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中國(guó)臺(tái)灣變?nèi)荻O管

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-31

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程,產(chǎn)生大量電子空穴對(duì),產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 陶瓷基板封裝的二極管模塊具備良好散熱性,適合高功率密度場(chǎng)景。中國(guó)臺(tái)灣變?nèi)荻O管

二極管

二極管的變?nèi)葑饔茫ㄗ內(nèi)荻O管)

變?nèi)荻O管是一種利用PN結(jié)電容隨反向電壓變化的特性制成的特殊二極管。又稱壓控變?nèi)荻O管或可變電容二極管。其電容值可通過(guò)施加的反向電壓調(diào)節(jié),常用于調(diào)諧電路,如收音機(jī)、電視機(jī)的頻道選擇,以及手機(jī)的天線匹配電路。在壓控振蕩器(VCO)和鎖相環(huán)(PLL)等高頻電路中,變?nèi)荻O管可替代機(jī)械可變電容,實(shí)現(xiàn)電子調(diào)諧,提高系統(tǒng)的可靠性和響應(yīng)速度。這種二極管在無(wú)線通信、射頻識(shí)別(RFID)及衛(wèi)星接收設(shè)備中具有重要應(yīng)用。 英飛凌二極管哪家靠譜高頻開(kāi)關(guān)下,二極管模塊的結(jié)電容(Cj)會(huì)引入額外損耗,需搭配 RC 緩沖電路抑制。

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二極管的結(jié)構(gòu)組成

二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
由P區(qū)引出的電極稱為陽(yáng)極,N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?,二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。
二極管有兩個(gè)電極,由P區(qū)引出的電極是正極,又叫陽(yáng)極;由N區(qū)引出的電極是負(fù)極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號(hào)用VD表示。

穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管,具有穩(wěn)定電壓的作用。穩(wěn)壓管與普通二極管的主要區(qū)別在于,穩(wěn)壓管是工作在PN結(jié)的反向擊穿狀態(tài)。通過(guò)在制造過(guò)程中的工藝措施和使用時(shí)限制反向電流的大小,能保證穩(wěn)壓管在反向擊穿狀態(tài)下不會(huì)因過(guò)熱而損壞。穩(wěn)壓管與一般二極管不一樣,它的反向擊穿是可逆的,只要不超過(guò)穩(wěn)壓管電流的允許值,PN結(jié)就不會(huì)過(guò)熱損壞,當(dāng)外加反向電壓去除后,穩(wěn)壓管恢復(fù)原性能,所以穩(wěn)壓管具有良好的重復(fù)擊穿特性。碳化硅(SiC)二極管模塊憑借零反向恢復(fù)特性,顛覆傳統(tǒng)硅基器件在新能源汽車的應(yīng)用。

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二極管模塊的基本結(jié)構(gòu)與封裝技術(shù)

二極管模塊是一種將多個(gè)二極管芯片集成在單一封裝中的功率電子器件,其主要結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體芯片、絕緣基板、電極和外殼。常見(jiàn)的封裝形式有TO-220、TO-247、DIP模塊和壓接式模塊等。模塊內(nèi)部通常采用直接覆銅(DBC)或活性金屬釬焊(AMB)陶瓷基板,以實(shí)現(xiàn)高絕緣耐壓(如2.5kV以上)和優(yōu)良散熱性能。例如,三相全橋整流模塊會(huì)將6個(gè)二極管芯片集成在氮化鋁(AlN)基板上,通過(guò)銅層實(shí)現(xiàn)電氣互連。這種模塊化設(shè)計(jì)不僅減小了寄生電感(可低于10nH),還通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化引腳布局簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成,廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器和新能源發(fā)電領(lǐng)域。



通過(guò)灌封環(huán)氧樹脂,二極管模塊可實(shí)現(xiàn) IP67 級(jí)防塵防水,適用于戶外設(shè)備。SEMIKRON賽米控二極管批發(fā)

快速恢復(fù)二極管模塊可明顯降低開(kāi)關(guān)損耗,提升高頻電源轉(zhuǎn)換效率,適用于光伏和UPS系統(tǒng)。中國(guó)臺(tái)灣變?nèi)荻O管

英飛凌CoolSiC?系列SiC肖特基二極管模塊是第三代半導(dǎo)體的技術(shù)***,具有零反向恢復(fù)電荷(Qrr)、正溫度系數(shù)和超高結(jié)溫(175℃)等優(yōu)勢(shì)。其獨(dú)特的溝槽柵結(jié)構(gòu)使1200V模塊的比導(dǎo)通電阻低至2.5mΩ·cm2,開(kāi)關(guān)損耗較硅基模塊降低70%。在光伏逆變器應(yīng)用中,實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,采用CoolSiC?模塊的系統(tǒng)效率提升1.5個(gè)百分點(diǎn),年發(fā)電量增加約2000kWh。此外,該模塊通過(guò)了嚴(yán)苛的1000次-55℃~175℃溫度循環(huán)測(cè)試,可靠性遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),成為新能源和工業(yè)高功率應(yīng)用的**產(chǎn)品。中國(guó)臺(tái)灣變?nèi)荻O管

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