從標(biāo)準(zhǔn)化到定制化:非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備的發(fā)展路徑
鋰電池自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)線的發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)創(chuàng)新
鋰電池后段智能制造設(shè)備的環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展
未來鋰電池產(chǎn)業(yè)的趨勢(shì):非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備的作用與影響
非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備的比較:哪個(gè)更適合您的業(yè)務(wù)
非標(biāo)鋰電池自動(dòng)化設(shè)備投資回報(bào)分析:特殊定制的成本效益
鋰電池處理設(shè)備生產(chǎn)線的維護(hù)與管理:保障長期穩(wěn)定運(yùn)行
鋰電池處理設(shè)備生產(chǎn)線的市場(chǎng)前景:投資分析與預(yù)測(cè)
新能源鋰電設(shè)備的安全標(biāo)準(zhǔn):保障生產(chǎn)安全的新要求
新能源鋰電設(shè)備自動(dòng)化:提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品一致性
因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換,CMOS設(shè)備比雙極型組件(如雙極性晶體管)消耗的電流少很多。透過電路的設(shè)計(jì),將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上,就可以畫出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是**常見類型的集成電路,所以密度比較高的設(shè)備是存儲(chǔ)器,但即使是微處理器上也有存儲(chǔ)器。盡管結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜-幾十年來芯片寬度一直減少-但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層,因?yàn)樗麄兲罅?。高頻光子(通常是紫外線)被用來創(chuàng)造每層的圖案。因?yàn)槊總€(gè)特征都非常小,對(duì)于一個(gè)正在調(diào)試制造過程的過程工程師來說,電子顯微鏡是必要工具。| 無錫微原電子科技,推動(dòng)集成電路芯片行業(yè)發(fā)展。北京集成電路芯片技術(shù)
作用不同芯片可以封裝更多的電路。這樣增加了每單位面積容量,可以降低成本和增加功能,見摩爾定律,集成電路中的晶體管數(shù)量,每1.5年增加一倍。集成電路所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個(gè)整體,使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進(jìn)了一大步。IC可以在一塊豌豆大小的材料上包含數(shù)十萬個(gè)單獨(dú)的晶體管。使用那么多的真空管會(huì)不切實(shí)際地笨拙且昂貴。集成電路的發(fā)明使信息時(shí)代的技術(shù)變得可行。IC現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于各行各業(yè),從汽車到烤面包機(jī)再到游樂園游樂設(shè)施。集成電路幾乎用于所有電子設(shè)備,并徹底改變了電子世界。現(xiàn)代計(jì)算機(jī)處理器和微控制器等IC的小尺寸和低成本使計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和其他數(shù)字家用電器成為現(xiàn)代社會(huì)結(jié)構(gòu)中不可分割的部分。玄武區(qū)通用集成電路芯片| 無錫微原電子科技,用專業(yè)的態(tài)度對(duì)待每一顆芯片。
***個(gè)集成電路雛形是由杰克·基爾比于1958年完成的,其中包括一個(gè)雙極性晶體管,三個(gè)電阻和一個(gè)電容器。根據(jù)一個(gè)芯片上集成的微電子器件的數(shù)量,集成電路可以分為以下幾類:小型集成電路(SSI英文全名為Small Scale Integration)邏輯門10個(gè)以下或晶體管100個(gè)以下。中型集成電路(MSI英文全名為Medium Scale Integration)邏輯門11~100個(gè)或 晶體管101~1k個(gè)。大規(guī)模集成電路(LSI英文全名為Large Scale Integration)邏輯門101~1k個(gè)或 晶體管1,001~10k個(gè)。超大規(guī)模集成電路(VLSI英文全名為Very large scale integration)邏輯門1,001~10k個(gè)或 晶體管10,001~100k個(gè)。極大規(guī)模集成電路(ULSI英文全名為Ultra Large Scale Integration)邏輯門10,001~1M個(gè)或 晶體管100,001~10M個(gè)。GLSI(英文全名為Giga Scale Integration)邏輯門1,000,001個(gè)以上或晶體管10,000,001個(gè)以上。
集成電路技術(shù)的進(jìn)步,主要是更小的特征和更大的芯片,使得集成電路中晶體管的數(shù)量每兩年翻一番,這種趨勢(shì)被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說,隨著特征尺寸的縮小,集成電路操作的幾乎每個(gè)方面都得到改善。每個(gè)晶體管的成本和每個(gè)晶體管的開關(guān)功耗下降,而存儲(chǔ)容量和速度上升,這是通過丹納德標(biāo)度定義的關(guān)系實(shí)現(xiàn)的。 因?yàn)樗俣取⑷萘亢凸牡奶岣邔?duì)**終用戶來說是顯而易見的,所以制造商之間在使用更精細(xì)的幾何結(jié)構(gòu)方面存在激烈的競(jìng)爭(zhēng)。多年來,晶體管尺寸已經(jīng)從 20 世紀(jì) 70 年代早期的 10 微米減小到 2017 年的 10 納米[20]每單位面積的晶體管數(shù)量相應(yīng)地增加了百萬倍。截至 2016 年,典型的芯片面積從幾平方毫米到大約 600 平方毫米,高達(dá) 2500 萬晶體管每平方毫米。| 無錫微原電子科技,以誠信為本推廣芯片技術(shù)。
關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片),每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后,組件可以集成并連線到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望,是由杰克·基爾比向美國陸軍提出的,并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類似于 1951 年的 Tinkertoy 項(xiàng)目)。[8][9][10]然而,隨著項(xiàng)目勢(shì)頭越來越猛,基爾比提出了一個(gè)新的**性設(shè)計(jì): 集成電路。
1958年7月,德州儀器新雇傭的基爾比記錄了他關(guān)于集成電路的**初想法,并于1958年9月12日成功演示了***個(gè)可工作的集成示例。[11]1959年2月6日,在他的專利申請(qǐng)中,[12]Kilby將他的新設(shè)備描述為“一種半導(dǎo)體材料……其中所有電子電路的組件都是完全集成的?!盵13]這項(xiàng)新發(fā)明的***個(gè)客戶是美國空軍。[14]基爾比贏得了2000年的冠物理諾貝爾獎(jiǎng),為了表彰他在集成電路發(fā)明中的貢獻(xiàn)。[15]2009年,他的工作被命名為IEEE里程碑。 | 無錫微原電子科技,用技術(shù)服務(wù)全球客戶群體。虹口區(qū)集成電路芯片發(fā)展現(xiàn)狀
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基爾比之后半年,仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路,比基爾比的更實(shí)用。諾伊斯的設(shè)計(jì)由硅制成,而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié),這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個(gè)晶體管**工作,盡管它們是同一片硅的一部分。仙童半導(dǎo)體公司也是***個(gè)擁有自對(duì)齊柵極的硅柵集成電路技術(shù)的公司,這是所有現(xiàn)代CMOS集成電路的基礎(chǔ)。這項(xiàng)技術(shù)是由意大利物理學(xué)家FedericoFaggin在1968年發(fā)明的。1970年,他加入了英特爾,發(fā)明了***個(gè)單芯片中央處理單元(CPU)微處理器——英特爾4004,他因此在2010年得到了國家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)隆?004是由Busicom的嶋正利和英特爾的泰德·霍夫設(shè)計(jì)的,但正是Faggin在1970年改進(jìn)的設(shè)計(jì)使其成為現(xiàn)實(shí)。北京集成電路芯片技術(shù)
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