應中，要釋放光電子顯然需要有足夠的能量。根據經典電磁理論，光是電磁波，電磁波的能量決定于它的強度，即只與電磁波的振幅有關，而與電磁波的頻率無關。而實驗規(guī)律中的較早、第二兩點顯然用經典理論無法解釋。第三條也不能解釋，因為根據經典理論，對很弱的光要想使電子獲得足夠的能量逸出，必須有一個能量積累的過程而不可能瞬時產生光電子。光電效應里，電子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金屬表面射出，與光照方向無關，光是電磁波，但是光是高頻震蕩的正交電磁場，振幅很小，不會對電子射出方向產生影響。所有這些實際上已經曝露出了經典理論的缺陷，要想解釋光電效應必須突破經典理論在測量軟件WAVE的FFT圖中，實時顯示位移數據，可快速簡便地進行頻譜分析，以識別共振頻率。佛山激光干涉儀位移

體型半導體應變片這種半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導體應變片可分為6種。①普通型：它適合于一般應力測量；②溫度自動補償型：它能使溫度引起的導致應變電阻變化的各種因素自動抵消，只適用于特定的試件材料；③靈敏度補償型：通過選擇適當的襯底材料（例如不銹鋼），并采用穩(wěn)流電路，使溫度引起的靈敏度變化極小；④高輸出（高電阻）型：它的阻值很高（2～10千歐）,可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓，因而可不經放大而直接接入指示儀表。⑤超線性型：它在比較寬的應力范圍內，呈現較寬的應變線性區(qū)域，適用于大應變范圍的場合；⑥P-N組合溫度補償型：它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂，從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。 東莞三維輪廓激光干涉儀角度和迴轉測量，檢測軸承間隙。

被光束照射到的電子會吸收光子的能量，但是其中機制遵照的是一種非全有即全無的判據，光子所有能量都必須被吸收，用來克服逸出功，否則這能量會被釋出。假若電子所吸收的能量能夠克服逸出功，并且還有剩余能量，則這剩余能量會成為電子在被發(fā)射后的動能。逸出功W是從金屬表面發(fā)射出一個光電子所需要的較小能量。如果轉換到頻率的角度來看，光子的頻率必須大于金屬特征的極限頻率，才能給予電子足夠的能量克服逸出功。逸出功與極限頻率之間的關系為其中，h是普朗克常數，W是光頻率為的光子的能量?？朔莩龉χ螅怆娮拥谋容^大動能為其中，hv是光頻率為v的光子所帶有并且被電子吸收的能量。實際物理要求動能必須是正值，因此，光頻率必須大于或等于極限頻率，光電效應才能發(fā)生。           

電測量指示儀表的分類可分為：

（1）按相別分：單相、三相三線、三相四線等。

（2）按功能及用途分：有功電表、無功電表、比較大需量表、復費率電表、多功能電表、銅損表、鐵損表等。（3）按工作原理分：感應式、電子式、機電式等。電力系統(tǒng)各類電表的技術要求

（1）接入中注點絕緣系統(tǒng)的電能計量裝置，應采用三相三線有功、無功電表。接入非中性點絕緣系統(tǒng)的電能計量裝置，應采用三相四線有功、無功電表或3只感應式無止逆單相電表。

（2）接入中性點絕緣系統(tǒng)的3臺電壓互感器，35kV及以上的宜采用Y/y方式接線；35kV以下的宜采用V/V方式接線。接入非中性點絕緣系統(tǒng)的3臺電壓互感器，宜采用Y0/y0方式接線。其一次側接地方式和系統(tǒng)接地方式相一致。

（3）低壓供電，負荷電流為50A及以下時，宜采用直接接入式電表；負荷電流為50A以上時，宜采用經電流互感器接入式的接線方式。

（4）對三相三線制接線的電能計量裝置，其2臺電流互感器二次繞組與電表之間宜采用四線連接。對三相四線制連接的電能計量裝置，其3臺電流互感器二次繞組與電表之間宜采用六線連接。 規(guī)定電動機的振動小于100nm。

體型半導體應變片這種半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。體型半導體應變片可分為6種。①普通型：它適合于一般應力測量；②溫度自動補償型：它能使溫度引起的導致應變電阻變化的各種因素自動抵消，只適用于特定的試件材料；③靈敏度補償型：通過選擇適當的襯底材料（例如不銹鋼），并采用穩(wěn)流電路，使溫度引起的靈敏度變化極小；④高輸出（高電阻）型：它的阻值很高（2～10千歐）,可接成電橋以高電壓供電而獲得高輸出電壓，因而可不經放大而直接接入指示儀表。⑤超線性型：它在比較寬的應力范圍內，呈現較寬的應變線性區(qū)域，適用于大應變范圍的場合；⑥P-N組合溫度補償型：它選用配對的P型和N型兩種轉換元件作為電橋的相鄰兩臂，從而使溫度特性和非線性特性有較大改善。        干涉位移傳感器和低溫顯微鏡系統(tǒng)及低溫恒溫器。上海翹曲度激光干涉儀

能夠測量液體的表面運動，開啟了在各科學和工業(yè)領域實現獨特應用的可能性。佛山激光干涉儀位移

擴散型半導體應變片這種應變片是將P型雜質擴散到一個高電阻N型硅基底上，形成一層極薄的P型導電層，然后用超聲波或熱壓焊法焊接引線而制成（圖2）。它的優(yōu)點是穩(wěn)定性好，機械滯后和蠕變小，電阻溫度系數也比一般體型半導體應變片小一個數量級。缺點是由于存在P-N結，當溫度升高時，絕緣電阻大為下降。半導體應變片是將單晶硅錠切片、研磨、腐蝕壓焊引線，結尾粘貼在鋅酚醛樹脂或聚酰亞胺的襯底上制成的。是一種利用半導體單晶硅的壓阻效應制成的一種敏感元件。新型固態(tài)壓阻式傳感器中的敏感元件硅梁和硅杯等就是用擴散法制成的。佛山激光干涉儀位移