LateralDouble-diffusedMetal-oxideSemiconductor)和GaAs,在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。目前針對3G和LTE基站市場的功率放大器主要有SiLDMOS和GaAs兩種,但LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少,在不超過約,而GaAs功率放大器雖然能滿足高頻通信的需求,但其輸出功率比GaN器件遜色很多。在5G高集成的MassiveMIMO應用中,它可實現(xiàn)高集成化的解決方案,如模塊化射頻前端器件。在毫米波應用上,GaN的高功率密度特性在實現(xiàn)相同覆蓋條件及用戶追蹤功能下,可有效減少收發(fā)通道數(shù)及整體方案的尺寸。實現(xiàn)性能成本的優(yōu)化組合。隨著5G時代的到來,小基站及MassiveMIMO的飛速發(fā)展,會對集成度要求越來越高,GaN自有的先天優(yōu)勢會加速功率器件集成化的進程。5G會帶動GaN這一產業(yè)的飛速發(fā)展。然而,在移動終端領域GaN射頻器件尚未開始規(guī)模應用,原因在于較高的生產成本和供電電壓。GaN將在高功率,高頻率射頻市場發(fā)揮重要作用。GaN射頻PA有望成為5G基站主流技術預測未來大部分6GHz以下宏網(wǎng)絡單元應用都將采用GaN器件,小基站GaAs優(yōu)勢更明顯。就電信市場而言,得益于5G網(wǎng)絡應用的日益臨近。阻抗匹配,關系到功率放大器的穩(wěn)定性、增益;輸出功率、帶內平坦度、噪聲、諧波、駐波、線性等一系列指標 。江蘇低頻射頻功率放大器哪家好
寬帶性能一致性差,諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯(lián)lc匹配實現(xiàn)功率合成和阻抗變換的pa,采用變壓器及其輸入輸出匹配電容,輸出級聯(lián)lc匹配濾波電路。這種結構優(yōu)點是諧波性能好,可以實現(xiàn)寬帶一致的阻抗變換;缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中,高頻點插損較大。在本發(fā)明實施例中,通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑,減小耦合系數(shù)k值較小對阻抗變換的影響。根據(jù)初級線圈和主次級線圈的k值等參數(shù),選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍,降低功率合成變壓器損耗。此外,將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協(xié)同設計,能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂,下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。本發(fā)明實施例提供了一種射頻功率放大器,參照圖1。在本發(fā)明實施例中,射頻功率放大器可以包括:功率放大單元(powercell)、功率合成變壓器以及匹配濾波電路。在具體實施率放大單元可以包括兩個輸入端以及兩個輸出端。福建射頻功率放大器報價目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs,GAN和LDMOS工藝。
RF)領域成為全球的IC供貨商。立積電子的產品主要分為兩個產品線:一是射頻技術相關的收發(fā)器,另一個是射頻前端的相關射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek(Ralink)的參考設計,眾所周知,中國臺灣半導體廠商喜歡在參考設計中選用中國臺灣的半導體器件,無源器件,這是促進本土經濟技術發(fā)展的有效手段。與RFaxis類似,Richwave官方網(wǎng)站也同樣沒有PA的匯總數(shù)據(jù),只能看到其全部型號列表。筆者在早期的WiFi產品設計中試用過Richwave的RTC6691,其性能指標如下圖所示。SkyworksSkyworks(于2011年收購了SiGe)同樣是一家老牌射頻半導體廠商,是高可靠性混合信號半導體的創(chuàng)新者。憑借其技術,Skyworks提供多樣化的標準及定制化線性產品,以支持汽車、寬帶、蜂窩式架構、能源管理、工業(yè)、醫(yī)療、**和移動電話設備。產品系列包括放大器、衰減器、偵測器、二極管、定向耦合器、射頻前端模組、混合電路、基礎設施射頻子系統(tǒng)、/解調器、移相器、PLL/合成器/VCO、功率分配器/結合器、接收器、切換器和高科技陶瓷器件。Skyworks同樣具有種類齊全的WiFiPA產品線,在近期的QualcommAtheros的參考設計中,幾乎全部使用了Skyworks的WiFiPA/FEM。
本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路,尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術:射頻前端系統(tǒng)中的功率放大器(poweramplifier,pa)一般要求發(fā)射功率可調,當pa之前射頻收發(fā)器的輸出動態(tài)范圍有限時,就要求功率放大器增益高低可調節(jié)。在廣域低功耗通信的應用場景中,對射頻功率放大器電路的增益可調要求變得更突出,其動態(tài)范圍要達到35~40db,并出現(xiàn)負增益的需求模式。相關技術中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調節(jié),但是反饋電路只能增加或減少增益,而不能實現(xiàn)負增益,無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術實現(xiàn)要素:有鑒于此,本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。本申請實施例的技術方案是這樣實現(xiàn)的:本申請實施例提供一種射頻功率放大器電路,應用于終端,包括:依次連接的可控衰減電路、輸入匹配電路、驅動放大電路、級間匹配電路、功率放大電路和輸出匹配電路,與所述驅動放大電路跨接的反饋電路;所述可控衰減電路,用于根據(jù)所述終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號,實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換;所述輸入匹配電路。傳統(tǒng)線性功率放大器有高的增益和線性度但效率低,而開關型功率放大器有高的效率和輸出功率,但線性度差。
當?shù)诙訛V波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2時,第二電容c2與第二電感l(wèi)2的諧振頻率在功率放大單元的二次諧波頻率附近。因此,在具體應用中,可以根據(jù)功率放大單元的二次諧波頻率,選擇相應電容值的電容c1以及相應電感值的電感l(wèi)1,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配;和/或,選擇相應電容值的第二電容c2以及相應電感值的第二電感l(wèi)2,以實現(xiàn)諧振頻率的匹配。在具體實施中,電容c1可以是片上可調節(jié)的可調電容,通過調節(jié)電容c1的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。相應地,第二電容c2也可以是片上可調節(jié)的可調電容,通過調節(jié)第二電容c2的電容值,能夠進一步改善射頻功率放大器的寬帶性能。在圖1與圖2中,子濾波電路的結構與第二子濾波電路的結構相同??梢岳斫獾氖?,子濾波電路的結構也可以與第二子濾波電路的結構不同。例如,子濾波電路包括電容c1,第二子濾波電路包括第二電容c2以及第二電感l(wèi)2。又如,子濾波電路包括電容c1以及電感l(wèi)1,第二子濾波電路包括第二電容c2。在具體實施中,輸入端匹配濾波電路還可以包括寄生電容,寄生電容可以耦接在功率放大單元的輸出端與功率放大單元的第二輸出端之間。在具體實施中,輸出端匹配濾波電路可以包括第三子濾波電路。發(fā)射機的前級電路中調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小,必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。浙江射頻功率放大器前饋
在所有微波發(fā)射系統(tǒng)中,都需要功率放大器將信號放大到足夠的功 率電平,以實現(xiàn)信號的發(fā)射。江蘇低頻射頻功率放大器哪家好
本發(fā)明涉及通信技術領域,尤其涉及一種射頻功率放大器及通信設備。背景技術:在無線通信中,用戶設備需要支持的工作頻段很多。尤其是第四代蜂窩移動通信(lte)中,用戶設備需要支持40多個工作頻帶(band)。而寬帶功率放大器(poweramplifier,pa)的性能會隨著工作頻率變化,難以實現(xiàn)很寬的功率頻率范圍。lte工作頻率一般分為低頻段(lb,663mhz~915mhz),中頻段(mb,1710mhz~2025mhz),高頻段(hb,2300mhz~2696mhz)。lte射頻前端也包含lb、mb、hb三個pa,每個功率放大器支持一個頻段,需要三個寬帶pa。尤其是lb的相對頻率帶寬,pa很難在整個頻段內實現(xiàn)高線性和高效率,在設計的過程中會存在線性度和效率和折中處理,同時頻段內的不同頻點的性能也不同。無線通信對發(fā)射頻譜的雜散有嚴格的要求。當pa后連接的濾波器對諧波抑制較少因此要求pa的輸出諧波也較低。pa的匹配路同時要具有濾波性能。部分高集成的射頻前端芯片(如2g前端模組,nbiot前端模組),要求pa的匹配濾波電路同時具有很高的諧波抑制性能,因此不需要再在pa后增加濾波器。設計一種寬帶功率放大器,在功率頻率范圍內實現(xiàn)一致且良好的性能,成為寬帶pa的設計的重點和難點。江蘇低頻射頻功率放大器哪家好