(5) 西門子EDI模塊，TOC(總有機(jī)碳)的影響。

     進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過高，會(huì)造成樹脂和選擇透過性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

(6) 西門子EDI模塊，進(jìn)水中CO2的影響。

     進(jìn)水中CO2生成的HCO3-是弱電解質(zhì)，容易穿透離子交換樹脂層而造成產(chǎn)水水質(zhì)下降。

(7) 西門子EDI模塊，總陰離子含量(TEA)的影響。

     高的TEA將會(huì)降西門子EDI模塊產(chǎn)水電阻率，或需要提高西門子EDI模塊運(yùn)行電流，而過高的運(yùn)行電流會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)電流增大，極水余氯濃度增大，對極膜壽命不利。

另外，進(jìn)水溫度、pH值、SiO2以及氧化物亦對西門子EDI模塊系統(tǒng)運(yùn)行有影響。 美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保質(zhì)量經(jīng)得起檢驗(yàn)。上海直銷美國IONPURE EDI模塊型號

IONPUREEDI模塊作為超純水設(shè)備的主要部件，一旦損壞將直接造成拋光混床樹脂的壽命縮短，增加運(yùn)行成本，嚴(yán)重影響生產(chǎn)。

導(dǎo)致IONPUREEDI模塊故障的主要原因：

  1、IONPUREEDI模塊長期在大電流，低于額定流量情況下運(yùn)行，極板側(cè)積聚的熱量得不到有效散發(fā)，造成EDI接近兩極的膜片和隔網(wǎng)較早發(fā)熱變形,EDI濃水壓差增大，水質(zhì)和水量下降，嚴(yán)重會(huì)碳化漏水。

  2、IONPUREEDI模塊長期沒有清洗保養(yǎng)，EDI的膜片和通道結(jié)垢，進(jìn)出水壓差增大，造成產(chǎn)水水質(zhì)下降，電流無法調(diào)節(jié)，電壓上升。 江蘇原裝美國IONPURE EDI模塊量大從優(yōu)美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保按客戶的需求發(fā)貨。

美國ionpure edi模塊的進(jìn)水指標(biāo)要求： ◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水 ◎TEA（總可交換陰離子，以CaCO3計(jì)）：<25ppm。 ◎電導(dǎo)率：<40μS/cm。 ◎PH：6.0～9.0。當(dāng)總硬度低于0.1ppm時(shí)，edi比較好工作的pH范圍為8.0～9.0。 ◎溫度：5～35℃。 ◎進(jìn)水壓力：<4bar（60psi）。 ◎硬度：（以CaCO3計(jì)）：<1.0ppm。 ◎有機(jī)物（TOC）：<0.5ppm。 ◎氧化劑：Cl2<0.05ppm，O3<0.02ppm。 ◎變價(jià)金屬：Fe<0.01ppm，Mn<0.02ppm。 ◎H2S：<0.01ppm。 ◎二氧化硅：<0.5ppm。 ◎色度：<5APHA。 ◎二氧化碳的總量：<10ppm。 ◎ SDI 15min：<1.0。

IonpureIP-LXM30Z EDI模塊已經(jīng)達(dá)到了高流量的工業(yè)化要求－不僅在電子工業(yè)，而且在制藥、造紙、電力及化工生產(chǎn)等領(lǐng)域，這些系統(tǒng)提供的流量可達(dá)2000gpm及以上。事實(shí)上，由于最 新技術(shù)的開發(fā)，EDI系統(tǒng)在出力上的限制取決于其它的因素，而不是EDI系統(tǒng)的自身。

二、工業(yè)水處理的未來

  目前的RO－EDI技術(shù)大大地降低了化學(xué)藥劑的使用，簡化了運(yùn)行操作，降低了總的固定投資費(fèi)用。盡管在工業(yè)水處理中還面臨著進(jìn)一步降低化學(xué)藥劑使用的要求，但我們可以預(yù)期，隨著過濾及RO膜技術(shù)的提高，RO－EDI系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)性將會(huì)得到進(jìn)一步的提高。 美國IONPURE EDI模塊上海純超環(huán)保性價(jià)比出眾。

(3)濁度、污染指 數(shù)(SDI)的影響。

   EDI組件產(chǎn)水通道內(nèi)填充有離子交換樹脂，過高的濁度、污染指 數(shù)會(huì)使通道堵塞，造成系統(tǒng)壓差上升，產(chǎn)水量下降。

(4)硬度的影響。

  如果IONPUREEDI模塊中進(jìn)水的殘存硬度太高，會(huì)導(dǎo)致濃縮水通道的膜表面結(jié)垢，濃水流量下降，產(chǎn)水電阻率下降;影響產(chǎn)水水質(zhì)，嚴(yán)重時(shí)會(huì)堵塞組件濃水和極水流道，導(dǎo)致組件因內(nèi)部發(fā)熱而毀壞。

(5) TOC(總有機(jī)碳)的影響。

  進(jìn)水中如果有機(jī)物含量過高，會(huì)造成樹脂和選擇透過性膜的有機(jī)污染，導(dǎo)致系統(tǒng)運(yùn)行電壓上升，產(chǎn)水水質(zhì)下降。同時(shí)也容易在濃縮水通道形成有機(jī)膠體，堵塞通道。

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如果電壓降低或是進(jìn)水的總離子水平提高的話,那么系統(tǒng)中的樹脂會(huì)更多的和離子發(fā)生交換,相應(yīng)的工作區(qū)間就往出水側(cè)移動(dòng),直至達(dá)到新的平衡,或是穿透,這一過程中,出水電導(dǎo)會(huì)發(fā)生一定的變化,出水的弱電離子增加是最明顯的表現(xiàn)。如果電壓上升或是進(jìn)水離子減少,則系統(tǒng)的工作區(qū)間會(huì)向進(jìn)水側(cè)發(fā)生移動(dòng),表現(xiàn)為出水水質(zhì)變好,弱電離子的含量減少。所以判斷系統(tǒng)的平衡狀態(tài)可以通過出水水質(zhì)變化,弱電離子的漏出多少來實(shí)現(xiàn),并可以通過工作區(qū)間的移動(dòng)來解釋。

     濃水流量的變化是另一個(gè)調(diào)節(jié)系統(tǒng)平衡的要素,特別是對于系統(tǒng)中的電流有直接影響。濃水的流量對去除弱電離子Ｓｉ也有一定關(guān)系。由于Ｓｉ在２５℃,ｐＨ值是６～８的水體中的溶解度是１２０ｍｇ／Ｌ。所以進(jìn)水的濃縮倍率達(dá)到一定程度后,Ｓｉ在濃水中就會(huì)飽和,導(dǎo)致不能進(jìn)行更深度的除硅,這也是確定濃水流量下限的條件之一。 上海直銷美國IONPURE EDI模塊型號

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