選擇MOS管的指南

評估熱性能

選定額定電流后，還需計算導(dǎo)通損耗。實際中，MOS管并非理想器件，導(dǎo)電時會產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。這一損耗與器件的導(dǎo)通電阻RDS(ON)相關(guān)，并隨溫度明顯變化。設(shè)計者需評估MOS管的熱性能，包括差情況下的散熱能力，同時需要考慮結(jié)溫和熱阻。

功率損耗PTRON可通過公式Iload2×RDS(ON)計算（Iload表示大直流輸出電流）。由于導(dǎo)通電阻受溫度影響，功率損耗也會相應(yīng)變化。此外，施加的電壓VGS與RDS(ON)呈反比，即電壓越高，RDS(ON)越??；反之亦然。

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SGT技術(shù)：突破傳統(tǒng)MOS的性能瓶頸

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是開關(guān)電源、逆變器、電機控制等應(yīng)用的重要開關(guān)器件。傳統(tǒng)平面MOS和早期溝槽MOS在追求更低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和更快開關(guān)速度時，往往會面臨開關(guān)損耗(Qg,Qgd)增大、抗沖擊能力下降等矛盾。

商甲半導(dǎo)體采用的SGT結(jié)構(gòu)技術(shù)，正是解決這一矛盾的關(guān)鍵：

屏蔽柵極結(jié)構(gòu)：在傳統(tǒng)的柵極溝槽結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，創(chuàng)新性地引入了額外的“屏蔽電極”（通常是源極電位）。這一結(jié)構(gòu)能有效屏蔽柵極與漏極之間的米勒電容(Cgd)，大幅降低柵極電荷(Qg,特別是Qgd)。

低柵極電荷(Qg)：降低Qg意味著驅(qū)動電路更容易驅(qū)動MOS管，減少開關(guān)過程中的導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，提升系統(tǒng)整體效率，尤其在需要高頻開關(guān)的應(yīng)用中優(yōu)勢明顯。

優(yōu)化導(dǎo)通電阻(Rds(on))：SGT結(jié)構(gòu)通過優(yōu)化載流子分布和溝道設(shè)計，在同等芯片面積下，實現(xiàn)了比傳統(tǒng)溝槽MOS更低的導(dǎo)通電阻，降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗和發(fā)熱。

優(yōu)異的開關(guān)性能：低Qg和優(yōu)化的電容特性共同帶來了更快的開關(guān)速度和更干凈的開關(guān)波形，減少了電壓/電流應(yīng)力，提升了系統(tǒng)穩(wěn)定性和EMI性能。

高可靠性：精心設(shè)計的結(jié)構(gòu)有助于改善器件的雪崩耐量(Eas)和抗閂鎖能力，提高了系統(tǒng)在惡劣工況下的魯棒性。 PD 快充電子元器件MOSFET工藝MOSFET用于太陽能逆變器和UPS（不間斷電源）中，將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。

MOSFET，全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子領(lǐng)域中極為關(guān)鍵的一種元件。那么，MOSFET是否屬于芯片的一種呢？答案是肯定的。從廣義上來講，芯片是指內(nèi)含集成電路的硅片，而MOSFET正是由硅材料制成，內(nèi)含復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的電子元件，因此可以歸類為芯片的一種。

MOSFET不僅是一種高性能的電子元件，同時也屬于芯片的一種。其制造工藝復(fù)雜，涉及多個精密的步驟和環(huán)節(jié)，對技術(shù)和設(shè)備都有非常高的要求。每一步的精細(xì)控制都是為了確保最終產(chǎn)品的性能與穩(wěn)定性，以滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效、低功耗的需求。隨著科技的不斷進步，MOSFET的制造工藝將繼續(xù)優(yōu)化，為未來的電子產(chǎn)品帶來更多可能性。

針對無刷電機中MOS管的應(yīng)用，推薦使用商甲半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列，

其優(yōu)勢：采用SGT 工藝，突破性的FOM優(yōu)化，覆蓋更多的應(yīng)用場景；極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率?？筛鶕?jù)客戶方案需求，對應(yīng)器件選型檔位，進行支持。

采用優(yōu)化的溝槽屏蔽柵設(shè)計及工藝制造技術(shù)，提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時降低了器件的特征導(dǎo)通電阻Rsp和柵極電荷Qg。SGT系列MOSFET產(chǎn)品涵蓋30V~150V,可廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動，同步整流等領(lǐng)域中。隨著無人機技術(shù)的迅猛發(fā)展和廣泛應(yīng)用，對于低壓MOS技術(shù)的需求將進一步增加。無人機領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，它將為無人機的性能提升、功能拓展和安全保障提供強大支持 無錫商甲半導(dǎo)體提供專業(yè)mosfet產(chǎn)品,二十多年行業(yè)經(jīng)驗,提供技術(shù)支持,品質(zhì)好,銷往全國!發(fā)貨快捷,質(zhì)量保證.

QFN封裝的四邊均配置有電極接點

即四邊無引線扁平封裝，是一種新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。其特點在于焊盤尺寸小、體積緊湊，且采用塑料作為密封材料。如今，該技術(shù)常被稱作LCC。

因其無引線設(shè)計，使得貼裝時的占地面積相較于QFP更小，同時高度也更為低矮。此外，這種封裝形式還被稱為LCC、PCLC、P-LCC等。起初，QFN主要應(yīng)用于集成電路的封裝，然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，MOSFET也開始采用這種封裝技術(shù)。特別是INTEL提出的整合驅(qū)動與MOSFET的DrMOS技術(shù)，就采用了QFN-56封裝，其中56表示芯片背面有56個連接Pin。 商甲半導(dǎo)體40V產(chǎn)品主要用于無人機、BMS、電動工具、汽車電子。淮安電子元器件MOSFET高壓MOS產(chǎn)品

商甲半導(dǎo)體以Fabless 模式解特殊匹配難題，多平臺量產(chǎn)，產(chǎn)品導(dǎo)通特性強，應(yīng)用場景多元。蘇州無刷直流電機電子元器件MOSFET

如何選擇合適的MOSFET管

1.選取導(dǎo)通電阻RDSON：導(dǎo)通電阻RDSON與導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，導(dǎo)通損耗越小，效率越高。選擇RDSON時，需要考慮比較大工作溫度和RDSON的溫度系數(shù)。因為MOSFET的功耗與電流的平方成正比，在大功率系統(tǒng)，電流額定的情況下，減小MOSFET的內(nèi)阻，能夠有效減少系統(tǒng)的發(fā)熱，從而提升MOS的負(fù)載能力。

2.考慮開關(guān)特性：包括柵極電荷(Qg)、輸入電容(Ciss)等參數(shù)，這些參數(shù)影響MOSFET的開關(guān)速度和損耗，特別是在高速開關(guān)系統(tǒng)，必須確認(rèn)MOS的導(dǎo)通和關(guān)斷速度。

3.確定耐壓：MOSFET的耐壓應(yīng)該高于實際應(yīng)用中會承受的最大電壓，以確保安全運行。

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