電源適配器EMI確實(shí)很難理解，很難有精確的紙面設(shè)計(jì)，但是通過研究我們還是能知道大概趨勢指導(dǎo)設(shè)計(jì)，一般來講，投放市場的電源適配器都是符合對應(yīng)的EMI標(biāo)準(zhǔn)的，當(dāng)然這里指的是民用標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)過兩次的修改該產(chǎn)品順利的符合了客戶要求的標(biāo)準(zhǔn)測試。終的整改方案為：1．將MOS管，雙向二極管的散熱片面接入電源的熱地。2．將X電容改為0.22uF。3．將共模電感改為50mH.4．在MOS管的D線電路的正面串入一個(gè)插件的磁珠。去消在D、S間并接的101電容。5．將變壓器的繞線方式改變了一下，取消內(nèi)部的屏蔽，而在外部加了一個(gè)屏蔽層。并接入熱地。其實(shí)EMC的整改主要是電源的整改因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來供電，此處沒有處理好一定會影響到其它的地方。不論是什么產(chǎn)品它的輻射或傳導(dǎo)主要有這個(gè)產(chǎn)品內(nèi)部的敏感元器件造成的。無論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號線傳導(dǎo)至其他設(shè)備。重慶 GJB151BEMI分析整改隔離

說到EMC的整改問題，相信各位接觸過的工程師都會有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對EMC的認(rèn)識，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對這個(gè)電源過EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。鄭州研發(fā)級EMI分析整改原理EMI 整改：對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制。

若是用軍標(biāo)測試，相應(yīng)的會嚴(yán)格一些，所以EUT測試超標(biāo)很正常。對電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個(gè)因素在于電源適配器的開關(guān)電路,電路板設(shè)計(jì)和接地電路以及開關(guān)電路等各個(gè)功能電路等方面.消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。

信號端口濾波需要考慮的問題點(diǎn)：l端口傳輸信號不能由于任何原因信號不完整的問題；l普通磁珠，差分濾波器會對差分信號產(chǎn)生衰減，阻抗過大甚至引起差分信號時(shí)序錯(cuò)亂，左右信號不對稱。（共模濾波器可以使差分信號順利通過，而對共模的干擾信號呈較高阻抗）；這是我從LVDS信號線上抓的一個(gè)頻譜，區(qū)域的尖峰，在頻譜上一直很穩(wěn)定，一般這種信號是時(shí)鐘串?dāng)_到信號線上的信號，必須濾除。其他在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會變化，這是有用的信號，不能有所破壞。在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取。

在信號處理中，濾波器的使用是常見的信號處理方式之一。那么什么樣的濾波器才能滿足工程師的設(shè)計(jì)要求呢？下面為大家介紹的信號端口濾波器件將是明智的選擇。特點(diǎn)：l封裝小，能有效節(jié)省電路板空間；l能有效壓制共模噪聲；l差模截止頻率＞3.5GHz；l對高速差動(dòng)傳輸線信號幾乎沒有影響；l滿足HDMI的TRD標(biāo)準(zhǔn)；端口類型；模擬信號輸出端口（外部連接線，音頻等）；數(shù)字信號輸出端口（內(nèi)部連接口/連接線，LVDS,USB,SD,HDMI,等），信號類型一般為差分形式。在頻譜上不斷跳動(dòng)但是頻域不會變化，這是有用的信號，不能有所破壞。浙江EMI分析整改報(bào)告

信號接收端比較兩個(gè)電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。重慶 GJB151BEMI分析整改隔離

我們來分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號的回流這兩方面。對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會造成電磁干擾問題。重慶 GJB151BEMI分析整改隔離