非易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器種類比較多，分別是ROM、FLASH以及外部大容量存儲(chǔ)器。ROMROM(ReadOnlyMemory)只讀存儲(chǔ)器，又分為MASKROM(掩模ROM)、OTPROM(一次可編程ROM)、EPROM(電可擦寫ROM)和EEPROM(電可擦寫可編程ROM)。MASKROM：真正意義上的只讀存儲(chǔ)器，一次性由廠家用特殊工藝固化，用戶無法修改。OTPROM：由用戶用專門設(shè)備來一次性寫入數(shù)據(jù)，只能寫入一次。EPROM：可重復(fù)擦寫，解決只能一次寫入的問題，但需要用專門的設(shè)備去操作，已被EEPROM取代。EEPROM：可實(shí)現(xiàn)重復(fù)擦寫，直接用電路控制，不需要專門的設(shè)備來進(jìn)行擦寫。且操作單位為字節(jié)，并不需要操作整個(gè)芯片。EEPROM現(xiàn)在已是主流。正點(diǎn)原子所有開發(fā)板都有使用到EEPROM，用來存儲(chǔ)一些配置信息。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器還具有光盤等相關(guān)存儲(chǔ)記憶的原件。天津24AA02E48T-E/OT存儲(chǔ)器

外存儲(chǔ)器用來儲(chǔ)存不是實(shí)時(shí)成像任務(wù)中獲取的圖像，其與計(jì)算機(jī)有不同的分離層面。已經(jīng)作出診斷的圖像通常因?yàn)榉赡康亩鎯?chǔ)多年。這些圖像被稱為“歸檔”（如磁帶），它們必須在計(jì)算機(jī)上重新安裝才能取回信息．硬盤驅(qū)動(dòng)器中的圖像被物理地安裝在計(jì)算機(jī)上，且能在幾毫秒內(nèi)被訪問。磁存儲(chǔ)器中單個(gè)位被記錄為磁疇，“北極向上”可能意味著1，“北極向下”可能意味著0。更常用的外存儲(chǔ)器設(shè)備以兩種方式之一來存儲(chǔ)信息。磁帶，以大的盤式裝置的形式在20世紀(jì)70年代作為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)的一大支柱，現(xiàn)在則以小而封閉的盒式磁帶的形式成為一種相對(duì)便宜的“離線”存儲(chǔ)選擇。盡管它在加載現(xiàn)代錄音磁帶和尋找到感興趣數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)位置時(shí)可能花費(fèi)幾秒甚至幾分鐘，但購(gòu)買和維修這一存儲(chǔ)媒質(zhì)的長(zhǎng)期花費(fèi)是較低的。24AA02E48-I/SN存儲(chǔ)器原裝想選擇質(zhì)量較好的存儲(chǔ)器，來找我們吧！

嵌入式應(yīng)用中存儲(chǔ)器類型的選擇技巧存儲(chǔ)器的類型將決定整個(gè)嵌入式系統(tǒng)的操作和性能，因此存儲(chǔ)器的選擇是一個(gè)非常重要的決策。無論系統(tǒng)是采用電池供電還是由市電供電，應(yīng)用需求將決定存儲(chǔ)器的類型(易失性或非易失性)以及使用目的(存儲(chǔ)代碼、數(shù)據(jù)或者兩者兼有)。另外，在選擇過程中,存儲(chǔ)器的尺寸和成本也是需要考慮的重要因素。對(duì)于較小的系統(tǒng)，微控制器自帶的存儲(chǔ)器就有可能滿足系統(tǒng)要求，而較大的系統(tǒng)可能要求增加外部存儲(chǔ)器。為嵌入式系統(tǒng)選擇存儲(chǔ)器類型時(shí)，需要考慮一些設(shè)計(jì)參數(shù)，包括微控制器的選擇、電壓范圍、電池壽命、讀寫速度、存儲(chǔ)器尺寸、存儲(chǔ)器的特性、擦除/寫入的耐久性以及系統(tǒng)總成本。

存儲(chǔ)器的工作原理存儲(chǔ)器的工作原理可以分為讀取數(shù)據(jù)和寫入數(shù)據(jù)兩個(gè)過程。1.讀取數(shù)據(jù)在進(jìn)行讀取數(shù)據(jù)時(shí)，首先需要將要讀取的地址信息通過地址總線發(fā)送給存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器接收到地址信息后，會(huì)將對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)總線返回給CPU。在這個(gè)過程中，需要發(fā)送一些控制信號(hào)，用于控制存儲(chǔ)器的讀取操作。2.寫入數(shù)據(jù)在進(jìn)行寫入數(shù)據(jù)時(shí)，首先需要將要寫入的地址信息和數(shù)據(jù)信息通過地址總線和數(shù)據(jù)總線發(fā)送給存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器接收到地址信息和數(shù)據(jù)信息后，會(huì)將數(shù)據(jù)寫入到對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元中。在這個(gè)過程中，需要發(fā)送一些控制信號(hào)，用于控制存儲(chǔ)器的寫入操作。存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)原件必不可少的一部分。

存儲(chǔ)器中的三管組成是三管讀出時(shí)，先對(duì)T4置一預(yù)充電信號(hào)，使讀數(shù)據(jù)線達(dá)高電壓VDD，然后由讀選擇先打開T2，若T1的極間電容Cg存在足夠多的電荷"1",是T1導(dǎo)通，則因T2，T1導(dǎo)通接地，使讀數(shù)據(jù)線降為零電平，即“0”，若沒有足夠多的電荷“0”，T1截止，使讀數(shù)據(jù)線的高電平不變，讀出“1”信息。寫入時(shí)，由寫選擇線打開T3，這樣，Cg變能隨輸入信息充電（寫“1”）或放電（寫“0”）將寫入信號(hào)加到寫數(shù)據(jù)線上。單管（為了提高集成度）讀出時(shí)，字段上的高電平使T導(dǎo)通，若Cs有電荷，經(jīng)T管在數(shù)據(jù)線產(chǎn)生電流，可視為讀出“1”。若Cs無電荷，則數(shù)據(jù)線上無電流，可視為讀出“0”。讀操作結(jié)束時(shí)，Cs的電荷已將破壞性對(duì)出，必須再生。寫入時(shí)，字段上的高電平使T導(dǎo)通，若數(shù)據(jù)線上為高電平，經(jīng)T管對(duì)Cs充電，使其存“1”；若數(shù)據(jù)線為低電平，則Cs經(jīng)T放電，使其無電荷而存“0”可以說動(dòng)態(tài)RAM的讀過程就是檢測(cè)電容有無電，而寫過程就是對(duì)電容充電放電的過程注：T是mos管，不是電源，它能被導(dǎo)通，短的一端有電才能被導(dǎo)通存儲(chǔ)器能用來干什么？廣東24AA02E64T-I/OT存儲(chǔ)器24AA02系列存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器應(yīng)該存放在干燥且陰涼的地方。天津24AA02E48T-E/OT存儲(chǔ)器

按存儲(chǔ)器的讀寫功能分類只讀存儲(chǔ)器(ROM)：存儲(chǔ)的內(nèi)容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。  隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。按信息的可保存性分類非長(zhǎng)久記憶的存儲(chǔ)器：斷電后信息即消失的存儲(chǔ)器。長(zhǎng)久記憶性存儲(chǔ)器：斷電后仍能保存信息的存儲(chǔ)器。按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）：用于存放活動(dòng)的程序和數(shù)據(jù)，其速度高、容量較小、每位價(jià)位高。  輔助存儲(chǔ)器（外存儲(chǔ)器）：主要用于存放當(dāng)前不活躍的程序和數(shù)據(jù)，其速度慢、容量大、每位價(jià)位低。  緩沖存儲(chǔ)器：主要在兩個(gè)不同工作速度的部件起緩沖作用。天津24AA02E48T-E/OT存儲(chǔ)器