光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉(zhuǎn)換成電信號，然后經(jīng)過放大器將電信號放大，從而達(dá)到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外，光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微弱的光信號，可以用雪崩光電二極管來探測。它是把一個PN結(jié)偏置在接近雪崩的偏壓下，微弱光信號所激發(fā)的少量載流子通過接近雪崩的強(qiáng)場區(qū)，由于碰撞電離而數(shù)量倍增，因而得到一個較大的電信號。除了光電探測器外，還有與它類似的用半導(dǎo)體制成的粒子探測器。

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本征半導(dǎo)體：不含雜質(zhì)且無晶格缺陷的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。在極低溫度下，半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導(dǎo)帶，價(jià)帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴?？昭▽?dǎo)電并不是實(shí)際運(yùn)動，而是一種等效。電子導(dǎo)電時等電量的空穴會沿其反方向運(yùn)動。它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。

這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。

在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達(dá)到動態(tài)平衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。 崇明區(qū)哪些是半導(dǎo)體器件無錫微原電子科技，半導(dǎo)體器件行業(yè)的創(chuàng)新英雄，書寫輝煌篇章！

       這一切背后的動力都是半導(dǎo)體芯片。如果按照舊有方式將晶體管、電阻和電容分別安裝在電路板上，那么不僅個人電腦和移動通信不會出現(xiàn)，連基因組研究、計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和制造等新科技更不可能問世。有關(guān)**指出,摩爾法則已不僅*是針對芯片技術(shù)的法則;不久的將來，它有可能擴(kuò)展到無線技術(shù)、光學(xué)技術(shù)、傳感器技術(shù)等領(lǐng)域，成為人們在未知領(lǐng)域探索和創(chuàng)新的指導(dǎo)思想。

       毫無疑問，摩爾法則對整個世界意義深遠(yuǎn)。不過，隨著晶體管電路逐漸接近性能極限，這一法則將會走到盡頭。摩爾法則何時失效？**們對此眾說紛紜。早在1995年在芝加哥舉行信息技術(shù)國際研討會上，美國科學(xué)家和工程師杰克·基爾比表示，5納米處理器的出現(xiàn)或?qū)⒔K結(jié)摩爾法則。中國科學(xué)家和未來學(xué)家周海中在此次研討會上預(yù)言，由于納米技術(shù)的快速發(fā)展，30年后摩爾法則很可能就會失效。2012年，日裔美籍理論物理學(xué)家加來道雄在接受智囊網(wǎng)站采訪時稱，“在10年左右的時間內(nèi)，我們將看到摩爾法則崩潰?！鼻安痪茫柋救苏J(rèn)為這一法則到2020年的時候就會黯然失色。一些**指出，即使摩爾法則壽終正寢，信息技術(shù)前進(jìn)的步伐也不會變慢

          把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當(dāng)前發(fā)展計(jì)算機(jī)所必需的基礎(chǔ)電子器件。許多工業(yè)先進(jìn)國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長。每個芯片上集成256千位的MOS隨機(jī)存儲器已研制成功，正在向1兆位 MOS隨機(jī)存儲器探索。有機(jī)會去貴司進(jìn)行參觀學(xué)習(xí)。

將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導(dǎo)體會生長。通過這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN），制作了一個晶體管。

端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細(xì)加工和應(yīng)用照相技術(shù)排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點(diǎn)，發(fā)明了單片集成電路。

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        這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復(fù)合。復(fù)合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合同時存在并達(dá)到動態(tài)平衡，此時半導(dǎo)體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時，將產(chǎn)生更多的電子-空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無晶格缺陷的純凈半導(dǎo)體的電阻率較大，實(shí)際應(yīng)用不多。

     半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明應(yīng)用、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域應(yīng)用。光伏應(yīng)用半導(dǎo)體材料光生伏***應(yīng)是太陽能電池運(yùn)行的基本原理。現(xiàn)階段半導(dǎo)體材料的光伏應(yīng)用已經(jīng)成為一大熱門，是目前世界上增長**快、發(fā)展比較好的清潔能源市場。太陽能電池的主要制作材料是半導(dǎo)體材料，判斷太陽能電池的優(yōu)劣主要的標(biāo)準(zhǔn)是光電轉(zhuǎn)化率，光電轉(zhuǎn)化率越高，說明太陽能電池的工作效率越高。根據(jù)應(yīng)用的半導(dǎo)體材料的不同，太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。

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