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占據(jù)全球 90% 市場(chǎng)份額的硅二極管，憑借 1.12eV 帶隙與成熟的平面鈍化工藝，成為通用。典型如 1N4007（1A/1000V）整流管，采用玻璃鈍化技術(shù)將漏電流控制在 0.1μA 以下，在全球超 10 億臺(tái)家電電源中承擔(dān)整流任務(wù)，其面接觸型結(jié)構(gòu)可承受 1...

二極管是電子電路中實(shí)現(xiàn)單向?qū)щ姷年P(guān)鍵元件，如同電路的“單向閥門”，在整流、穩(wěn)壓、開關(guān)等場(chǎng)景中扮演關(guān)鍵角色。其關(guān)鍵由PN結(jié)構(gòu)成，通過(guò)控制電流單向流動(dòng)實(shí)現(xiàn)功能，按材料可分為硅二極管（耐壓高、穩(wěn)定性強(qiáng)，導(dǎo)通電壓0.6-0.7V）和鍺二極管（導(dǎo)通電壓低至0.2-0...

0.66eV 帶隙使鍺二極管導(dǎo)通電壓低至 0.2V，結(jié)電容可小至 0.5pF，曾是高頻通信的要點(diǎn)。2AP9 檢波管在 AM 收音機(jī)中解調(diào) 535-1605kHz 信號(hào)時(shí)，失真度＜3%，其點(diǎn)接觸型結(jié)構(gòu)通過(guò)金絲壓接形成 0.01mm2 的 PN 結(jié)，適合處理微安級(jí)...

在工業(yè)機(jī)器人的視覺伺服控制系統(tǒng)中，穩(wěn)壓二極管為視覺傳感器和伺服控制電路提供穩(wěn)定的電壓。視覺伺服控制系統(tǒng)需要實(shí)現(xiàn)機(jī)器人對(duì)目標(biāo)的精確跟蹤和控制，對(duì)電源的穩(wěn)定性要求極高。電壓波動(dòng)可能導(dǎo)致視覺跟蹤不準(zhǔn)確、伺服控制失效等問(wèn)題，影響機(jī)器人的工作精度和效率。穩(wěn)壓二極管能夠穩(wěn)...

物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展，促使萬(wàn)物互聯(lián)成為現(xiàn)實(shí)，這一趨勢(shì)極大地拓展了二極管的應(yīng)用邊界。在海量的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，從智能家居的傳感器、智能門鎖，到工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的各類監(jiān)測(cè)節(jié)點(diǎn)，都離不開二極管。低功耗肖特基二極管用于為設(shè)備提供穩(wěn)定的電源整流，延長(zhǎng)電池使用壽命；穩(wěn)壓二極管確保設(shè)備在...

航空航天領(lǐng)域?qū)﹄娮釉骷男阅?、可靠性與穩(wěn)定性有著極為嚴(yán)苛的要求，二極管作為基礎(chǔ)元件，其發(fā)展前景同樣廣闊。在飛行器的電子控制系統(tǒng)中，耐高溫、抗輻射的二極管用于保障系統(tǒng)在極端環(huán)境下的正常運(yùn)行；在衛(wèi)星通信系統(tǒng)中，高頻、低噪聲二極管用于信號(hào)的接收與發(fā)射，確保衛(wèi)星與地...

材料創(chuàng)新是 MOSFET 技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。傳統(tǒng) Si 基 MOSFET 面臨物理極限，而寬禁帶材料（如 SiC、GaN）的應(yīng)用為性能突破提供了可能。SiC MOSFET 具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，適用于電動(dòng)汽車逆變器與工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。例如，特斯拉...

MOSFET在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用，對(duì)于保障數(shù)據(jù)的安全、高效存儲(chǔ)和處理至關(guān)重要。在服務(wù)器中MOSFET用于電源管理和信號(hào)處理。它能夠根據(jù)服務(wù)器的負(fù)載情況，動(dòng)態(tài)調(diào)整電源供應(yīng)，提高能源利用效率。同時(shí)，在高速數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程中，MOSFET可確保信號(hào)的完整性和穩(wěn)定性，減少...

穩(wěn)壓二極管的工作基礎(chǔ)是齊納擊穿效應(yīng)，主要用于反向偏置時(shí)的電壓穩(wěn)定。當(dāng)反向電壓達(dá)到特定值（齊納電壓），內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度足以直接拉斷半導(dǎo)體共價(jià)鍵，產(chǎn)生大量電子 - 空穴對(duì)，形成穩(wěn)定的擊穿電流。與通過(guò)碰撞電離引發(fā)的雪崩擊穿不同，齊納擊穿通常發(fā)生在較低電壓（小于 5V），...

5G 通信網(wǎng)絡(luò)的大規(guī)模建設(shè)與普及，為二極管帶來(lái)了廣闊的應(yīng)用前景。5G 基站設(shè)備對(duì)高頻、高速、低功耗的二極管需求極為迫切。例如，氮化鎵（GaN）二極管憑借其的電子遷移率和高頻性能，在 5G 基站的射頻前端電路中，可實(shí)現(xiàn)高效的信號(hào)放大與切換，大幅提升基站的信號(hào)處理...

PN 結(jié)是二極管的結(jié)構(gòu)，其單向?qū)щ娦栽从谳d流子的擴(kuò)散與漂移運(yùn)動(dòng)。當(dāng) P 型（空穴多）與 N 型（電子多）半導(dǎo)體結(jié)合時(shí)，交界處形成內(nèi)建電場(chǎng)（約 0.7V 硅材料），阻止載流子進(jìn)一步擴(kuò)散。正向?qū)〞r(shí)（P 接正、N 接負(fù)），外電場(chǎng)削弱內(nèi)建電場(chǎng)，空穴與電子大量穿越結(jié)區(qū)...

光電二極管基于內(nèi)光電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。當(dāng) PN 結(jié)受光照射，光子激發(fā)電子 - 空穴對(duì)，在結(jié)區(qū)電場(chǎng)作用下形成光電流，反向偏置時(shí)效應(yīng)更。通過(guò)減薄有源層與優(yōu)化電極，響應(yīng)速度可達(dá)納秒級(jí)。 硅基型號(hào)（如 BPW34）在可見光區(qū)量子效率超 70%，用于光強(qiáng)檢測(cè)...

發(fā)光二極管（LED）將電能直接轉(zhuǎn)化為光能，顛覆了傳統(tǒng)照明模式。早期 GaAsP 紅光 LED（光效 1lm/W）用于儀器指示燈，而氮化鎵藍(lán)光 LED（20lm/W）的誕生，配合熒光粉實(shí)現(xiàn)白光照明（光效＞100lm/W），能耗為白熾燈的 1/10。Micro-L...

穩(wěn)壓二極管的工作基礎(chǔ)是齊納擊穿效應(yīng)，主要用于反向偏置時(shí)的電壓穩(wěn)定。當(dāng)反向電壓達(dá)到特定值（齊納電壓），內(nèi)建電場(chǎng)強(qiáng)度足以直接拉斷半導(dǎo)體共價(jià)鍵，產(chǎn)生大量電子 - 空穴對(duì)，形成穩(wěn)定的擊穿電流。與通過(guò)碰撞電離引發(fā)的雪崩擊穿不同，齊納擊穿通常發(fā)生在較低電壓（小于 5V），...

材料創(chuàng)新始終是推動(dòng)二極管性能提升與應(yīng)用拓展的動(dòng)力。傳統(tǒng)的硅基二極管正不斷通過(guò)優(yōu)化工藝，提升性能。而以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為的寬禁帶半導(dǎo)體材料，正二極管進(jìn)入全新發(fā)展階段。SiC 二極管憑借高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、低導(dǎo)通電阻，在高壓、大功率應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)；GaN 二...

0.66eV 帶隙使鍺二極管導(dǎo)通電壓低至 0.2V，結(jié)電容可小至 0.5pF，曾是高頻通信的要點(diǎn)。2AP9 檢波管在 AM 收音機(jī)中解調(diào) 535-1605kHz 信號(hào)時(shí)，失真度＜3%，其點(diǎn)接觸型結(jié)構(gòu)通過(guò)金絲壓接形成 0.01mm2 的 PN 結(jié)，適合處理微安級(jí)...

光電二極管基于內(nèi)光電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)光信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。當(dāng) PN 結(jié)受光照射，光子激發(fā)電子 - 空穴對(duì)，在結(jié)區(qū)電場(chǎng)作用下形成光電流，反向偏置時(shí)效應(yīng)更。通過(guò)減薄有源層與優(yōu)化電極，響應(yīng)速度可達(dá)納秒級(jí)。 硅基型號(hào)（如 BPW34）在可見光區(qū)量子效率超 70%，用于光強(qiáng)檢測(cè)...

1970 年代，硅整流二極管（如 1N5408）替代機(jī)械式觸點(diǎn)，用于汽車發(fā)電機(jī)整流 —— 其 100V 反向耐壓和 30A 平均電流，使發(fā)電效率從 60% 提升至 85%，同時(shí)將故障間隔里程從 5000 公里延長(zhǎng)至 5 萬(wàn)公里。1990 年代，快恢復(fù)二極管（F...

低頻二極管（＜100kHz）：工頻場(chǎng)景的主力 采用面接觸型結(jié)構(gòu)，結(jié)電容＞100pF，如 1N5404（3A/400V）用于電焊機(jī)時(shí)，在 50Hz 工頻下效率達(dá) 95%，配合散熱片可連續(xù)工作 8 小時(shí)以上。鋁電解電容配套的橋式整流堆（KBPC3510），內(nèi)部集成...

0201 封裝肖特基二極管（SS14）體積 0.6mm×0.3mm，重量不足 0.01g，用于 TWS 耳機(jī)充電倉(cāng)時(shí)，可在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn) 5V/1A 整流，效率達(dá) 93%。ESD5481MUT 保護(hù)二極管（SOT-143 封裝）可承受 20kV 人體靜電沖擊，...

發(fā)光二極管基于半導(dǎo)體的電致發(fā)光效應(yīng)，當(dāng) PN 結(jié)正向?qū)〞r(shí)，電子與空穴在結(jié)區(qū)復(fù)合，釋放能量并以光子形式發(fā)出。半導(dǎo)體材料的帶隙寬度決定發(fā)光波長(zhǎng)：例如砷化鎵（帶隙較窄）發(fā)紅光，氮化鎵（帶隙較寬）發(fā)藍(lán)光。通過(guò)熒光粉轉(zhuǎn)換技術(shù)（如藍(lán)光激發(fā)黃色熒光粉）可實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射，光效...

高頻二極管（＞10MHz）：通信世界的神經(jīng)突觸 GaAs PIN 二極管（Cj＜0.2pF）在 5G 基站 28GHz 毫米波電路中，插入損耗＜1dB，切換速度達(dá) 1ns，用于相控陣天線的信號(hào)路徑切換，可同時(shí)跟蹤 200 個(gè)以上目標(biāo)。衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)（如 GPS）...

芯片級(jí)封裝（CSP）與集成封裝：極限微型化的突破 01005 尺寸二極管面積 0.08mm2，采用銅柱倒裝焊技術(shù)，寄生電容＜0.1pF，用于 AR 眼鏡的射頻電路，支持 60GHz 毫米波信號(hào)傳輸。橋式整流堆（KBPC3510）將 4 個(gè)二極管集成于一個(gè) TO...

插件封裝（THT）：傳統(tǒng)工藝的堅(jiān)守 DO-41 封裝的 1N4007（1A/1000V）引腳間距 2.54mm，適合手工焊接與維修，在工業(yè)設(shè)備中仍應(yīng)用，其玻璃鈍化工藝確保在高濕度環(huán)境下漏電流＜1μA。軸向封裝的高壓硅堆（如 2CL200kV/10mA）采用陶瓷...

0.66eV 帶隙使鍺二極管導(dǎo)通電壓低至 0.2V，結(jié)電容可小至 0.5pF，曾是高頻通信的要點(diǎn)。2AP9 檢波管在 AM 收音機(jī)中解調(diào) 535-1605kHz 信號(hào)時(shí)，失真度＜3%，其點(diǎn)接觸型結(jié)構(gòu)通過(guò)金絲壓接形成 0.01mm2 的 PN 結(jié)，適合處理微安級(jí)...

除主流用途外，二極管在特殊場(chǎng)景中展現(xiàn)多元價(jià)值。恒流二極管（如 TL431）為 LED 燈帶提供 10mA±1% 恒定電流，在 2-30V 電壓波動(dòng)下亮度均勻性＜3%。磁敏二極管（MSD）對(duì)磁場(chǎng)靈敏度達(dá) 10%/mT，用于無(wú)接觸式電流檢測(cè)，在新能源汽車電機(jī)中替代...

1958 年，德州儀器工程師基爾比完成歷史性實(shí)驗(yàn)：將鍺二極管、電阻和電容集成在 0.8cm2 鍺片上，制成首塊集成電路（IC），雖 能實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單振蕩功能，卻證明 “元件微縮化” 的可行性。1963 年，仙童半導(dǎo)體推出雙極型集成電路，創(chuàng)新性地將肖特基二極管與晶體管...

1970 年代，硅整流二極管（如 1N5408）替代機(jī)械式觸點(diǎn)，用于汽車發(fā)電機(jī)整流 —— 其 100V 反向耐壓和 30A 平均電流，使發(fā)電效率從 60% 提升至 85%，同時(shí)將故障間隔里程從 5000 公里延長(zhǎng)至 5 萬(wàn)公里。1990 年代，快恢復(fù)二極管（F...

肖特基二極管基于金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘效應(yīng)，而非傳統(tǒng) PN 結(jié)結(jié)構(gòu)。當(dāng)金屬（如鋁、金）與 N 型半導(dǎo)體（如硅）接觸時(shí)，會(huì)形成一層極薄的電子阻擋層。正向偏置時(shí)，電子通過(guò)量子隧道效應(yīng)穿越勢(shì)壘，導(dǎo)通壓降 0.3-0.5V（低于硅 PN 結(jié)的 0.7V），例如 M...

發(fā)光二極管（LED）將電能直接轉(zhuǎn)化為光能，顛覆了傳統(tǒng)照明模式。早期 GaAsP 紅光 LED（光效 1lm/W）用于儀器指示燈，而氮化鎵藍(lán)光 LED（20lm/W）的誕生，配合熒光粉實(shí)現(xiàn)白光照明（光效＞100lm/W），能耗為白熾燈的 1/10。Micro-L...