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優(yōu)勢射頻功率放大器值得推薦

來源: 發(fā)布時間:2022-06-12

將導致更復雜的天線調(diào)諧器和多路復用器。RF系統(tǒng)級封裝(SiP)市場可分為一級和二級SiP封裝:各種RF器件的一級封裝,如芯片/晶圓級濾波器、開關(guān)和放大器(包括RDL、RSV和/或凸點步驟);在表面貼裝(SMT)階段進行的二級SiP封裝,其中各種器件與無源器件一起組裝在SiP基板上。2018年,射頻前端模組SiP市場(包括一級和二級封裝)總規(guī)模為33億美元,預(yù)計2018~2023年期間的復合年均增長率(CAGR)將達到,市場規(guī)模到2023年將增長至53億美元。預(yù)測2023年,PAMiDSiP組裝預(yù)計將占RFSiP市場總營收的39%。2018年,晶圓級封裝大約占RFSiP組裝市場總量的9%。移動領(lǐng)域各種射頻前端模組的SiP市場,包括:PAMiD(帶集成雙工器的功率放大器模塊)、PAM(功率放大器模塊)、RxDM(接收分集模塊)、ASM(開關(guān)復用器、天線開關(guān)模塊)、天線耦合器(多路復用器)、LMM(低噪聲放大器-多路復用器模塊)、MMMBPa(多模、多頻帶功率放大器)和毫米波前端模組。MEMS預(yù)測,到2023年,用于蜂窩和連接的射頻前端SiP市場將分別占SiP市場總量的82%和18%。按蜂窩通信標準,支持5G(sub-6GHz和毫米波)的前端模組將占到2023年RFSiP市場總量的28%。智能手機將貢獻射頻前端模組SiP組裝市場的43%。目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs,GAN和LDMOS工藝。優(yōu)勢射頻功率放大器值得推薦

    當?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時,第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此,在具體應(yīng)用中,可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率,選擇相應(yīng)電容值的電容c1以及相應(yīng)電感值的電感l(wèi)1,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配;和/或,選擇相應(yīng)電容值的第二電容c2以及相應(yīng)電感值的第二電感l(wèi)2,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實施中,電容c1可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過調(diào)節(jié)電容c1的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應(yīng)地,第二電容c2也可以是片上可調(diào)節(jié)的可調(diào)電容,通過調(diào)節(jié)第二電容c2的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中,子濾波電路的結(jié)構(gòu)與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)相同??梢岳斫獾氖牵訛V波電路的結(jié)構(gòu)也可以與第二子濾波電路的結(jié)構(gòu)不同。例如,子濾波電路包括電容c1,第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如,子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1,第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容,寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。海南短波射頻功率放大器射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中非常重要的組件。

    第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接,第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發(fā)明實施例中,第三子濾波電路可以包括第三電容c3;第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接,第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中,第三子濾波電路還可以包括第三電感l(wèi)3,第三電感l(wèi)3可以串聯(lián)在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3,給出了本發(fā)明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結(jié)構(gòu)圖。與圖2相比較而言,圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l(wèi)3。通過增加第三電感l(wèi)3,可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發(fā)明實施例中,第四子濾波電路的端可以與主次級線圈121的第二端耦接,第四子濾波電路的第二端可以與射頻功率放大器的輸出端output耦接。第四子濾波電路可以為lc匹配濾波電路,lc匹配濾波電路可以為兩階匹配濾波電路,也可以為多階匹配濾波電路。當lc匹配濾波電路為兩階匹配濾波電路時,其可以包括一個串聯(lián)電感以及一個到地電容;當lc匹配濾波電路為多階匹配濾波電路時,其可以包括兩個串聯(lián)電感或更多串聯(lián)電感和一個到地電容或更多個到地電容。

    本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設(shè)備。背景技術(shù):在無線通信中,用戶設(shè)備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中,用戶設(shè)備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier,pa)的性能會隨著工作頻率變化,難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb,663mhz~915mhz),中頻段(mb,1710mhz~2025mhz),高頻段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa,每個功率放大器支持一個頻段,需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬,pa很難在整個頻段內(nèi)實現(xiàn)高線性和高效率,在設(shè)計的過程中會存在線性度和效率和折中處理,同時頻段內(nèi)的不同頻點的性能也不同。無線通信對發(fā)射頻譜的雜散有嚴格的要求。當pa后連接的濾波器對諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組,nbiot前端模組),要求pa的匹配濾波電路同時具有很高的諧波抑制性能,因此不需要再在pa后增加濾波器。設(shè)計一種寬帶功率放大器,在功率頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)一致且良好的性能,成為寬帶pa的設(shè)計的重點和難點。GaN作為功率放大器中具有優(yōu)良材料 的寬帶隙半導體材料之一被譽為第5代半導體在微電應(yīng)用領(lǐng)域存 在的應(yīng)用.

    圖3中的自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的電路結(jié)構(gòu)如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設(shè)置有兩個主體電路,每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器,激勵放大器和功率放大器通過匹配網(wǎng)絡(luò)連接。主體電路中的c04和c05構(gòu)成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡(luò);第二主體電路中的c11和c12構(gòu)成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網(wǎng)絡(luò)。主體電路中的激勵放大器與變壓器t01的副邊連接,第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接,變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01構(gòu)成一個匹配網(wǎng)絡(luò)。變壓器t01的副邊連接有電容c02,第二變壓器t03的副邊連接有電容c09。變壓器t01的原邊連接射頻輸入端rfin,第二變壓器t03的原邊接地。變壓器t01原邊與第二變壓器t03原邊的公共端連接自適應(yīng)動態(tài)偏置電路的輸入端rfin_h。主體電路中的功率放大器與第三變壓器t02的原邊連接,第二主體電路中的功率放大器與第四變壓器t04的原邊連接。第三變壓器t02的副邊與第四變壓器t04的副邊連接,第三變壓器t02副邊和第四變壓器t04副邊之間還連接有電容c16。噪聲系數(shù)是指輸入端信噪比與放大器輸出端信噪比的比值,單位常用“dB'’。安徽射頻功率放大器設(shè)備

輸出匹配電路主要應(yīng)具備損耗低,諧波抑制度高,改善駐波比,提高輸出功 率及改善非線性等功能。優(yōu)勢射頻功率放大器值得推薦

    70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管,即VMOS管,其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管,它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效功率器件,具有耐壓高,工作電流大,輸出功率高等優(yōu)良特性。垂直MOS場效應(yīng)晶體管(VMOSFET)的溝道長度是由外延層的厚度來控制的,因此適合于MOS器件的短溝道化,從而提高器件的高頻性能和工作速度。VMOS管可工作在VHF和UHF頻段,也就是30MHz到3GHz。封裝好的VMOS器件能夠在UHF頻段提供高達1kW的功率,在VHF頻段提供幾百瓦的功率,可由12V,28V或50V電源供電,有些VMOS器件可以100V以上的供電電壓工作。橫向擴散MOS(LDMOS)橫向雙擴散MOS晶體管(LateralDouble-diffusedMOSFET,LDMOS):這是為了減短溝道長度的一種橫向?qū)щ奙OSFET,通過兩次擴散而制作的器件稱為LDMOS,在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。與晶體管相比,LDMOS在關(guān)鍵的器件特性方面,如增益、線性度、散熱性能等方面優(yōu)勢很明顯,由于更容易與CMOS工藝兼容而被采用。LDMOS能經(jīng)受住高于雙極型晶體管的駐波比,能在較高的反射功率下運行而不被破壞;它較能承受輸入信號的過激勵,具有較高的瞬時峰值功率。優(yōu)勢射頻功率放大器值得推薦

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