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RF)微波和毫米波應(yīng)用,設(shè)計(jì)和開發(fā)高性能集成電路、模塊和子系統(tǒng)。這些應(yīng)用包括蜂窩、光纖和衛(wèi)星通信,以及醫(yī)學(xué)及科學(xué)成像、工業(yè)儀表、航空航天和防務(wù)電子。憑借近30年的經(jīng)驗(yàn)和創(chuàng)新實(shí)踐,Hittite在模擬、數(shù)字和混合信號半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域有著深厚的積淀,從器件級到完整子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和裝配,覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.(ADI)收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱,所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA,倒是用過其他頻段GainBlock和PA,查找其官方網(wǎng)站,似乎也只有一款PA適用于WiFi行業(yè),HMC408,其性能如下。MicrochipMicrochip(2010年收購了SST)是全球的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商,為全球數(shù)以千計(jì)的消費(fèi)類產(chǎn)品提供低風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時(shí)間。Mircrochip的WiFiPA常見于Mediatek(Ralink)的參考設(shè)計(jì)。微波功率放大器在大功率下工作要合理設(shè)計(jì)功放結(jié)構(gòu)加裝散熱器以 提高功放管熱量輻散效率保證放大器穩(wěn)定工作。湖北射頻功率放大器哪家好
對于各個(gè)電路和具體的增益控制方法的介紹,可參見前面的實(shí)施例的描述,此處不再詳述。應(yīng)理解,說明書通篇中提到的“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意味著與實(shí)施例有關(guān)的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本申請的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此,在整個(gè)說明書各處出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”或“在一實(shí)施例中”未必一定指相同的實(shí)施例。此外,這些特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性可以任意適合的方式結(jié)合在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中。應(yīng)理解,在本申請的各種實(shí)施例中,上述各過程的序號的大小并不意味著執(zhí)行順序的先后,各過程的執(zhí)行順序應(yīng)以其功能和內(nèi)在邏輯確定,而不應(yīng)對本申請實(shí)施例的實(shí)施過程構(gòu)成任何限定。上述本申請實(shí)施例序號為了描述,不實(shí)施例的優(yōu)劣。需要說明的是,在本文中,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者裝置不包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者裝置所固有的要素。在沒有更多限制的情況下,由語句“包括一個(gè)……”限定的要素,并不排除在包括該要素的電路中還存在另外的相同要素。以上所述,為本申請的實(shí)施方式,但本申請的保護(hù)范圍并不局限于此。陜西自動(dòng)化射頻功率放大器服務(wù)電話微波固態(tài)功率放大器的電路設(shè)計(jì)應(yīng)盡可能合理簡化。
圖1:某型號60WGaAsFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)這款晶體管放大器可以提供EMC領(lǐng)域的基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強(qiáng)調(diào)的很好的線性度,如圖2所示。圖2:某晶體管的輸入輸出線性度這個(gè)晶體管可以在工作頻率范圍內(nèi)提供所需的功率,它的輸出功率與頻率的關(guān)系如圖3所示。圖3:某晶體管的輸出功率與頻率的關(guān)系3.射頻微波功率晶體管采用的半導(dǎo)體材料的類型在用于EMC領(lǐng)域的功率放大器中會(huì)用到不同種類的晶體管,下面對典型的晶體管及其工作特性進(jìn)行簡單介紹,由于不同種類的半導(dǎo)體材料具有不同的特性,功率放大器的設(shè)計(jì)者需要根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇和設(shè)計(jì)。在射頻微波功率放大器中采用的半導(dǎo)體材料主要包括以下幾種。雙極結(jié)型晶體管(BJT)雙極性結(jié)型晶體管(bipolarjunctiontransistor,BJT)就是我們通常說的三極管,是一種具有三個(gè)端子的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。這種晶體管的工作,同時(shí)涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng),因此它被稱為雙極性的,所以也稱雙極性載流子晶體管。常見的有鍺晶體管和硅晶體管,可采用電流控制,在一定范圍內(nèi),雙極性晶體管具有近似線性的特征。
微處理器通過控制vgg=,使得開關(guān)導(dǎo)通,可控衰減電路處于衰減狀態(tài),此時(shí),一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路變成熱能消耗掉,另一部分射頻傳導(dǎo)功率進(jìn)入可控衰減電路之后的電路,輸入信號衰減,射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí),電感用于匹配寄生電容,以減少對后級電路的影響,開關(guān)可等效為寄生電容coff,不需要考慮電阻,可控衰減電路等效為圖8(a);當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí),開關(guān)等效為寄生電阻ron,也不需要考慮電阻,可控衰減電路等效為圖8(b),因?yàn)榈诙娮韬图纳娮鑢on都很小,因此流入可控衰減電路的電流較大,該電路路消耗的功率較多,對輸入信號的衰減作用也較強(qiáng)。其中,為了實(shí)現(xiàn)大程度的衰減,在非負(fù)增益模式下,應(yīng)使可控衰減電路的電阻盡可能的小,可在可控衰減電路去掉第二電阻r2,通過寄生電阻ron來衰減輸入信號。若可控衰減電路中沒有第二電阻,當(dāng)射頻功率放大器電路的負(fù)增益大小確定時(shí),開關(guān)的寄生電阻的大小也可確定。當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時(shí),開關(guān)工作在線性區(qū),寄生電阻ron的大小滿足公式:ron=1/(μ×cox×(w/l)×(vgs-vth)),其中,μ是電子遷移率,cox是單位面積的柵氧化層電容,w/l是開關(guān)t1的有效溝道長度的寬長比,vgs是柵源電壓,vth是閾值電壓。諧波抑制,功率放大器的非線性特性使輸出包含基波信號同時(shí)在各項(xiàng)諧波幅度大小與信號大小呈一定的比例關(guān)系。
控制信號vgg通過電阻與開關(guān)連接,同時(shí)通過備用電阻與備用開關(guān)連接。備用電阻的參數(shù)與電阻的參數(shù)相同,二者都是作為上拉電阻給開關(guān)供電。備用開關(guān)的參數(shù)與開關(guān)的參數(shù)相同,開關(guān)和備用開關(guān)的寄生電阻皆為單開關(guān)的寄生電阻值ron的一半,因此雙開關(guān)的整體寄生電阻值與單開關(guān)的寄生電阻值相同。開關(guān)和備用開關(guān)的控制邏輯相同:非負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)關(guān)斷;負(fù)增益模式下,開關(guān)和備用開關(guān)同時(shí)打開,不需要考慮電阻r1和備用電阻rn。其中,開關(guān)和備用開關(guān)均為n型mos管,其具體的類型可以是絕緣體上硅mos管,也可以是平面結(jié)構(gòu)mos管??梢?,在本申請實(shí)施例中,因?yàn)槭褂昧睡B管設(shè)計(jì),將開關(guān)和備用開關(guān)疊加,使得mos管的耐壓能力和靜電釋放能力提升,相對于單mos管,能在大電流下更好的保護(hù)開關(guān)和備用開關(guān),使其不被損壞。在一個(gè)可能的示例中,輸入匹配電路101包括第三電阻r3、電容c1和第二電感l(wèi)2,第二電感的端連接第二電阻的第二端,第二電感的第二端連接電容的端,電容的第二端連接第三電阻的端。在圖9中,假設(shè)輸入端的輸入阻抗zin=r0-jx0,可控衰減電路的等效阻抗為z20=r20+jx20,輸入匹配電路的等效阻抗為z30=r30+jx30,為了實(shí)現(xiàn)z20和zin的共軛匹配。射頻功率放大器地用于多種有線和無線應(yīng)用中,包括 CATV,ISM,WLL,PCS,GSM,CDMA 和 WCDMA 等各種頻段。福建EMC射頻功率放大器批發(fā)
微波固態(tài)功率放大器通常安裝在一個(gè)腔體內(nèi),由于頻率高,往往容易產(chǎn)生寄 生藕合與干擾。湖北射頻功率放大器哪家好
通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率,使得進(jìn)入后續(xù)電路的射頻功率減小,輸入信號衰減,從而實(shí)現(xiàn)負(fù)增益。在一個(gè)可能的示例中,可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l(wèi)1和開關(guān)t1,開關(guān)的柵級與電阻的端連接,電阻的第二端連接電壓信號,開關(guān)的漏級與第二電阻的端連接,開關(guān)的源級接地,電感的端連接輸入信號,電感的第二端連接第二電阻的第二端;其中,開關(guān),用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的控制信號使自身處于關(guān)斷狀態(tài),以使可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于非負(fù)增益模式;還用于響應(yīng)微處理器發(fā)出的第二控制信號使自身處于導(dǎo)通狀態(tài),以使可控衰減電路處于衰減狀態(tài),實(shí)現(xiàn)射頻功率放大器電路處于負(fù)增益模式;其中,控制信號為具有電壓值的電壓信號,第二控制信號為具有第二電壓值的電壓信號,電壓值與第二電壓值不同。需要說明的是,開關(guān)為絕緣體上硅cmos管,或平面結(jié)構(gòu)mos管。電阻為上拉電阻,其阻值較小,電壓信號vgg通過電阻連接開關(guān)。在一些實(shí)施例中,微處理器通過控制vgg=,使得開關(guān)關(guān)斷,可控衰減電路處于無衰減狀態(tài),將輸入匹配電路與可控衰減電路隔離,此時(shí),射頻功率放大器電路對輸入信號放大,射頻功率放大器電路實(shí)現(xiàn)非負(fù)增益模式。湖北射頻功率放大器哪家好
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