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對于大功率IGBT，選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求：器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條...

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電...

雙向可控硅屬于NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙向導通，故除門極G以外的兩個電極統(tǒng)稱為主端子，用T1、T2表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對于T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極...

3、調節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗?。环粗畡t慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。...

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。...

（4）變容電路在變容電路中常用變容二極管來實現(xiàn)電路的自動頻率控制、調諧、調頻以及掃描振蕩等。 [6]工業(yè)產(chǎn)品應用經(jīng)過多年來科學家們不懈努力，半導體二極管發(fā)光的應用已逐步得到推廣，發(fā)光二極管廣泛應用于各種電子產(chǎn)品的指示燈、光纖通信用光源、各種儀表的指示器以及照明...

光敏二極管是將光信號變成電信號的半導體器件。它的**部分也是一個PN結，和普通二極管相比，在結構上不同的是，為了便于接受入射光照，PN結面積盡量做的大一些，電極面積盡量小些，而且PN結的結深很淺，一般小于1微米。光敏二極管是在反向電壓作用之下工作的。沒有光照時...

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗...

電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當在陽極和陰極之間加上...

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發(fā)信號是正向還是反向，它都能被觸發(fā)導通，因此它有以下四種觸發(fā)方式：(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制極G對***電極Tl所加的也是...

對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管...

點接觸型二極管點接觸型二極管的PN結接觸面積小，不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開關電路中使用 [5]。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結接觸面積大，可以通過較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路...

3、調節(jié)功率開關器件的通斷速度柵極電阻小，開關器件通斷快，開關損耗??；反之則慢，同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴重的將使整個裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種...

無論是在常見的收音機電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片...

2023年5月，新加坡—麻省理工學院研究與技術聯(lián)盟的科學家開發(fā)了世界上**小的LED。 發(fā)光二極管簡稱為LED。由含鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。當電子與空穴復合時能輻射出可見光，因而可以用來制成發(fā)光二極管。在電路及儀器中作為指示燈...

熔斷電流，指導線在熔斷時所能通過的比較大的電流。但隨著導線的電阻增大，其熔斷電流也將降低。熔斷電流：Fusing current 單位： mA，A等。在導線橫截面積一定的情況下，長度越長，電阻越大，其熔斷電流也就越小。在長度一定的情況下，導線橫截面積越大，其電...

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的漏極(D)，紅表筆接IGBT 的源極(S)，此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時IGBT 被觸發(fā)導通，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

（三）環(huán)保LED燈內部不含有任何的汞等重金屬材料，但是熒光燈中含有，這就體現(xiàn)了LED燈環(huán)保的特點?，F(xiàn)在的人都十分重視環(huán)保，所以，會有更多的人愿意選擇環(huán)保的LED燈。 [3]（四）響應速度快LED燈還有一個突出的特點，就是反應的速度比較快。只要一接通電源，LED...

（3）部分斷路器分斷能力較小，如額定電流較小的斷路器裝設在靠近大容量變壓器位置時，會使分斷能力不夠。現(xiàn)有高分斷能力的產(chǎn)品可以滿足，但價較高。選擇型斷路器：1、主要優(yōu)點和特點（1）具有非選擇性斷路器上述各項優(yōu)點；（2）具有多種保護功能，有長延時、瞬時、短延時和接...

快速熔斷器是一種熔斷器的一種，快速熔斷器主要用于半導體整流元件或整流裝置的短路保護。由于半導體元件的過載能力很低。只能在極短時間內承受較大的過載電流，因此要求短路保護具有快速熔斷的能力?？焖偃蹟嗥鞯慕Y構和有填料封閉式熔斷器基本相同，但熔體材料和形狀不同，它是以...

IGBT 的開關特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關系。IGBT 處于導通態(tài)時，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構，但流過MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。由于N+ 區(qū)存在電導調制效應，所以IGBT...

這個實驗告訴我們，要使晶閘管導通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發(fā)電壓。晶閘管導通后，松開按鈕開關，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導通狀態(tài)。晶閘管特點“一觸即發(fā)”。但是，如果陽極或控制極外加的是反向電壓，晶閘管就...

二極管的電路符號如圖1所示。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。 [4]二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性，在PN結上加上引線和封裝就成了一個...

紅外發(fā)光二極管1. 判別紅外發(fā)光二極管的正、負電極。紅外發(fā)光二極管有兩個引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見，內部電極較寬較大的一個為負極，而較窄且小的一個為正極。 [8]2. 先測量紅個發(fā)光二極管的正、反向...

當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結，從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電...

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗***增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。可控硅...

2、保護單臺長期工作的電機熔體電流可按比較大起動電流選取，也可按下式選?。篒RN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN--熔體額定電流；IN--電動機額定電流。如果電動機頻繁起動，式中系數(shù)可適當加大至3～3.5，具體應根據(jù)實際情況而定。3、保護多臺長期工作的電...