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寧夏西門(mén)康賽米控晶閘管

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-18
雙向晶閘管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用技術(shù)

在高電壓、大電流應(yīng)用場(chǎng)景中,需將多個(gè)雙向晶閘管并聯(lián)或串聯(lián)使用。并聯(lián)應(yīng)用時(shí),主要問(wèn)題是電流不均衡。由于各器件的伏安特性差異,可能導(dǎo)致部分器件過(guò)載。解決方法包括:1)選用同一批次、參數(shù)匹配的雙向晶閘管。2)在每個(gè)器件上串聯(lián)小阻值均流電阻(如 0.1Ω/5W),抑制電流不均。3)采用均流電抗器,利用電感的電流滯后特性平衡電流。串聯(lián)應(yīng)用時(shí),主要問(wèn)題是電壓不均衡。各器件的反向漏電流差異會(huì)導(dǎo)致電壓分配不均,可能使部分器件承受過(guò)高電壓而擊穿。解決方法有:1)在每個(gè)雙向晶閘管兩端并聯(lián)均壓電阻(如 100kΩ/2W),使漏電流通過(guò)電阻分流。2)采用 RC 均壓網(wǎng)絡(luò)(如 0.1μF/400V 電容與 100Ω/2W 電阻串聯(lián)),抑制電壓尖峰。3)使用電壓檢測(cè)電路實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)各器件電壓,動(dòng)態(tài)調(diào)整均壓措施。實(shí)際應(yīng)用中,雙向晶閘管的并聯(lián)和串聯(lián)往往結(jié)合使用,以滿(mǎn)足高電壓、大電流的需求,如高壓固態(tài)軟啟動(dòng)器、大功率交流調(diào)壓器等。 晶閘管常用于交流調(diào)壓器,如舞臺(tái)燈光控制。寧夏西門(mén)康賽米控晶閘管

晶閘管

晶閘管的結(jié)構(gòu)原件

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱(chēng)作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無(wú)觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無(wú)火花、動(dòng)作快、壽命長(zhǎng)、可靠性高以及簡(jiǎn)化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個(gè)電極。但是,它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極,而統(tǒng)稱(chēng)為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通可控硅不同,是把兩個(gè)可控硅反接在一起畫(huà)成的。它的型號(hào),在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示;國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號(hào)、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠(chǎng)家不同而有所不同,但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時(shí),電極引腳向下,面對(duì)標(biāo)有字符的一面)。 遼寧Infineon晶閘管晶閘管模塊的觸發(fā)電路需與主電路電氣隔離,提高安全性。

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可控硅的主要參數(shù)有:

1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
4、 觸發(fā)電壓VGT 在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的**小控制極電流和電壓。
5、 維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的**小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。

雙向晶閘管的散熱設(shè)計(jì)與熱管理策略

雙向晶閘管的散熱設(shè)計(jì)直接影響其性能和可靠性。當(dāng)雙向晶閘管導(dǎo)通時(shí),通態(tài)壓降(約 1.5V)會(huì)產(chǎn)生功耗,導(dǎo)致結(jié)溫升高。若結(jié)溫超過(guò)額定值(通常為 125°C),器件性能會(huì)下降,甚至損壞。散熱方式主要有自然冷卻、強(qiáng)迫風(fēng)冷和水冷。對(duì)于小功率應(yīng)用(如家用調(diào)光器),可采用自然冷卻,通過(guò)鋁合金散熱片擴(kuò)大散熱面積。散熱片的熱阻需根據(jù)雙向晶閘管的功耗和環(huán)境溫度計(jì)算,一般要求熱阻小于 10°C/W。對(duì)于**率應(yīng)用(如電機(jī)控制器),可采用強(qiáng)迫風(fēng)冷,通過(guò)風(fēng)扇加速空氣流動(dòng),降低散熱片溫度。此時(shí)需注意風(fēng)扇的風(fēng)量和風(fēng)壓匹配,確保散熱效率。對(duì)于高功率應(yīng)用(如工業(yè)加熱設(shè)備),水冷系統(tǒng)是更好的選擇,其散熱效率比風(fēng)冷高 3-5 倍。在熱管理策略上,可在散熱片與雙向晶閘管之間涂抹導(dǎo)熱硅脂,減小接觸熱阻;并安裝溫度傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)溫度,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)自動(dòng)降低負(fù)載或切斷電路。 高壓試驗(yàn)設(shè)備中,晶閘管模塊產(chǎn)生可控高壓脈沖。

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單向晶閘管在交流調(diào)壓中的應(yīng)用

單向晶閘管在交流調(diào)壓電路中也發(fā)揮著重要作用。通過(guò)控制晶閘管在交流電每個(gè)周期內(nèi)的導(dǎo)通角,可以調(diào)節(jié)負(fù)載上的電壓有效值。在燈光調(diào)光電路中,利用雙向晶閘管(可視為兩個(gè)單向晶閘管反向并聯(lián))或兩個(gè)單向晶閘管反并聯(lián),根據(jù)需要調(diào)節(jié)燈光的亮度。當(dāng)導(dǎo)通角增大時(shí),燈光亮度增加;當(dāng)導(dǎo)通角減小時(shí),燈光亮度降低。在電加熱控制電路中,通過(guò)調(diào)節(jié)晶閘管的導(dǎo)通角,可以控制加熱元件的功率,實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的精確控制。與傳統(tǒng)的電阻分壓調(diào)壓方式相比,晶閘管交流調(diào)壓具有無(wú)觸點(diǎn)、功耗小、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。但在應(yīng)用過(guò)程中,需要注意抑制晶閘管開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的諧波干擾,以免對(duì)電網(wǎng)和其他設(shè)備造成不良影響。 晶閘管模塊的通態(tài)電流容量從幾安培到數(shù)千安培不等,滿(mǎn)足多種應(yīng)用需求。低頻/工頻晶閘管供應(yīng)商

晶閘管模塊的觸發(fā)方式包括電流觸發(fā)、光觸發(fā)和電壓觸發(fā)等。寧夏西門(mén)康賽米控晶閘管

單向晶閘管的基本原理剖析

單向晶閘管,也就是普通晶閘管(SCR),屬于四層三端的半導(dǎo)體器件,其結(jié)構(gòu)是 P-N-P-N。它有陽(yáng)極(A)、陰極(K)和門(mén)極(G)這三個(gè)端子。當(dāng)陽(yáng)極相對(duì)于陰極加上正向電壓,同時(shí)門(mén)極施加一個(gè)短暫的正向觸發(fā)脈沖時(shí),晶閘管就會(huì)從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通,門(mén)極便失去控制作用,要使晶閘管關(guān)斷,只有讓陽(yáng)極電流減小到維持電流以下,或者給陽(yáng)極施加反向電壓。這種 “觸發(fā)導(dǎo)通、過(guò)零關(guān)斷” 的特性,讓單向晶閘管在可控整流、交流調(diào)壓等電路中得到了廣泛應(yīng)用。例如,在晶閘管整流器里,通過(guò)調(diào)整觸發(fā)角,能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)直流輸出電壓的連續(xù)調(diào)節(jié),這在工業(yè)電機(jī)調(diào)速和電力系統(tǒng)中有著重要的應(yīng)用價(jià)值。


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