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蘇州封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-01

SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET),是一種半新型的功率半導(dǎo)體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術(shù),并通過(guò)結(jié)構(gòu)上的改進(jìn)來(lái)提升性能,特別是在降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。接下來(lái),我們將詳細(xì)介紹SGT MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域。

SGT MOS 選型場(chǎng)景

高頻DC-DC(1-3MHz):SGT MOS(如服務(wù)器VRM、無(wú)人機(jī)電調(diào))。

高壓工業(yè)電源(>600V):超級(jí)結(jié)MOS(如光伏逆變器)。

低成本消費(fèi)電子:平面MOS(如手機(jī)充電器)。

***說(shuō)一下,在中低壓領(lǐng)域,SGT MOSFET以低Rds(on)、低Qg、高開(kāi)關(guān)速度的均衡性能,成為工業(yè)與汽車電子的主流選擇。 商甲半導(dǎo)體管理團(tuán)隊(duì):具有成功IPO的功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)、市場(chǎng)、運(yùn)營(yíng)及管理實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn).蘇州封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù)

蘇州封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù),MOSFET選型參數(shù)

電力電子器件(Power Electronic Device)又稱為功率半導(dǎo)體器件,主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上),無(wú)錫商甲半導(dǎo)體提供Trench/SGT/SJ MOS 等產(chǎn)品,產(chǎn)品型號(hào)全,可供客戶挑選送樣測(cè)試。

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費(fèi)電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。

除了保證這些設(shè)備的正常運(yùn)行以外,功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產(chǎn)品的需求以及能效要求的不斷提高,中國(guó)功率器件市場(chǎng)一直保持較快的發(fā)展速度。 上海封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù)無(wú)錫商甲半導(dǎo)體保障產(chǎn)品性能、產(chǎn)能與成本優(yōu)勢(shì), 為客戶提供穩(wěn)定的高性價(jià)比產(chǎn)品與技術(shù)服務(wù)。。

蘇州封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù),MOSFET選型參數(shù)

  無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司有SGT MOSFET、Trench MOSFET等產(chǎn)品。

   SGT MOSFET:一種創(chuàng)新的溝槽式功率MOSFET,具備更低的導(dǎo)通電阻,性能更加穩(wěn)定

  SGT-MOSFET(屏蔽柵溝槽MOSFET)是一種創(chuàng)新的溝槽式功率MOSFET,基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET(U-MOSFET)的改進(jìn)。通過(guò)運(yùn)用電荷平衡技術(shù)理論,SGT-MOSFET在傳統(tǒng)功率MOSFET中引入額外的多晶硅場(chǎng)板進(jìn)行電場(chǎng)調(diào)制,從而提升了器件的耐壓能力和降低了導(dǎo)通電阻。

  這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得SGT-MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)損耗小、頻率特性優(yōu)越等***特點(diǎn)。屏蔽柵在漂移區(qū)中的作用相當(dāng)于體內(nèi)場(chǎng)板,使得SGT-MOSFET在導(dǎo)通電阻R_(ON(SP))和品質(zhì)因數(shù)(FOM=Ron*Qg)等方面具有***優(yōu)勢(shì),有效地提高了系統(tǒng)的能源利用效率。

商甲半導(dǎo)體的MOS管產(chǎn)品線展現(xiàn)出的綜合優(yōu)勢(shì):

高效: 低Rds(on)與低Qg的完美結(jié)合,使得器件在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗上都達(dá)到優(yōu)異水平,***提升系統(tǒng)效率,滿足日益嚴(yán)苛的能效標(biāo)準(zhǔn)。

運(yùn)行能力: 優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性使其非常適合于LLC諧振轉(zhuǎn)換器、同步整流、高頻DC-DC變換器等需要數(shù)百kHz甚至MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用場(chǎng)景,助力實(shí)現(xiàn)電源小型化、輕量化。

熱性能: 低損耗直接轉(zhuǎn)化為更低的溫升,結(jié)合優(yōu)化的封裝熱阻 (Rthja),提升了功率密度和長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。

強(qiáng)大的魯棒性: 良好的雪崩耐量 (Eas) 和抗沖擊能力,確保器件在浪涌、短路等異常情況下具有更高的生存概率。國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈保障: 公司運(yùn)營(yíng)為Fabless模式,芯片自主設(shè)計(jì)并交由芯片代工企業(yè)進(jìn)行代工生產(chǎn),其后委托外部封裝測(cè)試企業(yè)對(duì)芯片進(jìn)行封裝測(cè)試,自主銷售。商甲半導(dǎo)體提供穩(wěn)定可靠的供貨保障,助力客戶降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn),推動(dòng)功率元器件國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。 商甲半導(dǎo)體治理成為功率半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)航者,聚焦功率芯片(如DrMOS、SiC、GaN)的自主研發(fā)與國(guó)產(chǎn)替代。

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廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景

商甲半導(dǎo)體 SGT MOS管憑借其高性能特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于對(duì)效率和功率密度要求極高的領(lǐng)域:

開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)

服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心電源

通信電源

消費(fèi)類

電源適配器/充電器(如快充)

工業(yè)電源

LED驅(qū)動(dòng)電源關(guān)鍵位置: PFC級(jí)主開(kāi)關(guān)管、LLC諧振腔初級(jí)開(kāi)關(guān)管、次級(jí)側(cè)同步整流管 (SR)。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制:無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 驅(qū)動(dòng)器(如電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)、風(fēng)機(jī)、水泵)

變頻器關(guān)鍵位置: 三相逆變橋臂開(kāi)關(guān)管。

新能源與汽車電子:光伏逆變器儲(chǔ)能變流器 (PCS)車載充電器 (OBC)車載DC-DC變換器 商甲半導(dǎo)體高效率的產(chǎn)品和持續(xù)創(chuàng)新,幫提供可持續(xù)的解決方案,提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力.宿遷定制MOSFET選型參數(shù)

商甲半導(dǎo)體的產(chǎn)品在汽車、工業(yè)、移動(dòng)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。蘇州封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù)

平面工藝MOS

定義和原理

平面工藝MOS是一種傳統(tǒng)的MOSFET加工技術(shù),其結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單。在平面工藝中,源極、漏極和柵極均位于同一平面上,形成一個(gè)二維結(jié)構(gòu)。

制造過(guò)程

沉積層:先在硅襯底上生長(zhǎng)氧化層。

摻雜:使用摻雜技術(shù)在特定區(qū)域引入雜質(zhì),形成源、漏區(qū)。

蝕刻:利用光刻技術(shù)和蝕刻工藝形成溝道區(qū)域。

金屬沉積:在柵極位置沉積金屬,形成柵極電極。

特點(diǎn)

制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單和成本較低。

結(jié)構(gòu)平面化,適用于小功率、低頻應(yīng)用。

但存在柵極控制能力差、漏電流大等缺點(diǎn)。 蘇州封裝技術(shù)MOSFET選型參數(shù)

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司為一家功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,專業(yè)從事各類MOSFET、IGBT產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。總部位于江蘇省無(wú)錫市經(jīng)開(kāi)區(qū),是無(wú)錫市太湖人才計(jì)劃重點(diǎn)引進(jìn)項(xiàng)目。公司目前已經(jīng)與國(guó)內(nèi)的8英寸、12英寸晶圓代工廠緊密合作,多平臺(tái)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),產(chǎn)品在開(kāi)關(guān)特性、導(dǎo)通特性、魯棒性、EMI等方面表現(xiàn)很好,得到多家客戶的好評(píng)。

公司定位新型Fabless模式,在設(shè)計(jì)生產(chǎn)高性能產(chǎn)品基礎(chǔ)上,提供個(gè)性化參數(shù)調(diào)控,量身定制,多方位為客戶解決特殊方案的匹配難題。公司產(chǎn)品齊全,可廣泛應(yīng)用于工控、光伏、儲(chǔ)能、家電、照明、5G通信、醫(yī)療、汽車等各行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域,公司在功率器件主要業(yè)務(wù)領(lǐng)域已形成可觀的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)和市場(chǎng)地位。公司秉承:“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷,參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景,堅(jiān)持“質(zhì)量至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”的發(fā)展策略,遵循“問(wèn)題解決+產(chǎn)品交付+售后服務(wù)”的營(yíng)銷法則,努力將公司建設(shè)成一個(gè)具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商。

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