香蕉久久久久久久av网站,亚洲一区二区观看播放,japan高清日本乱xxxxx,亚洲一区二区三区av

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：1、IDSS—飽和漏源電流。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，柵極電壓UGS=0時(shí)的漏源電流。2、UP—夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)...

功率晶體管單元的截面圖。通常一個(gè)市售的功率晶體管都包含了數(shù)千個(gè)這樣的單元。主條目：功率晶體管功率MOSFET和前述的MOSFET元件在結(jié)構(gòu)上就有著 的差異。一般集成電路里的MOSFET都是平面式（planar）的結(jié)構(gòu)，晶體管內(nèi)的各端點(diǎn)都離芯片表面只有幾個(gè)微米的...

理解MOSFET的幾個(gè)常用參數(shù)VDS，即漏源電壓，這是MOSFET的一個(gè)極限參數(shù)，表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的較大電壓值。需要注意的是，這個(gè)參數(shù)是跟結(jié)溫相關(guān)的，通常結(jié)溫越高，該值較大。RDS(on)，漏源導(dǎo)通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導(dǎo)通...

MOSFET的 ：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為 （如前所述， 的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶...

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)...

MOSFET從截止?fàn)顟B(tài)到完全導(dǎo)通狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)電路所需提供的電荷，是一個(gè)用于評(píng)估MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)能力的主要參數(shù)。 Id，漏極電流，漏極電流通常有幾種不同的描述方式。根據(jù)工作電流的形式有，連續(xù)漏級(jí)電流及一定脈寬的脈沖漏極電流(Pulsed drain cu...

防雷元件中開關(guān)元件與限壓元件的區(qū)別有哪些？防雷元件一般分為：開關(guān)元件類、限壓元件類、防過流和過熱保護(hù)元件類三種。首先，從二者的工作原理上來說.正常工作時(shí)，開關(guān)元件是斷開的；當(dāng)雷擊浪涌來的時(shí)候，開關(guān)元件導(dǎo)通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護(hù)了電子設(shè)備免受浪涌沖擊損...

穩(wěn)壓管的工作原理是什么？穩(wěn)壓管的工作原理：穩(wěn)壓管也是一種晶體二極管，它是利用PN結(jié)的擊穿區(qū)具有穩(wěn)定電壓的特性來工作的。穩(wěn)壓管在穩(wěn)壓設(shè)備和一些電子電路中獲得普遍的應(yīng)用。把這種類型的二極管稱為穩(wěn)壓管，以區(qū)別用在整流、檢波和其他單向?qū)щ妶?chǎng)合的二極管。當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電...

穩(wěn)壓管和二極管有重要區(qū)別。第1，二極管一般在正向電壓下人作，穩(wěn)壓管則在反向擊穿狀態(tài)下工作，二者用法不同；第二，普通二極管的反向擊穿電壓一般在 40V以上，高的可達(dá)幾百伏至上千伏，而且在伏安特性曲線反向擊穿的一段不陡，即反向擊穿電壓的范圍較大，動(dòng)態(tài)電阻也比較大。...

穩(wěn)壓管的檢測(cè)：穩(wěn)壓值的測(cè)量：用0~30V連續(xù)可調(diào)直流電源，對(duì)于13V以下的穩(wěn)壓管，可將穩(wěn)壓電源的輸出電壓調(diào)至15V，將電源正極串接1只1.5kΩ限流電阻后與被測(cè)穩(wěn)壓管的負(fù)極相連接，電源負(fù)極與穩(wěn)壓管的正極相接，再用萬用表測(cè)量穩(wěn)壓管兩端的電壓值，所測(cè)的讀數(shù)即為穩(wěn)壓...

需要應(yīng)對(duì)ESD保護(hù)器件的地方便是在電氣設(shè)備可能與人體或物體接觸的所有點(diǎn)處，都需要采用ESD對(duì)策。包括USB2.0、USB3.0、輸出終端、LAN，或是用戶連接或斷開連接器的其他點(diǎn)，以及需要觸摸電子產(chǎn)品的操作按鈕的情況，或者設(shè)備在生產(chǎn)過程中會(huì)接觸到電路板，以及使...

一個(gè)NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個(gè)N型 MOSFET（以下簡(jiǎn)稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的 是位于 的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源極與漏極...

如何選擇ESD保護(hù)器件？要選擇適當(dāng)?shù)腅SD保護(hù)器件(通常是TVS）構(gòu)建ESD電路，應(yīng)考慮較大工作電壓、寄生電容(Cin）、引腳配置、鉗制電壓、封裝類型和ESD抵抗力等。確定ESD保護(hù)器件工作電壓之前，需要了解保護(hù)電路的工作電壓。在選擇ESD保護(hù)器件工作電壓后，...

ESD保護(hù)器件在操作原理和原材料方面各自不同，以實(shí)現(xiàn)必要的功能。EDS保護(hù)器件大致分為陶瓷基類型和使用硅或聚合物作為原料的半導(dǎo)體基類型。陶瓷基類型則分為兩種，即采用電壓依賴型可變電阻器的壓敏電阻型，和電極間放電的抑制型，半導(dǎo)體基類型則包括齊納(恒定電壓)二極管...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管參數(shù)：(一)DC Spark-over Voltage直流火花放電電壓（直流擊穿電壓），GDT的直流放電電壓是指施加緩慢升高的直流電壓時(shí)，GDT火花放電時(shí)的電壓，也稱直流擊穿電壓。在上升陡度低于100V/s的電壓作用下測(cè)量，GDT應(yīng)...

穩(wěn)壓管原理是利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，電流在很大范圍內(nèi)變化但是電壓卻基本維持不變。是一種直到臨界反向擊穿電壓的都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻電流增加而電壓則保持恒定，使用時(shí)需要反接。穩(wěn)壓管的檢測(cè)：正、負(fù)電極...

防雷器件玻璃放電管在產(chǎn)品中的基本應(yīng)用：玻璃放電管（放電管）是20世紀(jì)末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷氣體放電管和半導(dǎo)體過壓保護(hù)器的優(yōu)點(diǎn)：絕緣電阻高（≥10^8Ω）、極間電容?。ā?.8pF）、放電電流較大（較大達(dá)3 kA）、雙向?qū)ΨQ性、反應(yīng)速度快（不存在沖擊擊穿...

ESD靜電保護(hù)元器件選型指南：1）ESD靜電二極管的截止電壓要大于電路中至高工作電壓；2）脈沖峰值電流IPP 和至大箝位電壓VC 的選擇，要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的至大浪涌電流來選擇合適IPP的型號(hào)，需要注意的是，此時(shí)的VC 應(yīng)小于被保護(hù)晶片所能耐受的至大峰值電壓...

穩(wěn)壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩(wěn)壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩(wěn)壓管較高可達(dá)200V。過去國產(chǎn)穩(wěn)壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價(jià)格高。近年來來全系列玻封存穩(wěn)壓管大量問世，其優(yōu)點(diǎn)是規(guī)格齊全（Vz=2.4～200V）、穩(wěn)壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

防雷器件就是用于在雷擊浪涌的過電壓過電流的情況下為電路以及各類電力電氣設(shè)備提供防護(hù)。防雷器件正常工作時(shí)，防雷器件是斷開的；當(dāng)雷擊浪涌來的時(shí)候，防雷器件導(dǎo)通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護(hù)了電子設(shè)備免受浪涌沖擊損壞。市場(chǎng)中常見的防雷器件有以下幾種：半導(dǎo)體放電管、...

MOSFET在數(shù)字電路上應(yīng)用的一大優(yōu)勢(shì)是對(duì)直流（DC）信號(hào)而言，MOSFET的柵極端阻抗為無限大（等效于開路），也就是理論上不會(huì)有電流從MOSFET的柵極端流向電路里的接地點(diǎn)，而是完全由電壓控制柵極的形式。這讓MOSFET更為省電，而且也更易于驅(qū)動(dòng)。在CMOS...

穩(wěn)壓管用于過壓保護(hù)，當(dāng)電路正常時(shí)，穩(wěn)壓管兩端的電壓低于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值，因此穩(wěn)壓管相當(dāng)于開路不存在；當(dāng)電路出現(xiàn)異常，電源端的電壓異常升高時(shí)，穩(wěn)壓管工作于鉗位或擊穿狀態(tài)，保護(hù)后級(jí)的負(fù)載。這一類應(yīng)用，需要工程師明白設(shè)計(jì)時(shí)的保護(hù)目的和保護(hù)時(shí)的電源過壓狀態(tài)。實(shí)際應(yīng)用中大...

防雷器件的使用是設(shè)備防雷的基礎(chǔ)，了解個(gè)中防雷器件的優(yōu)缺點(diǎn)是正確選擇防雷器件的根本。常見防雷器件優(yōu)點(diǎn)解析：金屬氧化物壓敏電阻（Metal Oxside Varistor)該元件在一定溫度下，導(dǎo)電性能隨電壓的增加而急劇增大。它是一種以氧化鋅為主要成分的金屬氧化物半...

LED電源防雷器件高能微型貼片壓敏電阻 ：這種電阻器目前均采用無鉛工藝制造，其芯片為陶瓷SMD型氧化鋅結(jié)構(gòu)，絕緣外套保持良好的穩(wěn)定的低漏電流，與其他的貼片壓敏電阻器相比，高能微型貼片壓敏電阻的電鍍終止能夠提供良好可焊性，響應(yīng)時(shí)間也非常快，其本身的通流能力極好，...

ESD保護(hù)器件分類：ESD（Electro-Static discharge）器件又稱靜電保護(hù)器件，常見的ESD保護(hù)器件主要有壓敏電阻、硅材料的TVS二極管以及陶瓷材料的A-TVS等。壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件，在遭受ESD時(shí)，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相...

芯片級(jí)保護(hù)器件：正向?qū)ǘO管具有很強(qiáng)的泄放能力，是重要的保護(hù)器件，在射頻、數(shù)字端口保護(hù)中常用。但是反向二極管電流能力弱，若作為ESD保護(hù)，需要較大的芯片面積。三極管和GGNMOS在反偏結(jié)擊穿后，整體器件進(jìn)入電導(dǎo)調(diào)制的滯回狀態(tài)，形成S形滯回曲線，泄放電流。SC...

ESD TVS器件采用的技術(shù)：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件為消弧器件，且總是雙向保護(hù)器件。它們的電容很低，對(duì)高速應(yīng)用具有吸引力。但是它們的短處是導(dǎo)通電壓高、導(dǎo)通阻抗性能相對(duì)較差，遭受多次應(yīng)力時(shí)易于性能下降。TVS二極管，如今大多數(shù)的二極管都是采用硅制造...

ESD對(duì)IC的損傷主要有兩類，即大電流產(chǎn)生局部熱量、高電場(chǎng)損傷絕緣層，都會(huì)導(dǎo)致電路或者器件功能性能的異常。ESD保護(hù)的基本原理就是并聯(lián)保護(hù)器件，以此泄放大電流和鉗位高電壓，避免對(duì)內(nèi)部電路造成損傷。保護(hù)的原理已經(jīng)非常清楚，那么在具體實(shí)施過程中，一種方式是減少靜電...

功率MOSFET的基本特性：漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性，ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為跨導(dǎo)Gfs。MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的截止區(qū)）；飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管參數(shù)：(一)DC Spark-over Voltage直流火花放電電壓（直流擊穿電壓），GDT的直流放電電壓是指施加緩慢升高的直流電壓時(shí)，GDT火花放電時(shí)的電壓，也稱直流擊穿電壓。在上升陡度低于100V/s的電壓作用下測(cè)量，GDT應(yīng)...