有色金屬大多是加工成材后使用,因此如何合理有效地生產(chǎn)性能良好、物美價(jià)廉的有色金屬材料以取得比較大的社會(huì)經(jīng)濟(jì)效益,是個(gè)十分重要的問(wèn)題。隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步與國(guó)民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,對(duì)于有色金屬材料在數(shù)量、品種、質(zhì)量及成本等方面不斷提出新的要求;不僅要求提供更好性能的結(jié)構(gòu)材...
第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目...
有色金屬中的銅是人類**早使用的金屬材料之一?,F(xiàn)代有色金屬及其合金已成為機(jī)械制造業(yè)、建筑業(yè)、電子工業(yè)、航空航天、核能利用等領(lǐng)域不可缺少的結(jié)構(gòu)材料和功能材料。實(shí)際應(yīng)用中,通常將有色金屬分為5類:輕金屬密度小于4500千克/立方米(0.53~4.5g/cm3),如...
隨著世界經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,許多國(guó)家高速鐵路、電力、水利、基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和更新將迎來(lái)高峰,這些都將使得有色金屬需求保持增長(zhǎng)。但從有色金屬產(chǎn)品結(jié)構(gòu)還不能適應(yīng)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)的需要。據(jù)統(tǒng)計(jì),2014年1~2月,協(xié)會(huì)重點(diǎn)聯(lián)系的51家企業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)比2013年同期下降57.6%,虧損面...
當(dāng)今有色金屬已成為決定一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)、科學(xué)技術(shù)、**建設(shè)等發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ),是提升國(guó)家綜合實(shí)力和保障**的關(guān)鍵性戰(zhàn)略資源。作為有色金屬生產(chǎn)***大國(guó),我國(guó)在有色金屬研究領(lǐng)域,特別是在復(fù)雜低品位有色金屬資源的開(kāi)發(fā)和利用上取得了長(zhǎng)足進(jìn)展。形勢(shì)一:全球經(jīng)濟(jì)緩慢回暖,...
3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上,稱為集成電路...
晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)...
隨著世界經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,許多國(guó)家高速鐵路、電力、水利、基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和更新將迎來(lái)高峰,這些都將使得有色金屬需求保持增長(zhǎng)。但從有色金屬產(chǎn)品結(jié)構(gòu)還不能適應(yīng)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)的需要。據(jù)統(tǒng)計(jì),2014年1~2月,協(xié)會(huì)重點(diǎn)聯(lián)系的51家企業(yè)實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)比2013年同期下降57.6%,虧損面...
第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉...
在偶極層內(nèi)部電場(chǎng)很強(qiáng)。當(dāng)外加反向電壓達(dá)到一定閾值時(shí),偶極層內(nèi)部會(huì)發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個(gè)數(shù)量級(jí)。利用PN結(jié)的這些特性在各種應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)制成的二極管有:整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變?nèi)荻O管、開(kāi)關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管(曾訥二極管)、崩越二極管(碰撞雪...
在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件(CCD),它是以半導(dǎo)體表面附近存儲(chǔ)的電荷作為信息,控制表面附近的勢(shì)阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通??梢杂米餮舆t線和存儲(chǔ)器等;配上光電二極管列陣,可用作攝像管。命名方法中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體...
3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上,稱為集成電路...
晶體管又可以分為雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同,晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開(kāi)關(guān)用的 一般晶體管外,還有一些特殊用途的晶體管,如光晶體管、磁敏晶體管,場(chǎng)效應(yīng)傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)...
第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目...
第四部分:用數(shù)字表示序號(hào)第五部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào)例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個(gè)部分,其各部分的符號(hào)意義如下:***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目...
比表面積檢測(cè)其實(shí)是比較耗費(fèi)時(shí)間的工作,由于樣品吸附能力的不同,有些樣品的測(cè)試可能需要耗費(fèi)一整天的時(shí)間,如果測(cè)試過(guò)程沒(méi)有實(shí)現(xiàn)完全自動(dòng)化,那測(cè)試人員就時(shí)刻都不能離開(kāi),并且要高度集中,觀察儀表盤(pán),操控旋鈕,稍不留神就會(huì)導(dǎo)致測(cè)試過(guò)程的失敗,這會(huì)浪費(fèi)測(cè)試人員很多的寶貴時(shí)...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻(簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)),使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏??刂茩M向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種:①結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極);②MOS場(chǎng)效應(yīng)管(用金屬...
第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制...
當(dāng)今有色金屬已成為決定一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)、科學(xué)技術(shù)、**建設(shè)等發(fā)展的重要物質(zhì)基礎(chǔ),是提升國(guó)家綜合實(shí)力和保障**的關(guān)鍵性戰(zhàn)略資源。作為有色金屬生產(chǎn)***大國(guó),我國(guó)在有色金屬研究領(lǐng)域,特別是在復(fù)雜低品位有色金屬資源的開(kāi)發(fā)和利用上取得了長(zhǎng)足進(jìn)展。形勢(shì)一:全球經(jīng)濟(jì)緩慢回暖,...
第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管,JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)...
有色金屬工業(yè)包括地質(zhì)勘探、采礦、選礦、冶煉和加工等部門(mén)。礦石中有色金屬含量一般都較低,為了得到1噸有色金屬,往往要開(kāi)采成百噸以至萬(wàn)噸以上的礦石。因此礦山是發(fā)展有色金屬工業(yè)的重要基礎(chǔ)。有色金屬礦石中常是多種金屬共生,因此必須合理提取和回收有用組分,做好綜合利用,...
第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開(kāi)關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開(kāi)放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉...
形勢(shì)五:國(guó)際環(huán)境總體上持續(xù)改善,但短期內(nèi)制約因素復(fù)雜。我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速增長(zhǎng)使國(guó)際關(guān)系調(diào)整總體上有利,在提高國(guó)外資源保障能力,引進(jìn)研發(fā)、品牌等高水平生產(chǎn)要素方面空間擴(kuò)大。但國(guó)際利益格局調(diào)整十分復(fù)雜,貿(mào)易保護(hù)主義、資源民族主義傾向抬頭,影響行業(yè)發(fā)展。例如,WTO做出美...
有色金屬是國(guó)民經(jīng)濟(jì)、人民日常生活及**工業(yè)、科學(xué)技術(shù)發(fā)展必不可少的基礎(chǔ)材料和重要的戰(zhàn)略物資。農(nóng)業(yè)現(xiàn)代化、工業(yè)現(xiàn)代化、**和科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化都離不開(kāi)有色金屬。例如飛機(jī)、導(dǎo)彈、火箭、衛(wèi)星、核潛艇等前列武器以及原子能、電視、通訊、雷達(dá)、電子計(jì)算機(jī)等前列技術(shù)所需的構(gòu)件或...
形勢(shì)五:國(guó)際環(huán)境總體上持續(xù)改善,但短期內(nèi)制約因素復(fù)雜。我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速增長(zhǎng)使國(guó)際關(guān)系調(diào)整總體上有利,在提高國(guó)外資源保障能力,引進(jìn)研發(fā)、品牌等高水平生產(chǎn)要素方面空間擴(kuò)大。但國(guó)際利益格局調(diào)整十分復(fù)雜,貿(mào)易保護(hù)主義、資源民族主義傾向抬頭,影響行業(yè)發(fā)展。例如,WTO做出美...
第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊(cè)登記的半導(dǎo)體分立器件。第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制...
第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號(hào)器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開(kāi)關(guān)三極管,JAN-軍級(jí)、2-三極管、N-EIA 注冊(cè)標(biāo)志、3251-EIA登記順序號(hào)、A-2N3251A檔。國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)...
有色金屬中的銅是人類**早使用的金屬材料之一?,F(xiàn)代有色金屬及其合金已成為機(jī)械制造業(yè)、建筑業(yè)、電子工業(yè)、航空航天、核能利用等領(lǐng)域不可缺少的結(jié)構(gòu)材料和功能材料。實(shí)際應(yīng)用中,通常將有色金屬分為5類:輕金屬密度小于4500千克/立方米(0.53~4.5g/cm3),如...
3、晶閘管型號(hào)的后綴也是數(shù)字,通常標(biāo)出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管,AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上,稱為集成電路...
晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成一個(gè) PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處,由于P型半導(dǎo)體中的空穴和N型半導(dǎo)體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U(kuò)散而形成一個(gè)具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴(kuò)散而使PN結(jié)達(dá)到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)...