二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線(xiàn)及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場(chǎng)的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場(chǎng)的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過(guò)門(mén)檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導(dǎo)通。英飛凌二極管模塊通過(guò)RoHS認(rèn)證，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)，符合全球綠色能源的發(fā)展趨勢(shì)。西門(mén)康賽米控二極管供應(yīng)商

發(fā)光二極管（LED）是一種能將電能直接轉(zhuǎn)化為光能的半導(dǎo)體器件。當(dāng)正向電流通過(guò)LED時(shí)，電子與空穴復(fù)合釋放能量，以光子形式發(fā)光。LED具有高效、長(zhǎng)壽、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于照明（如LED燈泡）、顯示屏（手機(jī)、電視）、指示燈（電源、信號(hào)狀態(tài)）等領(lǐng)域。此外，不同材料制成的LED可發(fā)出不同顏色的光，如紅光、綠光、藍(lán)光，甚至紅外光（用于遙控器）和紫外光（用于殺菌）。近年來(lái)，隨著技術(shù)的發(fā)展，LED已成為節(jié)能照明和顯示技術(shù)的重要元件。 DACO大科二極管詢(xún)價(jià)整流二極管模塊常用于 AC-DC 轉(zhuǎn)換，通過(guò)橋式電路將交流電轉(zhuǎn)為脈動(dòng)直流電。

在逆變器電路中，二極管模塊作為續(xù)流二極管（Freewheeling Diode），保護(hù)功率開(kāi)關(guān)管（如IGBT或MOSFET）免受反向電動(dòng)勢(shì)損壞。當(dāng)感性負(fù)載（如電機(jī)繞組）突然斷電時(shí)，會(huì)產(chǎn)生高壓瞬態(tài)電流，續(xù)流模塊提供低阻抗通路，使能量通過(guò)二極管回饋至電源或耗散在電阻上。例如，變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器中常采用集成續(xù)流二極管的IPM（智能功率模塊），其耐壓可達(dá)1200V以上，響應(yīng)時(shí)間納秒級(jí)。模塊化設(shè)計(jì)還優(yōu)化了寄生電感，抑制電壓尖峰，顯著提高系統(tǒng)可靠性，適用于工業(yè)自動(dòng)化及軌道交通等干擾環(huán)境。

二極管模塊是一種將多個(gè)二極管芯片集成在單一封裝中的功率電子器件，其主要結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體芯片、絕緣基板、電極和外殼。常見(jiàn)的封裝形式有TO-220、TO-247、DIP模塊和壓接式模塊等。模塊內(nèi)部通常采用直接覆銅（DBC）或活性金屬釬焊（AMB）陶瓷基板，以實(shí)現(xiàn)高絕緣耐壓（如2.5kV以上）和優(yōu)良散熱性能。例如，三相全橋整流模塊會(huì)將6個(gè)二極管芯片集成在氮化鋁（AlN）基板上，通過(guò)銅層實(shí)現(xiàn)電氣互連。這種模塊化設(shè)計(jì)不僅減小了寄生電感（可低于10nH），還通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化引腳布局簡(jiǎn)化了系統(tǒng)集成，廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻器和新能源發(fā)電領(lǐng)域。

快速恢復(fù)二極管模塊可明顯降低開(kāi)關(guān)損耗，提升高頻電源轉(zhuǎn)換效率，適用于光伏和UPS系統(tǒng)。

SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實(shí)現(xiàn)超快開(kāi)關(guān)。其金屬-半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%（因臨界擊穿電場(chǎng)達(dá)3MV/cm），故1200V模塊的比導(dǎo)通電阻2mΩ·cm2。獨(dú)特的JBS（結(jié)勢(shì)壘肖特基）結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián)，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時(shí)）。羅姆的SiC模塊實(shí)測(cè)顯示，其反向恢復(fù)電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開(kāi)關(guān)頻率提升至100kHz以上。 額定正向平均電流（IF）是二極管模塊的關(guān)鍵參數(shù)，需匹配電路最大工作電流。山西二極管售價(jià)

二極管模塊的正向壓降隨溫度升高而減小，常溫下硅管約 0.7V，100℃時(shí)可能降至 0.5V。西門(mén)康賽米控二極管供應(yīng)商

汽車(chē)級(jí)模塊（AEC-Q101認(rèn)證）需通過(guò)嚴(yán)苛測(cè)試：①溫度循環(huán)（-55~150℃，1000次）驗(yàn)證焊料疲勞；②高壓蒸煮（121℃/100%RH，96h）檢測(cè)密封性；③功率循環(huán)（ΔTj=80K，5萬(wàn)次）評(píng)估綁定線(xiàn)壽命。失效物理分析顯示，鋁線(xiàn)鍵合處因CTE不匹配產(chǎn)生的剪切應(yīng)力是主要失效源?，F(xiàn)代模塊采用銅線(xiàn)鍵合（直徑300μm）和銀燒結(jié)工藝，使功率循環(huán)壽命提升至20萬(wàn)次以上。特斯拉的SiC模塊實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，其失效率（FIT）<1/109小時(shí)，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅模塊。 西門(mén)康賽米控二極管供應(yīng)商