變容二極管是一種利用PN結電容隨反向電壓變化的特性制成的特殊二極管。又稱壓控變容二極管或可變電容二極管。其電容值可通過施加的反向電壓調節(jié)，常用于調諧電路，如收音機、電視機的頻道選擇，以及手機的天線匹配電路。在壓控振蕩器（VCO）和鎖相環(huán)（PLL）等高頻電路中，變容二極管可替代機械可變電容，實現(xiàn)電子調諧，提高系統(tǒng)的可靠性和響應速度。這種二極管在無線通信、射頻識別（RFID）及衛(wèi)星接收設備中具有重要應用。 根據(jù)封裝形式（如 TO-247、D2PAK），二極管模塊可適配不同散熱片安裝需求。內蒙古旋轉二極管

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結。
由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。
二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 Infineon英飛凌二極管質量熱阻（Rth）越低的二極管模塊，散熱性能越好，適合持續(xù)大電流工況。

碳化硅（SiC）二極管模塊是近年來功率電子領域的重大突破，其性能遠超傳統(tǒng)硅基二極管。SiC材料的禁帶寬度（3.26eV）和臨界擊穿電場強度（10倍于硅）使其能夠承受更高的工作溫度和電壓，同時實現(xiàn)低導通損耗。例如，SiC肖特基二極管模塊的反向恢復電流幾乎為零，可大幅降低高頻開關損耗，適用于電動汽車電驅系統(tǒng)和大功率充電樁。此外，SiC模塊的耐溫能力可達200°C以上，明顯提升了系統(tǒng)可靠性。盡管成本較高，但SiC二極管模塊在新能源發(fā)電、航空航天等**領域的應用日益***，成為未來功率電子技術的重要發(fā)展方向。

發(fā)光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件，簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似，發(fā)光二極管也是由一個PN結構成。發(fā)光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內，外形有方形、矩形和圓形等。發(fā)光二極管的驅動電壓低、工作電流小，具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優(yōu)點，常用于信號指示等電路中。
在電子技術中常用的數(shù)碼管，發(fā)光二極管的原理與光電二極管相反。當發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。
智能二極管模塊集成溫度保護和電流監(jiān)測功能，提升系統(tǒng)安全性，減少故障風險。

英飛凌的HybridPACK? Drive系列SiC二極管模塊專為電動汽車設計，滿足AEC-Q101和ISO 26262 ASIL-D功能安全標準。該模塊采用碳化硅技術，開關頻率高達300kHz，雜散電感*7nH，使800V高壓平臺逆變器的效率突破99%。其創(chuàng)新設計包括銅基板直接水冷（熱阻0.1K/W）和增強型柵極驅動集成，保護響應時間縮短至100ns。在奔馳EQS等**電動車型中，該模塊可提升8%的續(xù)航里程，并將快充時間（10%-80% SOC）縮短至20分鐘。英飛凌還提供預測性健康監(jiān)測算法，可提前500小時識別潛在故障，大幅提升系統(tǒng)可靠性。英飛凌二極管模塊采用PressFIT壓接技術，簡化安裝流程，降低工業(yè)自動化設備的維護成本。山東二極管排行榜

多層陶瓷封裝的二極管模塊具備更高絕緣強度（>2500V），適合高壓電路。內蒙古旋轉二極管

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件。二極管有兩個電極，正極，又叫陽極；負極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時，二極管導通， 加上反向電壓時，二極管截止。 二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開 。二極管具有單向導電性能，導通時電流方向是由陽極通過管子流向陰極。二極管是老早誕生的半導體器件之一，其應用非常廣。特別是在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現(xiàn)對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩(wěn)壓等多種功能 。內蒙古旋轉二極管