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面向未來的承諾能源效率的提升永無止境。隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，以及全球“雙碳”目標(biāo)的深入推進(jìn)，對高效、高功率密度、高可靠功率器件的需求將持續(xù)增長。寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的成熟與成本下降，將進(jìn)一步加速其在眾多領(lǐng)域的滲透，重塑功率電子的格局。江...

SiC技術(shù)賦能千行百業(yè)SiC功率器件的比較好性能正在多個關(guān)鍵領(lǐng)域引發(fā)改變性變化：新能源汽車：SiC技術(shù)是提升電動車能效與續(xù)航里程的關(guān)鍵。在主驅(qū)動逆變器中應(yīng)用SiC模塊，可比較好降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率（5-10%），同等電池容量下延長續(xù)航里程，并允...

關(guān)鍵性能參數(shù)與設(shè)計(jì)權(quán)衡深入理解低壓MOS管的性能，需關(guān)注以下關(guān)鍵參數(shù)及其相互關(guān)聯(lián)：導(dǎo)通電阻（Rds(on))：這是衡量器件導(dǎo)通損耗的中心指標(biāo)。更低的Rds(on)意味著在相同電流下導(dǎo)通壓降更小，發(fā)熱更少，效率更高。低壓MOS管的設(shè)計(jì)目標(biāo)之一就是持續(xù)優(yōu)化Rds(...

電池管理系統(tǒng)（BMS）與保護(hù)：充放電控制/保護(hù)： 在鋰電池保護(hù)板（如手機(jī)、筆記本電池）、電動車BMS中，低壓MOS管構(gòu)成保護(hù)開關(guān)，負(fù)責(zé)在過充、過放、過流等異常情況下快速切斷電池回路。要求極低的Rds(on)以減小壓降損耗，可靠的短路耐受能力，以及精確的驅(qū)動控制...

未來展望：材料突破與智能集成面對硅基IGBT逐漸逼近物理極限的現(xiàn)實(shí)，產(chǎn)業(yè)界正積極探索下一代技術(shù)：寬禁帶半導(dǎo)體崛起：碳化硅（SiC）MOSFET和氮化鎵（GaN）HEMT憑借其禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)高、電子飽和漂移速率快、熱導(dǎo)率高等先天優(yōu)勢，在更高效率、更高頻率、...

IGBT作為現(xiàn)代能源轉(zhuǎn)換鏈條中不可或缺的關(guān)鍵一環(huán)，其技術(shù)進(jìn)步直接推動著工業(yè)升級、交通電動化、能源清潔化的歷史進(jìn)程。江東東海半導(dǎo)體股份有限公司立足本土，放眼全球，以持續(xù)的研發(fā)投入、扎實(shí)的工藝積累、嚴(yán)格的質(zhì)量管控以及對應(yīng)用需求的深刻洞察，致力于為客戶提供性能優(yōu)良、...

消費(fèi)電子與家電： 變頻空調(diào)、冰箱、電磁爐等家電通過采用IGBT實(shí)現(xiàn)更安靜、更節(jié)能、更精確的溫度控制。高性能電源適配器、充電器也廣泛應(yīng)用IGBT技術(shù)?？稍偕茉矗?光伏逆變器將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為可并網(wǎng)的交流電，風(fēng)電變流器處理風(fēng)力發(fā)電機(jī)發(fā)出的不穩(wěn)定交流...

挑戰(zhàn)與創(chuàng)新前沿盡管成就斐然，功率器件領(lǐng)域仍面臨挑戰(zhàn)，驅(qū)動持續(xù)創(chuàng)新：成本優(yōu)化：尤其對于寬禁帶器件，襯底材料成本、制造良率仍需持續(xù)改善，加速市場普及。模塊封裝技術(shù)：應(yīng)對更高功率密度、更高開關(guān)速度帶來的散熱與電磁干擾（EMI）挑戰(zhàn)。雙面散熱（DSC）、銀燒結(jié)、AMB...

江東東海半導(dǎo)體：專注創(chuàng)新，服務(wù)市場面對全球范圍內(nèi)對更高能效、更小體積、更強(qiáng)可靠性的持續(xù)追求，江東東海半導(dǎo)體將研發(fā)創(chuàng)新視為發(fā)展的根本動力：深耕硅基技術(shù)：持續(xù)優(yōu)化成熟硅基功率MOSFET和IGBT器件的性能，包括降低導(dǎo)通電阻（Rds(on)/Vce(sat)）、提...

工藝與制造的硬實(shí)力： 依托先進(jìn)的晶圓制造（Fab）生產(chǎn)線和封裝測試基地，公司在關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)（如超薄晶圓加工、高精度光刻、離子注入、薄膜沉積、背面工藝、激光應(yīng)用）以及封裝技術(shù)（如低熱阻/低電感設(shè)計(jì)、高性能焊接/燒結(jié)、先進(jìn)灌封保護(hù)）上具備強(qiáng)大的自主控制能力和穩(wěn)定的...

功率半導(dǎo)體分立器件的基石：中低壓MOS管的技術(shù)演進(jìn)與應(yīng)用解析在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，**率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）如同不可或缺的“電子開關(guān)”，其性能直接影響著能量轉(zhuǎn)換的效能與可靠性。其中，工作電壓范圍在100V以下的低壓MOS管，憑借其...

江東東海半導(dǎo)體：深耕功率，驅(qū)動創(chuàng)新江東東海半導(dǎo)體股份有限公司立足中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前沿，深刻理解高效能源轉(zhuǎn)換對于國家戰(zhàn)略與產(chǎn)業(yè)升級的支撐作用。公司持續(xù)投入資源，專注于：技術(shù)深耕：在硅基MOSFET、IGBT等成熟領(lǐng)域不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能與成本，提升可靠性。前瞻布局...

軌道交通與智能電網(wǎng)：SiC器件在高壓大功率場景下優(yōu)勢突出。在機(jī)車牽引變流器、輔助供電系統(tǒng)中，可提升效率、減輕重量、增加有效載荷。在固態(tài)變壓器（SST）、柔性的交流輸電（FACTS）裝置等智能電網(wǎng)設(shè)備中，SiC是實(shí)現(xiàn)高頻高效電能轉(zhuǎn)換、提升電網(wǎng)靈活性與穩(wěn)定性的理想...

功率器件：賦能現(xiàn)代工業(yè)的隱形基石 在工業(yè)自動化的脈動、新能源汽車的疾馳、家用電器無聲運(yùn)轉(zhuǎn)的背后，一種關(guān)鍵半導(dǎo)體元件——功率器件——正默默承擔(dān)著電能高效轉(zhuǎn)換與精密控制的重任。作為江東東海半導(dǎo)體股份有限公司深耕的關(guān)鍵領(lǐng)域，功率器件技術(shù)的發(fā)展深刻影響著能源利用效率的...

強(qiáng)化制造與品控： 擁有先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)線和現(xiàn)代化的模塊封裝測試工廠。嚴(yán)格實(shí)施全過程質(zhì)量控制體系，從原材料篩選、晶圓制造、芯片測試到封裝老化篩選，層層把關(guān)，確保交付給客戶的每一顆器件都具備穩(wěn)定的性能和長久的使用壽命。聚焦關(guān)鍵應(yīng)用：綠色能源： 為光伏逆變...

先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)與工藝：器件結(jié)構(gòu)創(chuàng)新： 持續(xù)優(yōu)化MOSFET溝槽/平面柵結(jié)構(gòu)、終端保護(hù)結(jié)構(gòu)、元胞設(shè)計(jì)等，平衡導(dǎo)通電阻、開關(guān)特性、柵氧可靠性及短路耐受能力等關(guān)鍵參數(shù)。關(guān)鍵工藝突破： 攻克高溫離子注入、高能活躍退火、低損傷刻蝕、高質(zhì)量柵氧生長與界面態(tài)控制、低阻歐姆接觸...

材料探索： 盡管硅基（Si）技術(shù)仍是低壓MOS管的主流，寬禁帶半導(dǎo)體（如GaN）在超高頻、超高效率應(yīng)用中對硅基MOS管形成挑戰(zhàn)。硅基技術(shù)通過持續(xù)優(yōu)化（如超級結(jié)技術(shù)向低壓延伸、超薄晶圓工藝）鞏固其在成本、成熟度、可靠性與大電流領(lǐng)域的地位。未來將是Si與GaN根據(jù)...

從智能手機(jī)的快充到數(shù)據(jù)中心的高效供電，從電動工具的強(qiáng)勁動力到新能源車的中心電控，低壓MOS管都在默默發(fā)揮著不可或缺的作用。隨著工藝、封裝與設(shè)計(jì)技術(shù)的不斷精進(jìn)，低壓MOS管將在效率提升、功率密度增加、系統(tǒng)智能化方面持續(xù)突破極限。江東東海半導(dǎo)體等企業(yè)在該領(lǐng)域的深耕...

SiC材料的突破性特質(zhì)與產(chǎn)業(yè)價值SiC材料之所以在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)高度關(guān)注，源于其與生俱來的比較好物理屬性：超寬禁帶寬度（~3.3eV）：SiC的禁帶寬度遠(yuǎn)超硅材料（~1.1eV）。這一特性賦予SiC器件在極高電場下穩(wěn)定工作的能力，阻斷電壓可輕松突破千伏乃至...

低壓MOS管技術(shù)演進(jìn)趨勢為應(yīng)對不斷提升的效率、功率密度和可靠性要求，低壓MOS管技術(shù)持續(xù)迭代：工藝精進(jìn)：更先進(jìn)的光刻技術(shù)（如深亞微米）、溝槽柵（Trench）和屏蔽柵（SGT）結(jié)構(gòu)不斷刷新Rds(on)與Qg的極限。SGT結(jié)構(gòu)尤其在高頻、大電流應(yīng)用中表現(xiàn)突出。...

軌道交通與智能電網(wǎng)：SiC器件在高壓大功率場景下優(yōu)勢突出。在機(jī)車牽引變流器、輔助供電系統(tǒng)中，可提升效率、減輕重量、增加有效載荷。在固態(tài)變壓器（SST）、柔性的交流輸電（FACTS）裝置等智能電網(wǎng)設(shè)備中，SiC是實(shí)現(xiàn)高頻高效電能轉(zhuǎn)換、提升電網(wǎng)靈活性與穩(wěn)定性的理想...

功率半導(dǎo)體分立器件的基石：中低壓MOS管的技術(shù)演進(jìn)與應(yīng)用解析在電力電子系統(tǒng)的精密架構(gòu)中，**率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）如同不可或缺的“電子開關(guān)”，其性能直接影響著能量轉(zhuǎn)換的效能與可靠性。其中，工作電壓范圍在100V以下的低壓MOS管，憑借其...

SiC技術(shù)賦能千行百業(yè)SiC功率器件的比較好性能正在多個關(guān)鍵領(lǐng)域引發(fā)改變性變化：新能源汽車：SiC技術(shù)是提升電動車能效與續(xù)航里程的關(guān)鍵。在主驅(qū)動逆變器中應(yīng)用SiC模塊，可比較好降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率（5-10%），同等電池容量下延長續(xù)航里程，并允...

江東東海半導(dǎo)體：深耕功率，驅(qū)動創(chuàng)新江東東海半導(dǎo)體股份有限公司立足中國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前沿，深刻理解高效能源轉(zhuǎn)換對于國家戰(zhàn)略與產(chǎn)業(yè)升級的支撐作用。公司持續(xù)投入資源，專注于：技術(shù)深耕：在硅基MOSFET、IGBT等成熟領(lǐng)域不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能與成本，提升可靠性。前瞻布局...

設(shè)計(jì)低壓MOS管是一個精密的權(quán)衡過程：追求很好的的Rds(on)可能需要更大的芯片面積（增加成本）或更高的Qg（影響開關(guān)性能）；優(yōu)化開關(guān)速度可能需要特殊工藝或結(jié)構(gòu)，可能影響可靠性或成本。很好的器件設(shè)計(jì)是在目標(biāo)應(yīng)用場景下尋求各項(xiàng)參數(shù)的比較好平衡點(diǎn)。負(fù)載開關(guān)與電源...

強(qiáng)化制造與品控： 擁有先進(jìn)的功率半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)線和現(xiàn)代化的模塊封裝測試工廠。嚴(yán)格實(shí)施全過程質(zhì)量控制體系，從原材料篩選、晶圓制造、芯片測試到封裝老化篩選，層層把關(guān)，確保交付給客戶的每一顆器件都具備穩(wěn)定的性能和長久的使用壽命。聚焦關(guān)鍵應(yīng)用：綠色能源： 為光伏逆變...

低壓MOS管：結(jié)構(gòu)與基礎(chǔ)原理MOSFET的中心結(jié)構(gòu)由源極（Source）、柵極（Gate）、漏極（Drain）和位于柵極下方的溝道區(qū)構(gòu)成。其開關(guān)邏輯簡潔而高效：導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)柵極施加足夠正向電壓（Vgs>Vth，閾值電壓），溝道區(qū)形成導(dǎo)電通路，電流（Ids）得以...

功率器件領(lǐng)域的基石：IGBT技術(shù)解析與江東東海半導(dǎo)體的創(chuàng)新實(shí)踐在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的中心地帶，一種名為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的半導(dǎo)體器件正悄然驅(qū)動著能源轉(zhuǎn)換的變化。從新能源汽車的疾馳到工業(yè)電機(jī)的精細(xì)運(yùn)轉(zhuǎn)，從高鐵網(wǎng)絡(luò)的延伸至可再生能源的高效并網(wǎng)，IGBT作...

功率半導(dǎo)體新紀(jì)元：江東東海半導(dǎo)體帶領(lǐng)SiC技術(shù)變革在全球能源轉(zhuǎn)型與電氣化浪潮的推動下，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷深刻變革。以碳化硅（SiC）為表示的第三代半導(dǎo)體材料，憑借其超越傳統(tǒng)硅基器件的優(yōu)異物理特性，正成為提升能源轉(zhuǎn)換效率、實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化輕量化的關(guān)鍵引擎。江東東...

面向未來的承諾能源效率的提升永無止境。隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，以及全球“雙碳”目標(biāo)的深入推進(jìn)，對高效、高功率密度、高可靠功率器件的需求將持續(xù)增長。寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的成熟與成本下降，將進(jìn)一步加速其在眾多領(lǐng)域的滲透，重塑功率電子的格局。江...