碳化硅具有兩種晶型，β-型是立方體，α＝0.4350納米特硬。綠色至藍黑色。介電常數7。硬度9莫斯。A-是半導體。遷移率（300K），平方厘米/（VS），400電子和50空穴，譜帶間隙eV，303（0開）和2.996（300開）；有效質量0.60電子和1.00空穴，電導性，耐高溫氧化性能。相對密度3.16。熔點2830℃。導熱系數（500℃）22.5、（1000℃）23.7瓦特（平方米·開）。熱膨脹系數：線性至100℃：5.2×10-6/℃，不溶于水、醇；溶于熔融堿金屬氫氧化物。通常碳化硅在切割加工過程中，由于機械力作用，導致碳化硅微粒的球形系數、粒徑和粒徑分布發(fā)生變化；另外，切割液使用過程中，多晶硅被切割的粉末和其它機械雜質混于其中，形成混合性切割加工副產物。切割用碳化硅微粒要求很高的純度以及一定的球形系數，合適的粒徑分布。所以，硅片切割加工副產物不能直接回用于生產過程。碳化硅作為重要的材料，由于生產過程復雜，消耗大量的能源，價格高，所以，人們一直致力于從硅片切割加工副產物中提取高純度、符合硅片切割加工工藝要求的碳化硅微粉。使得太陽能的利用率較低。多晶碎硅片回收

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