在步驟33050中，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設置為頻率為f1及功率為p1。在步驟33060中，將檢測到的斷電時間與預設時間τ2進行比較，如果檢測到的斷電時間短于預設時間τ2，則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報警信號。在步驟33070中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟33010-33060?；蛘?，可能不需要在每個周期內(nèi)檢查清潔度，取而代之的是，使用的周期數(shù)可能是預先用樣品晶圓通過經(jīng)驗確定。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟34010開始，首先向晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙施加清洗液。在步驟34020中，設置超聲波或兆聲波裝置的頻率為f1，功率為p1以驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置。在步驟34030中，檢測聲波電源輸出的振幅并將其與預設值進行比較，如果檢測到的振幅高于預設值，則關(guān)閉電源并發(fā)出報警信號。在步驟34040中，在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前，設置電源輸出為零。在步驟34050中，待氣泡內(nèi)的溫度降至一定程度后，聲波電源再次被設置為頻率為f1及功率為p1。在步驟34060中，檢查晶圓的清潔度，如果晶圓尚未清潔到所需程度，則重復步驟34010-34050。半導體硅晶圓領(lǐng)域分析。江蘇半導體晶圓多大

    圖案結(jié)構(gòu)4034包括需要清潔的多個特征，包括但不限于鰭、通孔、槽等。氣泡4044變成微噴射，它可以非常猛烈，達到幾千大氣壓以及幾千攝氏度。參考圖4b所示，一旦微噴射發(fā)生，圖案結(jié)構(gòu)4034的一部分被損傷。對于器件特征尺寸小于或等于70nm的晶圓，這種損傷更為嚴重。圖5a至圖5c揭示了在晶圓清洗過程中氣泡5016內(nèi)的熱能變化。當聲波正壓作用在氣泡5016上時，氣泡5016如圖5a中所示體積減小。在體積減小的過程中，聲波壓強pm對氣泡5016做功，機械功轉(zhuǎn)化為氣泡5016內(nèi)的熱能。因此，氣泡5016內(nèi)的氣體和/或蒸汽的溫度t如圖5b所示那樣增加。各參數(shù)間的關(guān)系可用如下公式表示：p0v0/t0＝pv/t(1)其中，p0是壓縮前氣泡內(nèi)部的壓強，v0是壓縮前氣泡的初始體積，t0是壓縮前氣泡內(nèi)部的氣體溫度，p是受壓時氣泡內(nèi)部的壓強，v是受壓時氣泡的體積，t是受壓時氣泡內(nèi)部的氣體溫度。為了簡化計算，假設壓縮或壓縮非常慢時氣體的溫度沒有變化，由于液體包圍了氣泡而導致的溫度的增加可以忽略。因此，一次氣泡壓縮過程中(從體積n單位量至體積1單位量或壓縮比為n)，聲壓pm所做的機械功wm可以表達如下：wm＝∫0x0-1psdx＝∫0x0-1(s(x0p0)/(x0-x))dx＝sx0p0∫0x0-1dx/(x0-x)＝-sx0p0ln。半導體晶圓銷售廠家國外半導體晶圓產(chǎn)品品質(zhì)怎么樣？

    圖23揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的可以執(zhí)行圖7至圖22揭示的晶圓清洗工藝的晶圓清洗裝置。圖24揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的可以執(zhí)行圖7至圖22所揭示的晶圓清洗工藝的另一晶圓清洗裝置的剖視圖。圖25揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于監(jiān)測采用聲能清洗晶圓的工藝參數(shù)的控制系統(tǒng)。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖25所示的檢測電路的框圖。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的如圖25所示的檢測電路的框圖。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的電壓衰減電路。圖29a至圖29c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26所示的整形電路。圖30a至圖30c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖26及圖27所示的主控制器。圖31揭示了主機關(guān)閉聲波電源后聲波電源繼續(xù)振蕩幾個周期。圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的如圖27所示的振幅檢測電路。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。圖34揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的晶圓清洗工藝的流程圖。具體實施方式本發(fā)明的一個方面涉及使用聲能進行半導體晶圓清洗時控制氣泡氣穴振蕩。下面將參考附圖描述本發(fā)明的實施例。參考圖1a至圖1b。

    可以利用多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，例如回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)來加強結(jié)構(gòu)強度。所謂的回字型，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的結(jié)構(gòu)。在一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以是同心的，以便簡化設計。在另一實施例當中，多重的內(nèi)框結(jié)構(gòu)的框的寬度是相同的。在更一實施例當中，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相應的。舉例來說，大內(nèi)框結(jié)構(gòu)與小內(nèi)框結(jié)構(gòu)的形狀可以是相同的，但大小不同?？虻膶挾瓤梢耘c內(nèi)框結(jié)構(gòu)的大小成比例。在一實施例當中，可以具有兩個以上的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。請參考圖11b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。圖11b所示的實施例，為回字型的內(nèi)框結(jié)構(gòu)，就是內(nèi)框內(nèi)還有內(nèi)框的多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本申請所欲保護的技術(shù)特征在于，晶圓層的邊框結(jié)構(gòu)的內(nèi)部至少具有一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)，用于加強該一個或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu)內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的個數(shù)。請參考圖12所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1200的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1200可以是圖10a所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖12理解到，本申請并不限定該樹酯層1040a與1040b外緣的形狀，其可以是正方形、矩形、橢圓形、圓形。怎么選擇質(zhì)量好的半導體晶圓？

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個聲波裝置1003，但是在其他實施例中，也可以同時或間歇使用兩個或多個聲波裝置。同理，也可以使用兩個或多個噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆。當聲能作用于氣泡3012上時，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g。**終氣泡3012到達內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達到上千個大氣壓和上千攝氏度)，會損傷晶圓4010上的精細圖案結(jié)構(gòu)4034，尤其是當特征尺寸t縮小到70nm或更小時。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖4a所示，由于聲波空化在半導體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044。天津12英寸半導體晶圓代工。上海半導體晶圓誠信推薦

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    請參考圖10a所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。和圖9所示的實施例不同之處，在于該結(jié)構(gòu)1000包含了金屬層1010與樹酯層1040。為了減薄在邊框結(jié)構(gòu)與內(nèi)框結(jié)構(gòu)之間的金屬層810，可以在上述區(qū)域中使用較厚的樹酯層1040來替換掉金屬層1010的金屬。和圖9所示的結(jié)構(gòu)900相比，該金屬層1010的第四表面1014與該晶圓層820的***表面821的**短距離，要小于該金屬層810的第四表面與該晶圓層820的***表面的**短距離。由于該結(jié)構(gòu)1000的金屬層1010的大部分比該結(jié)構(gòu)900的金屬層810的大部分較薄，因此可以節(jié)省金屬本身的成本，也可以節(jié)省制作該金屬層810的步驟的成本。請參考圖10b所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)1000的剖面示意圖。圖10b所示的實施例是圖10a所示實施例的一種變形。和圖10a的金屬層1010相比，圖10b所示實施例的金屬層1010比較厚。圖10b所示實施例的其余特征均與圖10a所示實施例相同。請參考圖11a所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)的剖面1100的一示意圖。該結(jié)構(gòu)的剖面1100可以是圖8a所示結(jié)構(gòu)800的cc線剖面，也可以是圖9所示結(jié)構(gòu)900的cc線剖面，還可以是圖10b所示結(jié)構(gòu)1000的dd線剖面。為了方便說明起見。江蘇半導體晶圓多大

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