當射頻功率放大器電路處于非負增益模式時，可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)，需要減少對射頻功率傳導的影響，在應用中需要將輸入匹配電路和可控衰減電路隔離。當射頻功率放大器電路處于負增益模式時，可控衰減電路處于衰減狀態(tài)，一部分射頻傳導能量進入可控衰減電路變成熱能消耗掉，另一部分射頻傳導能量進入功率放大器進行放大(在加強了負反饋的電路基礎(chǔ)上，再放大衰減后的射頻信號)。本申請實施例中的可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，整個電路的衰減程度可達到-10db左右?？梢岳斫鉃?，比原來從rfin端進入電路的輸入信號，已經(jīng)衰減了10db。從整體電路的增益特性看，若原來的已經(jīng)加強負反饋的放大器的增益是0db，那么現(xiàn)在功率放大器的增益就是-10db了。整個電路的負增益由三部分完成：(1)fet的偏置電路向降壓降流切換；(2)射頻功率放大器電路驅(qū)動級的反饋電路向反饋增強切換；(3)輸入匹配中可控衰減電路的接地開關(guān)打開。其中(1)(2)同時滿足時，從設(shè)計看整體電路增益低實現(xiàn)0db左右。再加入措施(3)，電路可再多衰減10db左右。即滿足負增益放大。圖2a中的可控衰減電路的結(jié)構(gòu)如圖3所示，可控衰減電路包括：串聯(lián)電感l(wèi)和并聯(lián)到地的電阻r和開關(guān)sw1。功率放大器線性化技術(shù)一一功率回退、前饋、反饋、預失真，出于射頻 預失真結(jié)構(gòu)簡單、易于集成和實現(xiàn)等優(yōu)點。北京U段射頻功率放大器哪里賣

    令rj為射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，rj＝vgpio*r0/(vdd-vgpio)；vgpio為處理器引腳的電壓值，vdd為電源電壓，r0為計算電阻的電阻值。計算電阻r0的電阻值已知，本申請對于計算電阻r0的電阻值的設(shè)置不作限定，計算電阻r0用于計算射頻功率放大模塊的電阻值。圖2為本申請實施例提供的射頻功率放大器檢測電路的連接示意圖。請參閱圖2，以四個射頻功率放大器并聯(lián)為例，計算電阻201的一端與電源電壓vdd相連，計算電阻201的另一端與射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的一端相連，射頻功率放大器211、212、213和214并聯(lián)而成的另一端與接地端相連，計算電阻201與射頻功率放大器的連接之間設(shè)置處理器202。其中，在本申請實施例中，射頻功率放大器211、212、213和214的電阻值分別設(shè)為r1、r2、r3和r4，射頻功率放大器211、212、213和214各自的匹配電阻的電阻值分別為r11、r22、r33和r44。在移動終端進行頻段切換前，設(shè)所有射頻功率放大器的初始狀態(tài)都是關(guān)閉的，即此時射頻功率放大器的電阻值分別為r1、r2、r3和r4。當移動終端進行頻段切換時，需要開啟射頻功率放大器211，則預設(shè)射頻功率放大器的配置狀態(tài)為射頻功率放大器211開啟，射頻功率放大器212、213和214保持關(guān)閉。山東低頻射頻功率放大器價格多少微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質(zhì)等要求來確定。

    此時信號將產(chǎn)生非線性，其功率需要小于-10dbm才能實現(xiàn)線性輸出，此時射頻功率放大器電路的線性增益為-10db，因此，其線性輸出功率范圍為：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等級的交疊，這是窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)平臺的要求，這樣可保證應用端配置的靈活性。比如同樣功率等級下，選擇耗電小的功率模式等。這樣發(fā)射信號功率即輸出功率覆蓋了-45dbm到，總共，可滿足廣域的信號覆蓋要求。參見圖1a和圖1b，在射頻功率放大器電路已經(jīng)加強負反饋基礎(chǔ)上(引入負反饋電路)，調(diào)節(jié)各級晶體管的偏置電路(例如調(diào)節(jié)t2和t4漏極的偏置電流，或者調(diào)節(jié)t3和t5漏極的偏置電壓)，再在輸入匹配電路之前引入可控衰減電路，可以進一步降低增益。從理論來講，可控衰減電路通過設(shè)計可以滿足負增益的需求。這里，可控衰減電路需要考慮盡量降低其對放大器輸入匹配電路的影響，它好可以與輸入匹配電路的設(shè)計融合。另外，需要射頻功率放大器電路在沒有處于負增益工作模式下時，具有適當?shù)纳漕l傳導功率容量和靜電保護能力(electro-staticdischarge，esd)。本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路，如圖2所示，與圖1a相比，在輸入端口和輸入匹配電路之間插入可控衰減電路。

    則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯(lián)接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關(guān)斷時，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯(lián)，zeq的實部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數(shù)值已知的情況下，根據(jù)等效阻抗zeq的表達式可以計算出xl，進而得到電感l(wèi)1的電感值，其中，由于電感l(wèi)1被集成在硅基芯片上，所以電感l(wèi)的品質(zhì)因數(shù)q值一般不大于5。為了進一步提高電路實用性，并提高射頻耐壓和靜電保護能力，本申請實施例的進一步形式是將并聯(lián)支路的r換成sw2(如圖4所示)，通過控制sw1和sw2的柵極的寬長比控制導通的寄生電阻和關(guān)斷的寄生電容以及esd能力。換句話說，在做設(shè)計時控制sw1和sw2的柵極的寬長比w/l，可以獲得期望的ron，其中：開關(guān)導通的電阻：ron＝1/(μ*cox*(w/l)*(vgs-vth))，其中，*表示乘號，μ是指電子遷移率，cox是指單位面積的柵氧化層電容，w/l是指cmos器件有效溝道長度的寬長比。射頻功率放大器的主要技術(shù)指標是輸出功率與效率如何提高輸出功率和效率,是射頻功率放大器設(shè)計目標的。

    功率放大電路105，用于放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路106，用于使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中，射頻功率放大器電路應用于終端中，可以根據(jù)終端與基站的距離選取對應的模式。當終端與基站的距離較近時，路徑損耗較小，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較小，射頻功率放大器電路此時處于負增益模式下，輸入信號進行一定程度的衰減，可得到輸出功率較小的輸出信號；當終端與基站的距離較遠時，路徑損耗較大，終端與基站的通信需要射頻功率放大器電路的輸出功率較大，射頻功率放大器電路此時處于非負增益模式下，對輸入信號進行一定程度的放大，可得到輸出功率較大的輸出信號。在一個可能的示例中，模式控制信號包括控制信號和第二控制信號，其中：控制信號表征將射頻功率放大器電路切換為非負增益模式時，可控衰減電路，用于響應控制信號，控制自身處于無衰減狀態(tài)；第二控制信號表征將射頻功率放大器電路切換為負增益模式時，可控衰減電路，用于響應第二控制信號，控制自身處于衰減狀態(tài)。其中，當可控衰減電路處于無衰減狀態(tài)時，可控衰減電路不工作；當可控衰減電路處于衰減狀態(tài)時，可控衰減電路工作。AB類功率放大器在一個周期的50％和loo％的某段時間內(nèi)導通這 取決所選擇的偏置大小效率和線性度介于A和B類。廣東射頻功率放大器技術(shù)

射頻功率放大器器件放大管基本上由氮化鎵，砷化鎵，LDMOS管電路運用。北京U段射頻功率放大器哪里賣

    射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段，預設(shè)該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，移動終端進行頻段切換時，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，從而獲取此時射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計算單元還包括計算電阻和處理器，計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接，計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設(shè)的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端頻段切換時的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。北京U段射頻功率放大器哪里賣

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