DDR（Double Data Rate）是一種常見的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）技術(shù)，它提供了較高的數(shù)據(jù)傳輸速度和帶寬。以下是DDR系統(tǒng)的概述：

架構(gòu)：DDR系統(tǒng)由多個(gè)組件組成，包括主板、內(nèi)存控制器、內(nèi)存槽和DDR內(nèi)存模塊。主板上的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制DDR內(nèi)存模塊的讀寫操作。數(shù)據(jù)傳輸方式：DDR采用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率，即在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸，相比于單倍數(shù)據(jù)傳輸率（SDR），DDR具有更高的帶寬。在DDR技術(shù)中，數(shù)據(jù)在上升沿和下降沿時(shí)都進(jìn)行傳輸，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)傳輸。速度等級：DDR技術(shù)有多個(gè)速度等級，如DDR-200、DDR-400、DDR2-800、DDR3-1600等。速度等級表示內(nèi)存模塊的速度和帶寬，通常以頻率來表示（例如DDR2-800表示時(shí)鐘頻率為800 MHz）。不同的速度等級對應(yīng)著不同的數(shù)據(jù)傳輸速度和性能。 DDR3一致性測試期間是否會對數(shù)據(jù)完整性產(chǎn)生影響？河北多端口矩陣測試DDR3測試

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調(diào)用 PowerSI 的流程。下面通過實(shí)例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個(gè).brd 文件將被轉(zhuǎn)換成.spd文件，并自動在PowerSI軟件界面中打開。 河北多端口矩陣測試DDR3測試如果DDR3一致性測試失敗，是否需要更換整組內(nèi)存模塊？

常見的信號質(zhì)量包括閾值電平、Overshoot、Undershoot、Slew Rate> tDVAC等，DDRx 信號質(zhì)量的每個(gè)參數(shù)JEDEC都給出了明確的規(guī)范。比如DDR3要求Overshoot和Undershoot 分別為0.4V,也就是說信號幅值P?P值應(yīng)該在-0.4-1.9V,但在實(shí)際應(yīng)用中由于不適合信號 端接使DDR信號質(zhì)量變差，通過仿真就可以找出合適端接，使信號質(zhì)量滿足JEDEC規(guī)范。 下面以DDR3 1066Mbps信號為例，通過一個(gè)實(shí)際案例說明DDR3信號質(zhì)量仿真。

在本案例中客戶反映實(shí)測CLK信號質(zhì)量不好。CLK信號從CUP (U100)出來經(jīng)過4片 DDR3 (U101、U102、U103、U104),在靠近控制芯片接收端顆粒(近的顆粒)的信號很 差，系統(tǒng)工作不到DDR3 1066Mbpso在對時(shí)鐘信號做了終端上拉匹配后，可以正常工作。

DDR信號的DC和AC特性要求之后，不知道有什么發(fā)現(xiàn)沒有?對于一般信號而言，DC和AC特性所要求(或限制)的就是信號的電平大小問題。但是在DDR中的AC特性規(guī)范中，我們可以注意一下，其Overshoot和Undershoot指向的位置，到底代表什么含義?有些讀者可能已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，是沒有辦法從這個(gè)指示當(dāng)中獲得準(zhǔn)確的電壓值的。這是因?yàn)?，在DDR中，信號的AC特性所要求的不再是具體的電壓值，而是一個(gè)電源和時(shí)間的積分值。影面積所示的大小，而申壓和時(shí)間的積分值，就是能量!因此，對于DDR信號而言，其AC特性中所要求的不再是具體的電壓幅值大小，而是能量的大小!這一點(diǎn)是不同于任何一個(gè)其他信號體制的，而且能量信號這個(gè)特性，會延續(xù)在所有的DDRx系統(tǒng)當(dāng)中，我們會在DDR2和DDR3的信號體制中，更加深刻地感覺到能量信號對于DDRx系統(tǒng)含義。當(dāng)然，除了能量的累積不能超過AC規(guī)范外，比較大的電壓值和小的電壓值一樣也不能超過極限，否則，無需能量累積，足夠高的電壓就可以一次擊穿器件。何時(shí)需要將DDR3內(nèi)存模塊更換為新的？

單擊View Topology按鈕進(jìn)入SigXplorer拓?fù)渚庉嫮h(huán)境，可以按前面161節(jié)反射 中的實(shí)驗(yàn)所學(xué)習(xí)的操作去編輯拓?fù)溥M(jìn)行分析。也可以單擊Waveforms..按鈕去直接進(jìn)行反射和 串?dāng)_的布線后仿真。

在提取出來的拓?fù)渲?，設(shè)置Controller的輸出激勵(lì)為Pulse,然后在菜單Analyze- Preferences..界面中設(shè)置Pulse頻率等參數(shù)，

單擊OK按鈕退出參數(shù)設(shè)置窗口，單擊工具欄中的Signal Simulate進(jìn)行仿真分析，

在波形顯示界面里，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看, 可以看到，差分時(shí)鐘波形邊沿正常，有一些反射。

原始設(shè)計(jì)沒有接終端的電阻端接。在電路拓?fù)渲袑⒔K端匹配的上拉電阻電容等電路 刪除，再次仿真，只打開器件U104 (近端顆粒)管腳上的差分波形進(jìn)行查看，可以看到， 時(shí)鐘信號完全不能工作。 DDR3內(nèi)存的一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境？河北多端口矩陣測試DDR3測試

如何解決DDR3一致性測試期間出現(xiàn)的錯(cuò)誤？河北多端口矩陣測試DDR3測試

還可以給這個(gè)Bus設(shè)置一個(gè)容易區(qū)分的名字，例如把這個(gè)Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關(guān)系設(shè)置好了。

重復(fù)以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第2個(gè)字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第3個(gè)字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時(shí)鐘 CK/NCK的第4個(gè)字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時(shí)鐘信號的時(shí)序關(guān)系。因?yàn)闆]有多個(gè)Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個(gè)Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應(yīng)Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 河北多端口矩陣測試DDR3測試