DDR測(cè)試按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(StaticRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí)延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。DDR4信號(hào)質(zhì)量自動(dòng)測(cè)試軟件報(bào)告；HDMI測(cè)試DDR測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

只在TOP和BOTTOM層進(jìn)行了布線，存儲(chǔ)器由兩片的SDRAM以菊花鏈的方式所構(gòu)成。而在DIMM的案例里，只有一個(gè)不帶緩存的DIMM被使用。對(duì)TOP/BOTTOM層布線的一個(gè)閃照?qǐng)D和信號(hào)完整性仿真圖。

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時(shí)鐘頻率在800 MHz，數(shù)據(jù)通信率為1600Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)，其時(shí)鐘頻率在400 MHz，數(shù)據(jù)通信率為800Mbps

ADDRESS和CLOCK網(wǎng)絡(luò)，右邊的是DATA和DQS網(wǎng)絡(luò)

個(gè)經(jīng)過(guò)比較過(guò)的數(shù)據(jù)信號(hào)眼圖，一個(gè)是仿真的結(jié)果，而另一個(gè)是實(shí)際測(cè)量的。在上面的所有案例里，波形的完整性的完美程度都是令人興奮的。

11.結(jié)論本文，針對(duì)DDR2/DDR3的設(shè)計(jì)，SI和PI的各種相關(guān)因素都做了的介紹。對(duì)于在4層板里設(shè)計(jì)800Mbps的DDR2和DDR3是可行的，但是對(duì)于DDR3-1600Mbps是具有很大的挑戰(zhàn)性。 電氣性能測(cè)試DDR測(cè)試DDR測(cè)試DDR有那些測(cè)試解決方案；

DDR測(cè)試

測(cè)試軟件運(yùn)行后，示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一個(gè)測(cè)試報(bào)告，測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過(guò)、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。圖5.17是自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以輔助用戶進(jìn)行內(nèi)存參數(shù)的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用戶可以通過(guò)軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響。除了一致性測(cè)試以外，DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試失敗后，可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí)，測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn)行參數(shù)統(tǒng)計(jì)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置，

4）將Vref的去耦電容靠近Vref管腳擺放；Vtt的去耦電容擺放在遠(yuǎn)的一個(gè)SDRAM外端；VDD的去耦電容需要靠近器件擺放。小電容值的去耦電容需要更靠近器件擺放。正確的去耦設(shè)計(jì)中，并不是所有的去耦電容都是靠近器件擺放的。所有的去耦電容的管腳都需要扇出后走線，這樣可以減少阻抗，通常，兩端段的扇出走線會(huì)垂直于電容布線。5）當(dāng)切換平面層時(shí)，盡量做到長(zhǎng)度匹配和加入一些地過(guò)孔，這些事先應(yīng)該在EDA工具里進(jìn)行很好的仿真。通常，在時(shí)域分析來(lái)看，差分線的正負(fù)兩根線要做到延時(shí)匹配，保證其誤差在+/-2ps，而其它的信號(hào)要做到+/-10ps。DDR內(nèi)存條電路原理圖；

DDR測(cè)試

DDR5的接收端容限測(cè)試

前面我們?cè)诮榻BUSB3.0、PCIe等高速串行總線的測(cè)試時(shí)提到過(guò)很多高速的串行總線由于接收端放置有均衡器，因此需要進(jìn)行接收容限的測(cè)試以驗(yàn)證接收均衡器和CDR在惡劣信號(hào)下的表現(xiàn)。對(duì)于DDR來(lái)說(shuō)，DDR4及之前的總線接收端還相對(duì)比較簡(jiǎn)單，只是做一些匹配、時(shí)延、閾值的調(diào)整。但到了DDR5時(shí)代(圖5.19),由于信號(hào)速率更高，因此接收端也開始采用很多高速串行總線中使用的可變?cè)鲆嬲{(diào)整以及均衡器技術(shù)，這也使得DDR5測(cè)試中必須關(guān)注接收均衡器的影響，這是之前的DDR測(cè)試中不曾涉及的。 DDR信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試方法、測(cè)試裝置與測(cè)試設(shè)備與流程；HDMI測(cè)試DDR測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

DDR測(cè)試信號(hào)問(wèn)題排查；HDMI測(cè)試DDR測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法

DDR測(cè)試

要注意的是，由于DDR的總線上存在內(nèi)存控制器和內(nèi)存顆粒兩種主要芯片，所以DDR的信號(hào)質(zhì)量測(cè)試?yán)碚撋弦矐?yīng)該同時(shí)涉及這兩類芯片的測(cè)試。但是由于JEDEC只規(guī)定了對(duì)于內(nèi)存顆粒這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量的要求，因此DDR的自動(dòng)測(cè)試軟件也只對(duì)這一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行測(cè)試。對(duì)于內(nèi)存控制器一側(cè)的信號(hào)質(zhì)量來(lái)說(shuō)，不同控制器芯片廠商有不同的要求，目前沒有統(tǒng)一的規(guī)范，因此其信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還只能使用手動(dòng)的方法。這時(shí)用戶可以在內(nèi)存控制器一側(cè)選擇測(cè)試點(diǎn)，并借助合適的信號(hào)讀/寫分離手段來(lái)進(jìn)行手動(dòng)測(cè)試。 HDMI測(cè)試DDR測(cè)試協(xié)議測(cè)試方法