英飛凌CoolSiC?系列SiC肖特基二極管模塊是第三代半導(dǎo)體的技術(shù)***，具有零反向恢復(fù)電荷（Qrr）、正溫度系數(shù)和超高結(jié)溫（175℃）等優(yōu)勢(shì)。其獨(dú)特的溝槽柵結(jié)構(gòu)使1200V模塊的比導(dǎo)通電阻低至2.5mΩ·cm2，開(kāi)關(guān)損耗較硅基模塊降低70%。在光伏逆變器應(yīng)用中，實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，采用CoolSiC?模塊的系統(tǒng)效率提升1.5個(gè)百分點(diǎn)，年發(fā)電量增加約2000kWh。此外，該模塊通過(guò)了嚴(yán)苛的1000次-55℃~175℃溫度循環(huán)測(cè)試，可靠性遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為新能源和工業(yè)高功率應(yīng)用的**產(chǎn)品。英飛凌二極管模塊集成快速恢復(fù)二極管，優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能，大幅降低EMI干擾，提升系統(tǒng)效率?？焖訇P(guān)斷二極管功率模塊

面接觸型二極管：面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用。
平面型二極管：平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大。
穩(wěn)壓管：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管，具有穩(wěn)定電壓的作用。
光電二極管：光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加。
發(fā)光二極管：發(fā)光二極管發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡(jiǎn)稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成。 北京二極管哪個(gè)品牌好安裝二極管模塊時(shí)，需在基板與散熱片間涂抹導(dǎo)熱硅脂，降低熱阻至 0.1℃/W 以下。

新一代智能模塊（如ST的ACEPACK Smart Diode）集成溫度傳感器和電流檢測(cè)。其原理是在DBC基板上嵌入鉑電阻（Pt1000），通過(guò)ADC將溫度信號(hào)數(shù)字化（精度±1℃）。電流檢測(cè)則利用模塊引線框的寄生電阻（Rsense≈0.5mΩ），配合差分放大器提取mV級(jí)壓降。數(shù)據(jù)通過(guò)ISO-CLART隔離芯片傳輸至MCU，實(shí)現(xiàn)結(jié)溫預(yù)測(cè)和健康狀態(tài)（SOH）評(píng)估。某電動(dòng)汽車OBC模塊實(shí)測(cè)表明，該技術(shù)可使過(guò)溫保護(hù)響應(yīng)時(shí)間從秒級(jí)縮短至10ms，預(yù)防90%以上的熱失效故障。

P型和N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼等。
因硼原子只有三個(gè)價(jià)電子，它與周圍的硅原子形成共價(jià)鍵，因缺少一個(gè)電子，在晶體中便產(chǎn)生一個(gè)空位，當(dāng)相鄰共價(jià)鍵上的電子獲得能量時(shí)就有可能填補(bǔ)這個(gè)空位，使硼原子成了不能移動(dòng)的負(fù)離子，而原來(lái)的硅原子的共價(jià)鍵則因缺少一個(gè)電子，形成了空穴，但整個(gè)半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。
N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價(jià)原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價(jià)鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。
因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來(lái)交界處的電中性被破壞 光伏逆變器中，IGBT 與二極管模塊并聯(lián)，構(gòu)成功率開(kāi)關(guān)單元實(shí)現(xiàn)能量雙向流動(dòng)。

光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個(gè)玻璃窗口，以便于接受光照。其特點(diǎn)是，當(dāng)光線照射于它的PN結(jié)時(shí)，可以成對(duì)地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導(dǎo)體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加。
當(dāng)無(wú)光照時(shí)，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測(cè)、光電控制、自動(dòng)報(bào)警等方面。當(dāng)制成大面積的光電二極管時(shí)，可當(dāng)作一種能源而稱為光電池。此時(shí)它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。
開(kāi)關(guān)電源的輸出端并聯(lián)肖特基二極管模塊，可實(shí)現(xiàn)多路輸出的自動(dòng)均流?？焖訇P(guān)斷二極管功率模塊

英飛凌模塊提供多種電壓/電流等級(jí)，兼容IGBT和SiC技術(shù)，滿足新能源逆變器的嚴(yán)苛需求?？焖訇P(guān)斷二極管功率模塊

二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通?？焖訇P(guān)斷二極管功率模塊