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來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-18
單向晶閘管的觸發(fā)電路設(shè)計(jì)

單向晶閘管的觸發(fā)電路需要為門極提供合適的觸發(fā)脈沖,以確保器件可靠導(dǎo)通。觸發(fā)電路主要有阻容觸發(fā)、單結(jié)晶體管觸發(fā)、集成觸發(fā)電路等類型。阻容觸發(fā)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,它利用電容充放電來產(chǎn)生觸發(fā)脈沖,但脈沖寬度和相位控制精度較差。單結(jié)晶體管觸發(fā)電路能夠輸出前沿陡峭的脈沖,適用于中小功率的晶閘管電路。集成觸發(fā)電路如KJ004、TC787等,具有可靠性高、觸發(fā)精度高、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域。設(shè)計(jì)觸發(fā)電路時(shí),需要考慮觸發(fā)脈沖的幅度、寬度、前沿陡度以及與主電路的同步問題。例如,在三相橋式全控整流電路中,觸發(fā)脈沖必須與三相電源同步,以保證晶閘管在正確的時(shí)刻導(dǎo)通,從而獲得穩(wěn)定的直流輸出。 晶閘管導(dǎo)通后,即使去掉觸發(fā)信號(hào),仍會(huì)保持導(dǎo)通狀態(tài)。全橋模塊晶閘管品牌推薦

晶閘管

晶閘管在高壓直流輸電(HVDC)中的應(yīng)用

高壓直流輸電(HVDC)是晶閘管的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一。與交流輸電相比,HVDC在長(zhǎng)距離輸電、海底電纜輸電和異步電網(wǎng)互聯(lián)中具有明顯的優(yōu)勢(shì),而晶閘管是HVDC換流站的重要器件。在HVDC系統(tǒng)中,晶閘管主要用于構(gòu)成換流器,包括整流器和逆變器。整流器將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電,逆變器則將直流電還原為交流電。傳統(tǒng)的HVDC換流器多采用12脈動(dòng)橋結(jié)構(gòu),每個(gè)橋由6個(gè)晶閘管串聯(lián)組成,通過精確控制晶閘管的觸發(fā)角,可實(shí)現(xiàn)對(duì)直流電壓和功率的調(diào)節(jié)。晶閘管在HVDC中的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)包括:高耐壓能力(單個(gè)晶閘管可承受數(shù)千伏電壓)、大電流容量(可達(dá)數(shù)千安培)、可靠性高(使用壽命長(zhǎng))和成本效益好。例如,中國的特高壓直流輸電工程(如±800kV云廣直流工程)采用了大量光控晶閘管(LTT),單閥組額定電壓達(dá)800kV,額定電流達(dá)4000A,傳輸容量超過5000MW。然而,晶閘管在HVDC中的應(yīng)用也面臨挑戰(zhàn)。由于晶閘管屬于半控型器件,關(guān)斷依賴電流過零,因此在故障情況下的快速滅弧能力較弱。為解決這一問題,現(xiàn)代HVDC系統(tǒng)引入了混合式換流器技術(shù),將晶閘管與全控型器件(如IGBT)結(jié)合,提高系統(tǒng)的故障穿越能力和動(dòng)態(tài)響應(yīng)性能。 西藏CRRC中車晶閘管光控晶閘管模塊以光信號(hào)觸發(fā),提供電氣隔離,增強(qiáng)了系統(tǒng)的抗干擾能力。

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晶閘管的結(jié)構(gòu)分解:

N型區(qū)域(N-region):晶閘管的外層是兩個(gè)N型半導(dǎo)體區(qū)域,通常被稱為N1和N2。這兩個(gè)區(qū)域在晶閘管的工作中起到了電流的傳導(dǎo)作用。

P型區(qū)域(P-region):在N型區(qū)域之間有兩個(gè)P型半導(dǎo)體區(qū)域,通常稱為P1和P2。P型區(qū)域在晶閘管的工作中起到了電流控制的作用。

控制電極(Gate):在P型區(qū)域的一端,有一個(gè)控制電極,通常稱為柵極(Gate)。柵極用來控制晶閘管的工作狀態(tài),即控制它從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。

陽極(Anode)和陰極(Cathode):N1區(qū)域連接到晶閘管的陽極,N2區(qū)域連接到晶閘管的陰極。陽極和陰極用來引導(dǎo)電流進(jìn)入和流出晶閘管。

晶閘管的工作原理基于控制柵極電流來控制整個(gè)器件的導(dǎo)通。當(dāng)柵極電流超過一個(gè)閾值值時(shí),晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。一旦晶閘管導(dǎo)通,它將保持導(dǎo)通狀態(tài),直到電流降至零或通過外部控制斷開。


晶閘管的基本概念

晶閘管(Thyristor)是一種大功率半導(dǎo)體開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它由PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成,具有三個(gè)電極:陽極(A)、陰極(K)和門極(G)。晶閘管的**特性是“半控性”,即只能通過門極信號(hào)控制其導(dǎo)通,但無法直接控制關(guān)斷,需依賴外部電路強(qiáng)制電流過零或反向電壓才能關(guān)閉。這種特性使其特別適用于交流電的相位控制和直流電的開關(guān)調(diào)節(jié)。晶閘管因其高耐壓、大電流承載能力,成為工業(yè)電力控制的關(guān)鍵元件,如電機(jī)調(diào)速、電源轉(zhuǎn)換和高壓直流輸電等。 晶閘管的di/dt耐量決定其承受浪涌電流的能力。

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雙向晶閘管的參數(shù)選擇與應(yīng)用注意事項(xiàng)

選擇雙向晶閘管時(shí),需綜合考慮以下參數(shù):1)額定通態(tài)電流(IT (RMS)):應(yīng)根據(jù)負(fù)載電流的有效值選擇,一般取 1.5-2 倍余量,以避免過載。例如,對(duì)于 10A 負(fù)載電流,可選擇 16A 額定電流的雙向晶閘管。2)額定電壓(VDRM/VRRM):需高于電路中可能出現(xiàn)的最大電壓峰值,通常取 2-3 倍安全裕量。在 220V 交流電路中,應(yīng)選擇耐壓 600V 以上的器件。3)門極觸發(fā)電流(IGT)和觸發(fā)電壓(VGT):根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路能力選擇,IGT 一般在幾毫安到幾十毫安之間。4)維持電流(IH):應(yīng)小于負(fù)載電流,確保雙向晶閘管導(dǎo)通后能維持狀態(tài)。應(yīng)用時(shí)還需注意:1)避免在潮濕、高溫環(huán)境下使用,以防性能下降。2)對(duì)于感性負(fù)載,需在負(fù)載兩端并聯(lián) RC 吸收網(wǎng)絡(luò),抑制反電動(dòng)勢(shì)。3)觸發(fā)脈沖寬度應(yīng)大于負(fù)載電流達(dá)到維持電流所需的時(shí)間,確??煽坑|發(fā)。4)安裝時(shí)需保證散熱良好,避免器件因過熱損壞。 晶閘管模塊的觸發(fā)電路設(shè)計(jì)需精確匹配負(fù)載特性,確??煽坑|發(fā)。北京晶閘管價(jià)格

通過門極觸發(fā)信號(hào),晶閘管模塊可實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電的整流、逆變及調(diào)壓功能。全橋模塊晶閘管品牌推薦

單向晶閘管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用技術(shù)

在實(shí)際應(yīng)用中,當(dāng)單個(gè)單向晶閘管的電壓或電流容量無法滿足要求時(shí),需要將多個(gè)晶閘管進(jìn)行并聯(lián)或串聯(lián)使用。晶閘管的并聯(lián)應(yīng)用可以提高電路的電流容量。但在并聯(lián)時(shí),需要解決各晶閘管之間的電流均衡問題。由于各晶閘管的伏安特性存在差異,在并聯(lián)運(yùn)行時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)電流分配不均的現(xiàn)象,導(dǎo)致某些晶閘管過載而損壞。為了解決這個(gè)問題,可以在每個(gè)晶閘管上串聯(lián)一個(gè)小阻值的均流電阻,或者采用均流電抗器。同時(shí),在選擇晶閘管時(shí),應(yīng)盡量選擇伏安特性相近的器件。晶閘管的串聯(lián)應(yīng)用可以提高電路的耐壓能力。但在串聯(lián)時(shí),需要解決各晶閘管之間的電壓均衡問題。由于各晶閘管的反向漏電流存在差異,在反向電壓作用下,可能會(huì)出現(xiàn)電壓分配不均的現(xiàn)象,導(dǎo)致某些晶閘管承受過高的電壓而損壞。為了解決這個(gè)問題,可以在每個(gè)晶閘管上并聯(lián)一個(gè)均壓電阻,或者采用 RC 均壓網(wǎng)絡(luò)。在實(shí)際應(yīng)用中,晶閘管的并聯(lián)和串聯(lián)往往同時(shí)使用,以滿足高電壓、大電流的應(yīng)用需求。 全橋模塊晶閘管品牌推薦

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