二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
由P區(qū)引出的電極稱為陽(yáng)極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽(yáng)極通過(guò)管子內(nèi)部流向陰極。
二極管有兩個(gè)電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽(yáng)極；由N區(qū)引出的電極是負(fù)極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號(hào)用VD表示。 智能二極管模塊集成溫度保護(hù)和電流監(jiān)測(cè)功能，提升系統(tǒng)安全性，減少故障風(fēng)險(xiǎn)。天津限幅二極管

電動(dòng)汽車(chē)的OBC（車(chē)載充電機(jī)）和DC-DC轉(zhuǎn)換器依賴高壓二極管模塊實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。例如，碳化硅（SiC）肖特基二極管模塊可承受1200V以上電壓，開(kāi)關(guān)損耗比硅器件降低70%，明顯提升充電速度并減少散熱需求。在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，隔離二極管模塊防止不同電池組間的異常電流倒灌，確保高壓安全。模塊的環(huán)氧樹(shù)脂密封和銅基板設(shè)計(jì)滿足車(chē)規(guī)級(jí)抗震、防潮要求（如AEC-Q101認(rèn)證），適應(yīng)嚴(yán)苛的汽車(chē)電子環(huán)境。未來(lái)，隨著800V高壓平臺(tái)普及，SiC和GaN二極管模塊將成為主流。 安徽二極管多少錢(qián)一個(gè)肖特基二極管模塊反向恢復(fù)時(shí)間極短，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源，減少能量損耗和發(fā)熱。

西門(mén)康SKiiP智能功率模塊中的二極管技術(shù)

SKiiP系列智能模塊集成了西門(mén)康優(yōu)化的二極管單元，具有三大主要技術(shù)：動(dòng)態(tài)均流架構(gòu)通過(guò)三維銅基板布局實(shí)現(xiàn)多芯片自動(dòng)均衡；25μm厚SKiN銅帶互連使熱阻降低40%；集成NTC和霍爾傳感器實(shí)現(xiàn)±1%精度監(jiān)測(cè)。在注塑機(jī)伺服系統(tǒng)中，該模塊連續(xù)運(yùn)行8萬(wàn)小時(shí)無(wú)故障。SKiiP4更創(chuàng)新性地將柵極驅(qū)動(dòng)與二極管單元單片集成，開(kāi)關(guān)速度提升至30ns，特別適合50kHz以上高頻應(yīng)用。實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，在200kW伺服驅(qū)動(dòng)中采用該模塊后，系統(tǒng)效率提升至98.5%。

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無(wú)關(guān)的反向飽和電流。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí)，PN結(jié)空間電荷層中的電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過(guò)程，產(chǎn)生大量電子空穴對(duì)，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。 反向恢復(fù)電荷（Qrr）影響二極管模塊的開(kāi)關(guān)損耗，高頻應(yīng)用需優(yōu)先選擇 Qrr 低的型號(hào)。

肖特基二極管模塊以其極低的正向壓降（0.3-0.5V）和近乎無(wú)反向恢復(fù)時(shí)間的特性，成為高頻開(kāi)關(guān)電源的理想選擇。這類(lèi)模塊通?；诠杌蛱蓟璨牧?，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、通信電源和服務(wù)器供電系統(tǒng)。例如，在數(shù)據(jù)中心中，肖特基模塊可明顯降低48V-12V轉(zhuǎn)換級(jí)的能量損耗，提升整體能效。然而，肖特基二極管的漏電流較大，耐壓能力相對(duì)較低（一般不超過(guò)200V），因此在高電壓應(yīng)用中需謹(jǐn)慎選擇?，F(xiàn)代肖特基模塊通過(guò)優(yōu)化金屬-半導(dǎo)體接觸工藝和集成溫度保護(hù)功能，進(jìn)一步提升了其可靠性和適用場(chǎng)景。 二極管模塊擊穿時(shí)，萬(wàn)用表測(cè)量正向電阻會(huì)明顯減小，反向電阻趨近于零。吉林二極管哪家便宜

額定正向平均電流（IF）是二極管模塊的關(guān)鍵參數(shù)，需匹配電路最大工作電流。天津限幅二極管

快恢復(fù)二極管（FRD）模塊的逆向恢復(fù)特性（trr<100ns）源于芯片的少子壽命控制技術(shù)。通過(guò)電子輻照或鉑摻雜，將PN結(jié)少數(shù)載流子壽命從μs級(jí)縮短至ns級(jí)。以1200V/50A FRD模塊為例，其反向恢復(fù)電流（Irr）與軟度因子（S=ta/tb）直接影響IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗。測(cè)試數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)di/dt=100A/μs時(shí)，優(yōu)化后的模塊Irr<30A，且S>0.8，可減少關(guān)斷電壓尖峰50%以上。模塊內(nèi)部常集成RC緩沖電路，利用10Ω+100nF組合吸收漏感能量，抑制電磁干擾（EMI）。 天津限幅二極管