DDR測(cè)試按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(StaticRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí)延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR測(cè)試信號(hào)問(wèn)題排查；智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試PCI-E測(cè)試

DDR測(cè)試信號(hào)和協(xié)議測(cè)試

DDR4一致性測(cè)試工作臺(tái)（用示波器中的一致性測(cè)試軟件分析DDR仿真波形）對(duì)DDR5來(lái)說(shuō)，設(shè)計(jì)更為復(fù)雜，仿真軟件需要幫助用戶通過(guò)應(yīng)用IBIS模型針對(duì)基于DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，比如仿真驅(qū)動(dòng)能力、隨機(jī)抖動(dòng)/確定性抖動(dòng)、寄生電容、片上端接ODT、信號(hào)上升/下降時(shí)間、AGC(自動(dòng)增益控制)功能、4tapsDFE(4抽頭判決反饋均衡)等。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū) 智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試PCI-E測(cè)試DDR4規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立；

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個(gè)SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計(jì)中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會(huì)垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時(shí)，盡量做到長(zhǎng)度匹配和加入一些地過(guò)孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進(jìn)行很好的仿真。通常，在時(shí)域分析來(lái)看，差分線的正負(fù)兩根線要做到延時(shí)匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號(hào)要做到+/-10ps。

DDR測(cè)試

大部分的DRAM都是在一個(gè)同步時(shí)鐘的控制下進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)，即SDRAM(Synchronous Dynamic Random -Access Memory) 。SDRAM根據(jù)時(shí)鐘采樣方式的不同，又分為SDR   SDRAM(Single Data Rate SDRAM)和DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM) 。SDR  SDRAM只在時(shí)鐘的上升或者下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣，而DDR SDRAM在時(shí)鐘的上升和下降 沿都會(huì)進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣。采用DDR方式的好處是時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)的跳變速率是一樣的，因 此晶體管的工作速度以及PCB的損耗對(duì)于時(shí)鐘和數(shù)據(jù)信號(hào)是一樣的。 DDR4關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

DDR測(cè)試

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對(duì)邏輯分析儀的要求也很高，需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps以上的數(shù)據(jù)速率。圖5.22是基于高速邏輯分析儀的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過(guò)DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，確保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問(wèn)題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。 DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告；智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試PCI-E測(cè)試

DDR壓力測(cè)試的內(nèi)容有那些；智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試PCI-E測(cè)試

DDR5發(fā)送端測(cè)試隨著信號(hào)速率的提升，SerDes技術(shù)開(kāi)始在DDR5中采用，如會(huì)采用DFE均衡器改善接收誤碼率，另外DDR總線在發(fā)展過(guò)程中引入訓(xùn)練機(jī)制，不再是簡(jiǎn)單的要求信號(hào)間的建立保持時(shí)間，在DDR4的時(shí)始使用眼圖的概念，在DDR5時(shí)代，引入抖動(dòng)成分概念，從成因上區(qū)分解Rj，Dj等，對(duì)芯片或系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供更具體的依據(jù)；在抖動(dòng)的參數(shù)分析上，也增加了一些新的抖動(dòng)定義參數(shù)，并有嚴(yán)苛的測(cè)量指標(biāo)。針對(duì)這些要求，提供了完整的解決方案。UXR示波器，配合D9050DDRC發(fā)射機(jī)一致性軟件，及高阻RC探頭MX0023A，及Interposer，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)DDR信號(hào)的精確表征。智能化多端口矩陣測(cè)試DDR測(cè)試PCI-E測(cè)試