電容器電容器通常簡稱其為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路， 能量轉換，控制電路等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體（包括導線）間都構成一個電容器。云母電容器/鋁電解電容器真空電容器/漆電容器復合介質電容器/玻璃釉電容器有機薄膜電容器/導電塑料電位器紅外熱敏電阻/氣敏電阻器陶瓷電容器/鉭電容器紙介電容器/ 電子電位器磁敏電阻電位器/濕敏電阻器電子元器件光敏電阻電位器/固定電阻器無錫微原，用先進工藝制造出高性能的電子元器件。淮安電子元器件性能

     在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化，預計到2004年開始商業(yè)應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz，還在向12.5GHz努力，使得商用系統(tǒng)的總通道數(shù)現(xiàn)為160~240個，實驗室中比較高達到1022個。為得到更大容量，有時不得不在上述兩者之間折衷考慮，同時還要采取抑制光纖中色散、非線性效應的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題，而且**終還必須考慮低成本的問題，這使得新原理、新結構和新功能的器件不斷涌現(xiàn)。自動化電子元器件扣件無錫微原電子，以創(chuàng)新驅動電子元器件技術革新。

自20世紀50年代提出集成電路的設想后，由于材料技術、器件技術和電路設計等綜合技術的進步，在20世紀60年代研制成功了***代集成電路。在半導體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時代的意義：它的誕生和發(fā)展推動了銅芯技術和計算機的進步，使科學研究的各個領域以及工業(yè)社會的結構發(fā)生了歷史性變革。憑借優(yōu)越的科學技術所發(fā)明的集成電路使研究者有了更先進的工具，進而產生了許多更為先進的技術。這些先進的技術有進一步促使更高性能、更廉價的集成電路的出現(xiàn)。對電子器件來說，體積越小，集成度越高；響應時間越短，計算處理的速度就越快；傳送頻率就越高，傳送的信息量就越大。半導體工業(yè)和半導體技術被稱為現(xiàn)代工業(yè)的基礎，同時也已經發(fā)展稱為一個相對**的高科技產業(yè)。

    電子元器件是電子元件和小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構成，可以在同類產品中通用；常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件，是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。電子元器件包括：電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝**材料、電子膠（帶）制品、電子化學材料及部品等。

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檢測10pF～0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進而判斷其好壞。萬用表選用R×1k擋。兩只三極管的β值均為100以上，且穿透電流要選用3DG6等型號硅三極管組成復合管。萬用表的紅和黑表筆分別與復合管的發(fā)射極e和集電極c相接。由于復合三極管的放大作用，把被測電容的充放電過程予以放大，使萬用表指針擺幅度加大，從而便于觀察。應注意的是：在測試操作時，特別是在測較小容量的電容時，要反復調換被測電容引腳接觸A、B兩點，才能明顯地看到萬用表指針的擺動。C 對于0.01μF以上的固定電容，可用萬用表的R×10k擋直接測試電容器有無充電過程以及有無內部短路或漏電，并可根據(jù)指針向右擺動的幅度大小估計出電容器的容量。無錫微原科技，打造環(huán)保節(jié)能的電子元器件產品。玄武區(qū)哪里有電子元器件

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估測溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測出電阻值RT2，同時用溫度計測出此時熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進行計算。7 壓敏電阻的檢測。用萬用表的R×1k擋測量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無窮大，否則，說明漏電流大。若所測電阻很小，說明壓敏電阻已損壞，不能使用。8 光敏電阻的檢測。A 用一黑紙片將光敏電阻的透光窗口遮住，此時萬用表的指針基本保持不動，阻值接近無窮大。此值越大說明光敏電阻性能越好。若此值很小或接近為零，說明光敏電阻已燒穿損壞，不能再繼續(xù)使用?；窗搽娮釉骷阅?/p>

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