在本發(fā)明實施例率放大單元的輸入端可以輸入差分信號input_p，功率放大單元的第二輸入端可以輸入第二差分信號input_n。功率放大單元可以對輸入的差分信號input_p以及第二差分信號input_n分別進行放大處理，功率放大單元的輸出端可以輸出經(jīng)過放大的差分信號，功率放大單元的第二輸出端可以輸出經(jīng)過放大的第二差分信號。差分信號input_p以及第二差分信號input_n的放大倍數(shù)可以由功率放大單元的放大系數(shù)決定，且差分信號input_p的放大倍數(shù)和對第二差分信號input_n的放大倍數(shù)相同。在具體實施中，差分信號input_p以及第二差分信號input_n可以是對輸入至射頻功率放大器的輸入信號進行差分處理后得到的。具體的，對輸入信號進行差分處理的原理及過程可以參照現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實施例不做贅述。在具體實施率合成變壓器可以包括初級線圈11以及次級線圈。在本發(fā)明實施例中，初級線圈11的端可以與功率放大單元的輸出端耦接，輸入經(jīng)過放大的差分信號；初級線圈11的第二端可以與功率放大單元的第二輸出端耦接，輸入經(jīng)過放大的第二差分信號。在本發(fā)明實施例中，次級線圈可以包括主次級線圈121以及輔次級線圈122。主次級線圈121的端接地。微波固態(tài)功率放大器的電路設計應盡可能合理簡化。山東線性射頻功率放大器哪里賣

    其中：串聯(lián)電感l(wèi)用于匹配并聯(lián)到地支路中的sw1在關(guān)閉狀態(tài)的寄生電容，減少對后級驅(qū)動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態(tài)，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統(tǒng)要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關(guān)可以用各種半導體工藝實現(xiàn)，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(intrinsic)半導體層，組成的這種p-i-n結(jié)構(gòu)的二極管就是pin二極管。需要說明的是，r所在的可控衰減電路與后級的功率放大電路的關(guān)系是并聯(lián)關(guān)系。并聯(lián)關(guān)系在于電壓相同時，r越小，可控衰減電路分得電流越大，得到的功率越多。故r越小，進入可控衰減電路的功率越多，相應的進入后級功率放大電路的功率就越少，衰減就越大。所以，為了實現(xiàn)大幅度的衰減，r有時需要省略，依靠sw自身的導通電阻ron。其中，串聯(lián)電感l(wèi)1的通過以下方法得到：在未加入可控衰減電路時，若輸入匹配電路101對應的阻抗為：z0＝r0+jx0。福建品質(zhì)射頻功率放大器制定功率放大器在無線通信系統(tǒng)中是一個不可缺少的重要組成部分通信體制的發(fā)展功率放大器進入了快速發(fā)展的階段。

    射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值包括開啟狀態(tài)的電阻值與關(guān)閉狀態(tài)的電阻值。根據(jù)移動終端所切換的頻段，預設該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態(tài)，由射頻功率放大器的配置狀態(tài)得知射頻功率放大器的配置狀態(tài)電阻值。(2)計算單元302計算單元302，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，移動終端進行頻段切換時，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，從而獲取此時射頻功率放大器的狀態(tài)。其中，計算單元還包括計算電阻和處理器，計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接，計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器檢測模塊連接。(3)比較單元303比較單元303，用于比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態(tài)電阻值。例如，將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態(tài)電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即移動終端頻段切換時的射頻功率放大器的電阻值。其中，射頻功率放大器檢測模塊與配置狀態(tài)的電阻值不相同，則表示射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。

    包括：功率放大單元、功率合成變壓器以及匹配濾波電路，其中：所述功率放大單元，輸入端輸入差分信號，第二輸入端輸入第二差分信號，輸出端輸出經(jīng)過放大的差分信號，第二輸出端輸出經(jīng)過放大的第二差分信號；所述功率合成變壓器，包括初級線圈以及次級線圈；所述初級線圈的輸入端輸入所述經(jīng)過放大的差分信號，第二輸入端輸入所述經(jīng)過放大的第二差分信號；所述次級線圈包括主次級線圈以及輔次級線圈，所述主次級線圈的端接地，第二端與所述射頻功率放大器的輸出端耦接；所述輔次級線圈，端與所述主次級線圈的第二端耦接，第二端與輸出端匹配濾波電路耦接；所述匹配濾波電路，包括輸入端匹配濾波電路以及所述輸出端匹配濾波電路；所述輸入端匹配濾波電路，與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率合成變壓器的第二輸入端均耦接；所述輸出端匹配濾波電路，耦接在所述輔次級線圈的第二端與地之間?？蛇x的，所述輸入端匹配濾波電路包括：子濾波電路以及第二子濾波電路，其中：所述子濾波電路，端與所述功率合成變壓器的輸入端以及所述功率放大單元的輸出端耦接，第二端接地；所述第二子濾波電路，端與所述功率合成變壓器的第二輸入端以及所述功率放大單元的第二輸出端耦接。發(fā)射機的前級電路中調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小，必須必采用高增益大功率射頻功率放大器。

    并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：在信號的輸入端設計可變衰減電路，在實現(xiàn)射頻功率放大器電路負增益的同時，對非負增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護，電路結(jié)構(gòu)簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發(fā)明實施例還提供了一種增益控制方法，應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發(fā)送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式；可控衰減電路，根據(jù)終端中微處理器發(fā)送的模式控制信號，實現(xiàn)射頻功率放大器電路的負增益模式與非負增益模式之間的切換；輸入匹配電路，使可控衰減電路和驅(qū)動放大電路之間阻抗匹配；驅(qū)動放大電路，放大輸入匹配電路輸出的信號；反饋電路，調(diào)節(jié)射頻功率放大器電路的增益；級間匹配電路，使驅(qū)動放大電路和功率放大電路之間阻抗匹配；功率放大電路，放大級間匹配電路輸出的信號；輸出匹配電路，使射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。其中。射頻放大器的穩(wěn)定性問題非常重要，是保證設備安全可靠運行的必要條件。云南低頻射頻功率放大器價格多少

微波固態(tài)功率放大器的工作狀態(tài)主要由功率、效率、失真及被放大信號的性 質(zhì)等要求來確定。山東線性射頻功率放大器哪里賣

    圖1：某型號60WGaAsFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)這款晶體管放大器可以提供EMC領(lǐng)域的基礎(chǔ)標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調(diào)的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內(nèi)提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關(guān)系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關(guān)系3.射頻微波功率晶體管采用的半導體材料的類型在用于EMC領(lǐng)域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進行簡單介紹，由于不同種類的半導體材料具有不同的特性，功率放大器的設計者需要根據(jù)實際需求進行選擇和設計。在射頻微波功率放大器中采用的半導體材料主要包括以下幾種。雙極結(jié)型晶體管（BJT）雙極性結(jié)型晶體管（bipolarjunctiontransistor,BJT）就是我們通常說的三極管，是一種具有三個端子的電子器件，由三部分摻雜程度不同的半導體制成，晶體管中的電荷流動主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴散作用和漂移運動。這種晶體管的工作，同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動，因此它被稱為雙極性的，所以也稱雙極性載流子晶體管。常見的有鍺晶體管和硅晶體管，可采用電流控制，在一定范圍內(nèi)，雙極性晶體管具有近似線性的特征。山東線性射頻功率放大器哪里賣

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