在開關電源系統(tǒng)中，二極管一般被用作整流、續(xù)流保護等。用做整流時，經(jīng)常會因為整流二極管的反向恢復時間過長，進而導致轉換效率降低，發(fā)熱增加。雖然使用肖特基二極管可解決反向恢復問題，但普通硅（Si）肖特基二極管的擊穿電壓很低（通常低于200V），再加上降額設計，不適合高壓應用。而用碳化硅（SiC）制作的肖特基二極管耐壓可達1200V，反向恢復電流幾乎可忽略不計，因而能有效減小器件的開關損耗，同時，還可簡化開關電源電路中的保護電路，是公司提供的使用碳化硅肖特基二極管后對Boost型拓撲結構開關電源的簡化。 碳化硅具有優(yōu)良的導熱性能，是一種半導體，高溫時能抗氧化。徐匯區(qū)碳化硅

純碳化硅為無色，而工業(yè)生產(chǎn)之棕至黑色系由于含鐵之不純物。晶體上彩虹般的光澤則是因為其表面產(chǎn)生之二氧化硅保護層所致。純碳化硅是無色透明的晶體。工業(yè)碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用優(yōu)越石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。徐匯區(qū)碳化硅在半導體高功率元件的應用上，不少人試著用它來取代硅。

由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合，利用其中的二氧化硅和石油焦，加入食鹽和木屑，置入電爐中，加熱到2000°C左右高溫，經(jīng)過各種化學工藝流程后得到碳化硅微粉。碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應用范圍卻超過一般的磨料。例如，它所具有的耐高溫性、導熱性而成為隧道窯或梭式窯的主選窯具材料之一，它所具有的導電性使其成為一種重要的電加熱元件等。制備SiC制品首先要制備SiC冶煉塊[或稱：SiC顆粒料，因含有C且超硬，因此SiC顆粒料曾被稱為：金剛砂。

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優(yōu)于任何其它半導體材料。事實上, 在室溫條件下, 其熱傳導率高于任何其它金屬，這使得碳化硅器件可在高溫下正常工作。為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統(tǒng)Si基半導體器件散熱片體積的對比，可看出，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積有效減小。對于主流的大功率HEV，一般包含兩套水冷系統(tǒng)，一套是引擎冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約105℃，另一套是電力電子設備的冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約為70℃。 碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種。

SiC 主要應用于微波領域，非常適合在雷達發(fā)射機中使用；使用它可明顯提高雷達發(fā)射機的輸出功率和功率密度，提高工作頻率和工作頻帶寬度，提高雷達發(fā)射機的環(huán)境溫度適應性，提高抗輻射能力。和普通硅（Si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件所具有的優(yōu)勢非常明顯。雖然碳化硅功率器件的市場化推廣還處于起步階段，但其應用前景廣大，發(fā)展速度迅猛，在“低碳”經(jīng)濟理念的推動下，必將加快其發(fā)展步伐。航天電子產(chǎn)品對其重量、體積、功耗和抗輻射程度都有嚴格的要求，碳化硅功率器件的出現(xiàn)及進一步推廣，必將對今后航天電子產(chǎn)品的開發(fā)產(chǎn)生深遠影響。黑碳化硅含SiC約95%，其韌性高于綠碳化硅。嘉定區(qū)碳化硅哪家比較便宜

用以制成的耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節(jié)能效果好。徐匯區(qū)碳化硅

但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高溫制備SiC冶煉塊的熱工設備是專門用的碳化硅電爐，其結構由爐底、內(nèi)面鑲有電極的端墻、可卸式側墻、爐心體(全稱為：電爐中心的通電發(fā)熱體，一般用石墨粉或石油焦炭按一定的形狀與尺寸安裝在爐料中心，一般為圓形或矩形。其兩端與電極相連）等組成。徐匯區(qū)碳化硅

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