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來源: 發(fā)布時間:2024-01-13

TIO蝕刻液的基本信息:(1)配方。①熱水12g,氟化銨15g,草酸8g,硫酸銨10g,甘油40g,硫酸鋇15g;②氟化銨15g,草酸7g,硫酸銨8g,硫酸鈉14g,甘油35g,水10g;③氫氟酸60(體積數(shù),下同),硫酸10,水30。(2)配制方法。配制蝕刻液①和②時,將上述原料與60℃熱水混合,攪拌均勻即可。配置時不要使溶液濺到皮膚上,而且操作時應(yīng)戴上口罩。配制蝕刻液③時,按配方將氫氟酸和硫酸混合,然后將混合液倒入水中(不能將水倒入混合液),并不斷攪拌。(3)使用方法。使用刻蝕液①或②時,把要蝕刻的玻璃洗凈、晾干,建議用電爐或紅外線燈將玻璃稍微加熱,以便于蝕刻。蝕刻時,用毛筆蘸蝕刻液書寫文字或圖案于玻璃上,2min蝕刻工作即完成。制作毛玻璃時,將玻璃洗凈、晾干,用刷子均勻涂上腐蝕液即可。ITO顯影劑是指將感光材料經(jīng)曝光后產(chǎn)生的潛影顯現(xiàn)成可見影像的藥劑。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥水哪里買

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。Cl-含量的影響。溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關(guān)系,當鹽酸濃度升高時,蝕刻時間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時間至少是在水溶液里的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過6N,高于6N鹽酸的揮發(fā)量大且對設(shè)備腐蝕,并且隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是:在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時,生成的Cu2Cl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能夠阻止反應(yīng)的進一步進行。過量的Cl-能與Cu2Cl2絡(luò)合形成可溶性的絡(luò)離子(CuCl3)2-,從銅表面上溶解下來,從而提高了蝕刻速率。江蘇網(wǎng)格黑化采購ITO藥水的用途很廣的。

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:堿性氯化銅蝕刻液。溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應(yīng)保持在8.0~8.8之間,當pH值降到8.0以下時,一方面對金屬抗蝕層不利;另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子,溶液要出現(xiàn)沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀,這些泥狀沉淀能在加熱器上結(jié)成硬皮,可能損壞加熱器,還會堵塞泵和噴嘴,給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過高,蝕刻液中氨過飽和,游離氨釋放到大氣中,導致環(huán)境污染;同時,溶液的pH值增大也會增大側(cè)蝕的程度,從而影響蝕刻的精度。

ITO顯影液是一種重要的濕電子化學品,也是半導體、顯示面板、太陽能電池制作過程中關(guān)鍵的原材料之一。顯影液質(zhì)量的優(yōu)劣,直接影響電子產(chǎn)品的質(zhì)量,電子行業(yè)對顯影液的一般要求是超凈和高純。半導體、顯示面板、太陽能電池等行業(yè)發(fā)展速度快,屬于國家大力發(fā)展的戰(zhàn)略新興行業(yè)。顯影液的市場需求會隨著這些行業(yè)的快速發(fā)展而不斷增長,同時也拉動了生產(chǎn)顯影液的主要原材料—碳酸二甲酯的需求。ITO顯影液主要應(yīng)用于半導體、顯示面板、太陽能電池等行業(yè),對應(yīng)的終端產(chǎn)品為芯片、智能終端、太陽能電池板。ITO顯影液在市場上銷售的多是濃縮型液體。

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ITO顯影液在工業(yè)上來說,是針對半導體晶片而言。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥水哪里買

ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:堿性氯化銅蝕刻液。1、氯化銨含量的影響:通過蝕刻再生的化學反應(yīng)可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有過量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蝕刻速率就會降低,以致失去蝕刻能力。所以,氯化銨的含量對蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進行,要不斷補加氯化銨。2、Cu2+離子濃度的影響:Cu2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明:在0~82g/L時,蝕刻時間長;在82~120g/L時,蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在135~165g/L時,蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定;在165~225g/L時,溶液不穩(wěn)定,趨向于產(chǎn)生沉淀。蘇州觸摸屏生產(chǎn)藥水哪里買

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