場效應(yīng)管（fet）是電場效應(yīng)控制電流大小的單極型半導(dǎo)體器件。在其輸入端基本不取電流或電流極小，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、制造工藝簡單等特點，在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中被應(yīng)用。

場效應(yīng)器件憑借其低功耗、性能穩(wěn)定、抗輻射能力強等優(yōu)勢，在集成電路中已經(jīng)有逐漸取代三極管的趨勢。但它還是非常嬌貴的，雖然多數(shù)已經(jīng)內(nèi)置了保護二極管，但稍不注意，也會損壞。所以在應(yīng)用中還是小心為妙。

場效應(yīng)管與晶體管的比較

（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。

（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。

（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。 無錫商甲半導(dǎo)體有限公司是功率半導(dǎo)體設(shè)計公司,專業(yè)從事各類高性能MOS、IGBT、SIC產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。泰州電子元器件MOSFET技術(shù)指導(dǎo)

  金屬–氧化物–半導(dǎo)體晶體管（MOSFET）是一種采用平面技術(shù)制造的場效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中。作為半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的**技術(shù)之一，MOSFET主要用作二進制計算的邏輯電路，在數(shù)字電子設(shè)備中發(fā)揮關(guān)鍵作用。根據(jù)工作機制的不同，MOSFET可分為增強型和耗盡型兩類，以適應(yīng)不同的電路設(shè)計需求.

  金屬–氧化物–半導(dǎo)體晶體管用平面技術(shù)制造的一種場效應(yīng)晶體管 [1]。該技術(shù)通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的導(dǎo)電通道，從而實現(xiàn)電流的開關(guān)與放大。

青浦區(qū)500V至900V SJ超結(jié)MOSFET電子元器件MOSFET在電池充電、放電電路中，MOSFET控制電流、電壓。MOSFET用于線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器中，穩(wěn)定的輸出電壓。

選擇合適的MOSFET是一個涉及多個因素的決策過程，這些因素包括但不限于器件的類型（N溝道或P溝道）、封裝類型、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性等。以下是一些基本的指導(dǎo)原則和步驟，用于選擇適合特定應(yīng)用需求的MOSFET：

1.確定MOSFET的類型：選擇N溝道還是P溝道MOSFET通常取決于應(yīng)用的具體需求。N溝道MOSFET在低邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用中更為常見（用于開關(guān)對地導(dǎo)通），而P溝道MOSFET則常用于高邊側(cè)開關(guān)應(yīng)用（用于對電源導(dǎo)通）。

2.選擇封裝類型：封裝的選擇應(yīng)基于散熱需求、系統(tǒng)尺寸限制、生產(chǎn)工藝和成本控制。不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，因此需要根據(jù)系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度來選擇封裝。在這個過程中，要充分計算熱阻，從而選擇合適的封裝，獲取優(yōu)異的散熱性能，從而提升MOSFET的可靠性和耐久性。

選擇MOS管的指南

確定電壓

選擇MOS管時，電壓是一個關(guān)鍵因素。需根據(jù)實際應(yīng)用場景確定所需的額定電壓以確保其安全性。額定電壓不僅影響器件的成本，還直接關(guān)系到其安全性。設(shè)計人員需要根據(jù)實際應(yīng)用場景來確定所需的額定電壓，確保其能夠承受干線或總線電壓的沖擊，并留出足夠的余量以應(yīng)對可能的電壓變化。

考慮電流

除了電壓外，電流也是選擇MOS管時必須考慮的因素。MOS管的額定電流需應(yīng)對系統(tǒng)中的最大負載及尖峰電流，需綜合考慮電流承受能力。MOS管的額定電流必須能夠應(yīng)對系統(tǒng)中的最大負載電流，以及可能出現(xiàn)的尖峰電流。需要根據(jù)電路的具體結(jié)構(gòu)來決定合適的電流值。 商甲半導(dǎo)體，以專業(yè)立足，為 MOSFET 、IGBT、FRD產(chǎn)品選型提供支持。

QFN封裝的四邊均配置有電極接點

即四邊無引線扁平封裝，是一種新興的表面貼裝芯片封裝技術(shù)。其特點在于焊盤尺寸小、體積緊湊，且采用塑料作為密封材料。如今，該技術(shù)常被稱作LCC。

因其無引線設(shè)計，使得貼裝時的占地面積相較于QFP更小，同時高度也更為低矮。此外，這種封裝形式還被稱為LCC、PCLC、P-LCC等。起初，QFN主要應(yīng)用于集成電路的封裝，然而，隨著技術(shù)的發(fā)展，MOSFET也開始采用這種封裝技術(shù)。特別是INTEL提出的整合驅(qū)動與MOSFET的DrMOS技術(shù)，就采用了QFN-56封裝，其中56表示芯片背面有56個連接Pin。 MOSFET用于電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗。宿遷電子元器件MOSFET高壓MOS產(chǎn)品

公司在標準產(chǎn)品技術(shù)創(chuàng)新的基礎(chǔ)上，與客戶深度合作開發(fā)定制產(chǎn)品。泰州電子元器件MOSFET技術(shù)指導(dǎo)

MOS管封裝

TO-3P/247

TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關(guān)管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場合。 泰州電子元器件MOSFET技術(shù)指導(dǎo)