第三代試管嬰兒的技術(shù)也稱胚胎植入前遺傳學(xué)診斷/篩查 [1]（PGD/PGS） [1]，指在IVF-ET的胚胎移植前，取胚胎的遺傳物質(zhì)進(jìn)行分析，診斷是否有異常，篩選健康胚胎移植，防止遺傳病傳遞的方法。檢測物質(zhì)取4～8個(gè)細(xì)胞期胚胎的1個(gè)細(xì)胞或受精前后的卵***二極體。取樣不影響胚胎發(fā)育。檢測用單細(xì)胞DNA分析法，一是聚合酶鏈反應(yīng)（PCR），檢測男女性別和單基因遺傳病;另一種是熒光原位雜交（FISH），檢測性別和染色體病。第三代試管嬰兒技術(shù)可以進(jìn)行性別選擇，但只有當(dāng)子代性染色體有可能發(fā)生異常并帶來嚴(yán)重后果時(shí)，才允許進(jìn)行性別選擇。本質(zhì)上，第三代試管嬰兒技術(shù)選擇的是疾病，而不是性別。軟件提供圖像和影像縮略圖，方便回放。歐洲連續(xù)多脈沖激光破膜熱效應(yīng)環(huán)

DFB-LD圖9 激光二極管F-P(法布里-珀羅）腔LD已成為常規(guī)產(chǎn)品，向高可靠低價(jià)化方向發(fā)展。DFB-LD的激射波長主要由器件內(nèi)部制備的微小折射光柵周期決定，依賴沿整個(gè)有源層等間隔分布反射的皺褶波紋狀結(jié)構(gòu)光柵進(jìn)行工作。DFB-LD兩邊為不同材料或不同組分的半導(dǎo)體晶層，一般制作在量子阱QW有源層附近的光波導(dǎo)區(qū)。這種波紋狀結(jié)構(gòu)使光波導(dǎo)區(qū)的折射率呈周期性分布，其作用就像一個(gè)諧振控，波長選擇機(jī)構(gòu)是光柵。利用QW材料尺寸效應(yīng)和DFB光柵的選模作用，所激射出的光的譜線很寬，在高速率調(diào)制下可動(dòng)態(tài)單縱模輸出。內(nèi)置調(diào)制器的DFB-LD滿足光發(fā)射機(jī)小型、低功耗的要求。廣州DTS激光破膜PGD采用非接觸式的激光切割方式，免除了傳統(tǒng)機(jī)械操作可能帶來的損傷，對(duì)細(xì)胞傷害小。

二、激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應(yīng)用場景。利用激光打孔技術(shù)，可以在薄膜材料上形成微米級(jí)的孔洞，滿足各種不同的應(yīng)用需求。例如，在太陽能電池板的生產(chǎn)中，利用激光打孔技術(shù)可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率。在濾膜的制備中，通過激光打孔技術(shù)可以制備出具有微孔結(jié)構(gòu)的濾膜，實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體的過濾和分離。2.納米級(jí)加工隨著科技的發(fā)展，納米級(jí)加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術(shù)作為一種先進(jìn)的加工手段，在納米級(jí)加工中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過精確控制激光束的能量和運(yùn)動(dòng)軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級(jí)的孔洞，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)結(jié)構(gòu)的制備。這種加工方式可以顯著提高薄膜材料的性能，例如提高其力學(xué)性能、光學(xué)性能和電學(xué)性能等。3.特殊形狀孔洞的加工除了常規(guī)的圓形孔洞外，利用激光打孔技術(shù)還可以加工出各種特殊形狀的孔洞。例如，在柔性電子器件的制造中，需要將電路圖案轉(zhuǎn)移到柔性基底上。利用激光打孔技術(shù)可以在柔性基底上加工出具有特殊形狀的孔洞，從而實(shí)現(xiàn)電路圖案的轉(zhuǎn)移。這種加工方式可以顯著提高柔性電子器件的性能和穩(wěn)定性。

PGS適用人群播報(bào)編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復(fù)自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復(fù)胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項(xiàng)播報(bào)編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因?yàn)槿澜绺鞣N遺傳性疾病有4000余種，而PGS只能檢查胚胎23對(duì)染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常，無法覆蓋所有疾病。因?yàn)镻GS取材有限，只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細(xì)胞，雖然不會(huì)影響胚胎的正常發(fā)育，但取材細(xì)胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細(xì)胞團(tuán)遺傳構(gòu)成并非完全相同，故對(duì)于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明，也沒有預(yù)防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎，但是胚胎移植后，生命發(fā)育任何一個(gè)階段胎兒由于母體原因、環(huán)境等因素，染色體都有可能出現(xiàn)異常變化。所以選擇PGS成功受孕后，孕婦仍然需要進(jìn)行常規(guī)的產(chǎn)前檢查。PGS不可替代產(chǎn)前篩查。若常規(guī)產(chǎn)前檢查發(fā)現(xiàn)胎兒異常，或孕婦本人具有進(jìn)行產(chǎn)前篩查的指征，強(qiáng)烈建議孕婦選擇羊水穿刺等產(chǎn)前篩查方式進(jìn)行確認(rèn)。激光能量可以在短時(shí)間內(nèi)精確作用于細(xì)胞膜，形成的小孔通常能夠在短時(shí)間內(nèi)自行修復(fù)。

激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機(jī)理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射；二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射，即使是兩個(gè)同時(shí)從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子，它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當(dāng)位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發(fā)生的輻射就是受激輻射，它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣。任何的受激發(fā)光系統(tǒng)，即有受激輻射，也有受激吸收，只有受激輻射占優(yōu)勢，才能把外來光放大而發(fā)出激光。而一般光源中都是受激吸收占優(yōu)勢，只有粒子的平衡態(tài)被打破，使高能態(tài)的粒子數(shù)大于低能態(tài)的粒子數(shù)（這樣情況稱為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)），才能發(fā)出激光。能夠?qū)崿F(xiàn)精確的激光位移，對(duì)微小的胚胎或細(xì)胞進(jìn)行精確操作，誤差小。美國二極管激光激光破膜胚胎干細(xì)胞

實(shí)時(shí)同步成像，可以獲取圖像和影像，通過拍攝的圖像可以進(jìn)行胚胎量測、分析和評(píng)價(jià)。歐洲連續(xù)多脈沖激光破膜熱效應(yīng)環(huán)

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導(dǎo)區(qū)為DFB光柵，采用一些特殊的設(shè)計(jì)，如：波紋坡度可調(diào)分布耦合、復(fù)耦合、吸收耦合、增益耦合、復(fù)合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu)，提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中，金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個(gè)原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應(yīng)離子束刻蝕能保證光柵幾何圖形的均勻性，電子束產(chǎn)生相位掩膜刻蝕可一步完成陣列光柵的制作。1550nmDFB-LD開始大量用于622Mb/s、2.5Gb/s光傳輸系統(tǒng)設(shè)備，對(duì)波長的選擇使DFB-LD在大容量、長距離光纖通信中成為主要光源。同一芯片上集成多波長DFB-LD與外腔電吸收調(diào)制器的單芯片光源也在發(fā)展中。研制成功的電吸收調(diào)制器集成光源，采用有源層與調(diào)制器吸收層共用多QW結(jié)構(gòu)。調(diào)制器的作用如同一個(gè)高速開關(guān)，把LD輸出變換成二進(jìn)制的0和1。歐洲連續(xù)多脈沖激光破膜熱效應(yīng)環(huán)